성장 전 GaAs 기판의 열에칭 온도 변화에 따른 ZnS 에피층의 구조적, 광학적 특성

남성운,유영문,이종광,오병성,이기선,최용대,이종원 한국결정성장학회 2000 한국결정성장학회지 Vol.10 No.3

성장 전 GaAs기판의 열에칭 온도 변화에 따른 ZnS 에피층의 특성을 최초로 조사하기 위하여 450~$660^{\circ}C$로 열에칭한 기판 위에 hot wall epitaxy법으로 ZnS 에피층을 성장하였다. ZnS 에피층의 이중결정요동곡선의 반치폭은 기판의 열에칭 온도가 50$0^{\circ}C$와 $600^{\circ}C$일 때 가장 작았다. 그러나 ZnS 에피층의 photoluminescence(PL)특성은 기판의 열에칭 온도가 $500^{\circ}C$ 보다는 $600^{\circ}C$에서 더 양호하였다. 그러므로 고품질의 ZnS 에피층을 성장하기 위한 GaAs기판의 최적 열에칭 온도는 $600^{\circ}C$임을 알았다. 이러한 결과로부터 GaAs 기판의 열에칭은 $600^{\circ}C$에서 ZnS 에피층의 결정성과 PL특성에 좋은 영향을 주는 것으로 확인되었다. To investigate the thermal preheating effect of the GaAs substrate exerted on the ZnS epilayers for the first time, ZnS epilayers were grown on the GaAs (100) substrate by hot wall epitaxy. The thermal preheating temperature was $450^{\circ}C$~$660^{\circ}C$. The full width at half maximum values of double crystal rocking curve were the smallest for the ZnS epilayers grown on the GaAs thermally preheated at around both $500^{\circ}C$ and $600^{\circ}C$. However, photoluminescence characteristics of ZnS epilayers were better at $600^{\circ}C$ than at $500^{\circ}C$. Therefore, it was shown that the optimum preheating temperature of the GaAs substrate for the growth of high quality ZnS epilayer was around $600^{\circ}C$. From these experimental results, it was shown that the crystal quality and the PL properties of ZnS epilayers were enhanced for the GaAs substrates thermally preheated at $600^{\circ}C$.

전자기록물의 장기보존을 위한 방안 연구 : 개념을 중심으로

남성운,윤대현 한국기록관리학회 2001 한국기록관리학회지 Vol.1 No.2

액정성 Chalcone 화합물의 합성과 Microscopic Patterning

남성운,홍종기,장지영,한만정 한국고분자학회 2001 한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집 Vol.2001 No.4

HWE법에 의한 ZnS / GaAs , ZnS / GaP 단결정박막의 성장 및 구조적 특성

남성운,이종광,정정호,유영문,이종국,오병성,이기선,최용대,윤희중 대한전자공학회 1998 대한전자공학회 학술대회 Vol.1998 No.1

진공증착시킨 CdTe 박막내의 전자트랩 관찰

남성운,이기선 충남대학교 자연과학연구소 1989 忠南科學硏究誌 Vol.16 No.1

The states of carrier traps in the vacuum-deposited n-CdTe films have been investigated by measuring and analyzing the SCL current of Al/CdTe/In Schottky diode. The observed traps were the shallow electron traps, whose energy is 0.57eV, located between the conduction band and the fermi level. The trap density has been also measured to be 4×10^18 cm^-3 which is relatively high compared with the other specimens prepared by different methods. It seems to be due to the high density of imperfections in the films created when depositing the CdTe films without the substrate heating.

GaAs(100) 기판에 대한 열에칭이 ZnTe 에피층에 미치는 영향

남성운(Sungun Nam),윤영문(Young-Moon Yu),오병성(Byungsung O),이기선(Ki-Seon Lee),최용대(Yong Dae Choi),정호용(Ho-Yong Chung) 한국진공학회(ASCT) 1998 Applied Science and Convergence Technology Vol.7 No.4

기판에 대한 열에칭이 에피층에 미치는 영향을 조사하기 위하여 ZnTe 에피층을 hot wall epitaxy (HWE)에 의하여 기판 온도 450~630℃에서 GaAs(100) 기판위에 성장하여 에피층에 대한 이중 결정 요동 곡선(DCRC)과 광발광(PL)을 측정하였다. ZnTe 에피층의 DCRC의 반치폭은 GaAs 기판의 열에칭 온도가 510℃와 590℃일 때 가장 작았다. 그러나 550℃ 근처에서 반치폭 값들은 표면 원자들의 재구성에 의하여 증가하였다. 그리고 490℃ 이하의 열에칭 온도에서는 산화막에 의하여 반치폭은 증가하였고, 또 610℃ 이상에서는 표면 결함에 의하여 증가하였다. PL로부터 가벼운 양공 자유엑시톤 X_(1s, lh)과 2차 공명 라만선의 반치폭은 550℃ 근처에서 증가하였다. 열에칭 온도가 증가함에 따라 Y-band의 세기와 GaAs 위의 산화막에 관련된 산소에 속박된 자유엑시톤(OBE) 피크의 세기는 일반적으로 감소하였다. 이러한 실험적인 결과로부터 GaAs 기판의 열에칭은 ZnTe 에피층에 영향을 주는 것으로 확인되었다. To investigate an influence of the thermal preheating for the substrates exerted on the heteroepilayers, the ZnTe epilayers are grown on the GaAs (100) at the substrate temperature of 450~630℃ by hot wall epitaxy (HWE). For this purpose, double crystal rocking curve (DCRC) and photoluminescence (PL) are measured. The full widths at half maximum of DCRC are the smallest in the ZnTe epilayers grown on the GaAs thermally etched at around both 510℃ and 590℃. However, at around 550℃ they increase due to the reconstruction of the atoms in the surface. And they increase due to the oxide layer at below 490℃ and due to the surface defects at above 610℃. From PL analysis, the full widths at half maximum of the light hole exciton X_(1s, lh) and of the second-order Raman line increase at around 550℃. With the increasing preheating temperature, the intensities of Y-bands and of the oxygen bound exciton (OBE) peak related to an oxide layer on the GaAs surface generally decrease. From these experimental results, it′s confirmed that the GaAs substrate thermally etched influences the ZnTe epilayers.

전통문화 예술 기록물 자료의 디지털화 및 보존 방안

남성운(Nam Sung un) 국립국악원 2008 국악원논문집 Vol.17 No.-

전통문화 예술과 관련된 다양한 기록물 자료들을 장기적으로 보존하고 활용하기 위한 방안을 제시하였다. 기록물의 보존과 활용 둘 다가 가능한 방안으로 디지털화를 제시하였으며, 디지털화의 목적, 고려사항, 처리절차, 품질관리 등에 대해 검토하였다. 특히 국가기록원의 종이기록물, 시청각기록물에 대한 디지털화 사례를 소개하여 국악 관련 자료의 디지털화 추진시 실무적인 도움을 주고자 하였다. 또한 전자적으로 생산된 국악 관련 자료의 보존방안으로 OAIS 참조모델, 메타데이터, 보존포맷, 백업 및 복구, 장기저장매체, 보존환경 등에 대해 원론적 차원에서 방향을 검토하였다. 이러한 검토 내용들이 부족하지만 앞으로 전통문화예술 기록물 분야에 아카이브 또는 디지털 아카이브에 대한 본격적인 논의의 출발점이 되었으면 한다. We showed the method of the long term preservation and the utilization of various archival records which related traditional art and culture. One solution is the digitation which can be possible both the preservation and the utilization of the archival records, and it also is evaluated in terms of the goal, the possible consideration, the procedure, and quality control of the digitization. Especially, we here tried to help practically in the digitization of the records of Korean traditional music by introducing the case of the paper records and video and audio records in the National Archival Adminstration and Service. As the preservation method for the electronically produced records of the Korean traditional music, we also investigated fundamentally the OAIS model, meta data, the format of preservation, back-up and restoration of data, long-term recording media, and preservation environments. We know that our discussion is not enough, but we think it might be the cornerstone in the future study of the archive or digital archive in the traditional art and culture.

HOT WALL EPITAXY방법에 의한 ZnTe/GaAs(100) 박막의 성장과 광학적 특성

남성운,정양준 木浦大學校基礎科學硏究所 1997 基礎科學硏究誌 Vol.15 No.-

ZnTe epilayer of high quality was grown on GaAs substrate by hot wall epitaxy(HWE) methods. The atomic ratio of Zn : Te in the epilayers was found to be almost 1:1 by Rutherford Backscattering Spectrometry(RBS). The best value of the full width at half maximum(FWHM) of the double crystal rocking curve(DCRC) of ZnTe epilayer was obtained 93 arcsec. The PL spectrum with the strong free exciton peaks and no oxygen-bound exciton peaks showed the high quality of the films. From the splitting of the heavy hole and light hole band, the tenslie strain was identified. With the excitation source of 514.5 nm Ar-ion laser, three resonant Raman lines were observed.

ZnS_(1-x)Te_x 단결정 박막의 격자진동

최용대,남성운,유영문 목원대학교 자연과학연구소 2000 自然科學 硏究論文集 Vol.9 No.1

Hot-wall epitaxy에 의하여 GaAs (100) 기판 위에 성장된 ZnS_1-xTe_x(0<x<1) 단결정 박막의 특성이 Raman 산란을 이용하여 조사되었다. Raman 산란으로부터 측정된 장파장의 ZnTe-like의 longitudinal 광학 포논의 주파수는 성분비 x와 함께 선형으로 변하였다. ZnS_1-xTe_x 단결정 박막의 x의 함수로서 zone-center 광학 포논의 주파수는 two-mode이었고, 이 결과는 MERI 모델의 이론치와 잘 일치하였다. ZnS_1-xTe_x(0<x<1) alloys grown on (100) GaAs substrates by hot-wall epitaxy are investigated using Raman scattering. The frequencies of long wavelength ZnTe-like and ZnTe-like longitudinal optical phonons determined from Raman scattering show linear variation with the composition x. The frequency of the zone-center optical phonons as a function of x of the ZnS_1-xTe_x mixed crystal shows a typical two-mode behavior. which is in good agreement with the theoretical results from a modified random-element isodisplacement model.

대규모 웹 기록물의 원격수집을 위한 콘텐츠 중복 필터링 개선 연구

이연수,남성운,윤대현 한국기록학회 2013 기록학연구 Vol.0 No.35

As the network and electronic devices have been developed rapidly, the influences the web exerts on our daily lives have been increasing. Information created on the web has been playing more and more essential role as the important records which reflect each era. So there is a strong demand to archive information on the web by a standardized method. One of the methods is the snapshot strategy, which is crawling the web contents periodically using automatic software. But there are two problems in this strategy. First, it can harvest the same and duplicate contents and it is also possible that meaningless and useless contents can be crawled due to complex IT skills implemented on the web. In this paper, we will categorize the problems which can emerge when crawling web contents using snapshot strategy and present the possible solutions to settle the problems through the technical aspects by crawling the web contents in the public institutions. 네트워크 및 정보통신기기가 발전함에 따라 웹이 우리 일상에 미치는 영향력은 점점 더 증가하고 있다. 또한 웹 공간에서 생성되는 정보도 각 시대를 반영하는 중요한 기록물로서 그 중요성이 나날이 커지고 있다. 이에 따라 웹 정보들을 아카이빙 할 수 있는 표준화된 방법이 요구되고 있으며, 그중 한 가지가 자동화된 수집도구를 사용하여 주기적으로 수집하는 스냅샷 전략이다. 하지만 스냅샷 전략은 주기적으로 웹 콘텐츠를 수집하기 때문에 동일한 웹 콘텐츠가 중복 수집되는 문제가 있다. 또한 웹 환경에서 구현되는 복잡한 기술로 인하여 의미 없는 웹 콘텐츠가 수집될 가능성도 배제할 수 없는 실정이다. 본 논문에서는 공공기관 홈페이지 웹 콘텐츠를 스냅샷 전략으로 수집한 사례 분석을 통해서 원격 수집할 때 발생할 수 있는 콘텐츠 중복 문제들을 살펴보고, 기술 측면에 해결책을 제시하고자 한다.