대만의 대륙정책 결정 요인에 대한 연구 : 국내 요인을 중심으로

김회민 국방대학교 2008 국내석사

Intraoral scan을 이용한 Hamular notch-Incisive papilla plane(HIP plane)과 occlusal plane의 관계에 관한 연구

김회민 전남대학교 대학원 2020 국내석사

연구목적 : 환자의 구강 내를 intraoral scanner로 스캔하여 얻은 구내 3D 이미지에서 occlusal plane과 hip plane 사이 각도, incisive papilla와 incisor edge of maxillary central incisors 사이 수평 거리 측정을 통해 complete denture 제작 시 hip plane과 incisive papilla를 reference로 이용하고자 한다. 연구재료 및 방법 : 전남대학교 치의학전문대학원 학생 중 남성 8명, 여성 8명 총 16명의 구강 내를 intraoral scanner를 통해 얻은 이미지에서 occlusal plane과 hip plane 사이 각도, incisive papilla와 incisor edge of maxillary central incisors 사이 수평 거리를 측정하였다. cephalometric x-ray에서 frankfort horizontal plane과 occlusal plane 사이의 각도를 측정하였다. 결과 : 두 평면 사이 각도는 좌측에서 평균 2.89 ° ± 0.69, 우측에서 평균 2.96 ° ± 0.67을 보였고, 양측의 차이는 통계적으로 유의하지 않았다(p>0.05). Incisive papilla와 incisor edge of maxillary central incisors 사이 수평 거리는 평균 8.38mm ± 1.14를 보였다. Frankfort horizontal plane과 occlusal plane 사이의 각도는 평균 7.58 ° ± 1.25을 보였다. 결론 : 위 실험 결과, HIP plane이 occlusal plane에 대하여 평행한 경향이 있는 것을 알 수 있기 때문에, occlusal plane을 결정할 때 유용한 anatomical reference로 사용 할 수 있다. Incisive papilla는 central incisors의 위치를 결정하는데 유용한 anatomical landmark로 사용 할 수 있다. hip plane과 incisive papilla를 reference로써 잘 고려하여 complete denture를 제작해야 할 것이다.

Medici를 이용한 Bulk, SOI, Double-Gate MOSFET의 구조 분석 및 설계에 관한 연구

김회민 수원대학교 일반대학원 2009 국내석사

With increasing device integration resulting in more processing steps and higher fabrication costs, the need for computer simulation in device design is ever more present. As the scaling-down pushes the transistor size to approach the physical limit, new device structures, other than the conventional bulk form, need to be pursued. In this study, new MOSFET structures, namely SOI and Double-Gate, were investigated by Medici device simulation and compared against the Bulk MOSFET. Firstly, Bulk, SOI, and Double-Gate n-type MOSFET devices with a 30nm gate length and a 10nm junction depth were formed and characterized by Medici simulation. The channel and source/drain doping concentrations were used as independent variables, and the threshold voltage (VT), sub-threshold swing (SS), drain-induced barrier lowering (DIBL), and drain current (ID) were examined as dependent variables. The results showed that the device characteristics were superior in the order of Double-Gate, SOI, and Bulk, as expected. Overall, VT was larger for a longer gate length, shallower junction depth, higher channel doping concentration, and lower source/drain doping concentration, while the three other dependent variables, SS, DIBL, and ID, moved inversely with respect to VT. Nextly, the minimum gate length and junction depth that would yield ideal values of VT ≥ 0.25V, SS = 60~100mV/decade, DIBL ≤ 100mV, ID ≥ 600μA/μm for each of Bulk, SOI and Double-Gate MOSFET devices were investigated as a function of channel and source/drain doping concentrations. The results showed that the ideal values of VT, SS, DIBL, and ID, could not be achieved in the Bulk MOSFET when the gate length was less or equal to 100nm. On the other hand, VT = 0.29V, SS = 99mV/decade, DIBL = 96mV, and ID = 605μA/μm were achieved with SOI MOSFET when the gate length was 40nm, the junction depth was 10nm, the channel doping concentraion was 3.8×1018cm-3, and the source/drain doping concentration was 2×1020cm-3. At even smaller gate length of 30nm and deeper junction depth of 20nm, the Double-Gate MOSFET yielded reasonable device characteristics of VT = 0.33V, SS = 96mV/decade, DIBL = 98mV, and ID = 646μV/μm when the channel doping concentration was 5×1018cm-3, and the source/drain doping concentration was 1×1020cm-3.

새로운 전자 수송 층 구조를 사용한 효율적인 백색 인광 유기발광다이오드의 제작 및 특성연구

김회민 홍익대학교 대학원 2011 국내석사

Since 1987, with Tang and VanSlyke’s discovery of efficient organic light-emitting diodes (OLEDs), there have been many studies to enhance the high efficiency of OLEDs. Recently, OLEDs have attracted increasing attention for use in various potential applications, including as a solid light source and flat panel displays (FPDs), as a back light unit for liquid crystal displays, because of the many advantages such as a wide viewing angle, compactness, flexibility, high resolution, fast response time, and an easy manufacturing process. Therefore, one of the promising next generation display technologies is the use of OLEDs. However, OLEDs have various defects, in particular, devices stability and high power consumption are major issues in the used of OLEDs in applications such as for solid light source and as a FPDs. However, remains a challenge. A key requirement for achieving such high efficiency is that all electrically generated excitons must be employed for emission. WOLEDs that combine fluorescent blue emitters with phosphorescent green and red ones have been developed recently. Devices comprising fluorescent blue emitters present rather low efficiencies at an illumination-relevant luminance because only the singlet states of the fluorescent blue emitters contribute to the light emission. As one of the primary colors, the corresponding blue OLEDs exhibit external quantum efficiencies and luminous efficiencies, much lower than those reported for green and red OLEDs. Therefore, many researchers have studied structure optimization of Phosphorescent WOLEDs (PHWOLEDs) and proper recombination zone which are important as charge balance and reducing energy loss. Many researchers have investigated the high efficiency and low operation voltage device performance in OLEDs. In general, OLEDs consist of an anode for hole injection, a cathode for electron injection and an emitting layer with charge recombination in which excitons are formed. The mobility of a hole is higher than that of an electron by about a centuple, and as a result, non-emissive cationic species form in the emission layer. Accordingly, there is an obstruction of hole-electron recombination, followed by the formation of a dark spot, luminance decay and subsequent low efficiency of the device. Many methods have been reported to obtain higher efficiencies and improve the electronic characteristics by balancing the hole-electron pairings in the EML. Many researchers have researched the injection of balanced carriers into the emitting layer. A typical method is that the electron transport layer (ETL) is doped with an-type dopant such as Ca, Mg, and Li with a low work function. They lead to an efficient electron injection from the cathode into the emission layer. However, the fabrication of OLEDs treated with a n-type metal dopant is very difficult and complex because the n-type metal dopant materials are very reactive and sensitive in the open atmosphere. In this study, to obtain a high efficiency and improve the device’s electronic characteristics, we studied OLEDs using the lithium-quinolate (Liq) as a dopant for the ETL. We have demonstrated efficient white PHOLEDs (PHWOLEDs) using BAlq and 10% Liq doped Balq as double-electron transporting layer system. The structure of optimized device was ITO / NPB (500Å) / mCP (100Å) / mCP : FIrpic (8wt%, 120Å) / TPBi (5Å) / mCP : Ir(pq)2acac (3wt%, 30Å) / TPBi : FIrpic (8wt%, 150Å) / BALq (150Å) / BALq : Liq (10wt%, 150Å) /Liq (20 Å) / AL (1000Å). The maximum current efficiency and maximum external quantum efficiency of 31.7 cd/A and 15.7 %. In this study, we have demonstrated that the device performance of OLEDs can be improved by using a mixed electron transport structure. When the Liq was doped in BAlq, the electrical properties such as the driving voltage and efficiency were enhanced by about 30 % ~ 40 % because of the lowered electron injection barrier and good interfacial contact between the cathode and the ETL. Therefore, it can be concluded that improved electron injection leads to the balanced charge recombination of holes and electrons and enhanced the electrical properties of the device. 21세기에 접어들면서 정보통신과 컴퓨터의 발달로 디스플레이는 모바일 기기뿐만 아니라 모니터 및 대형 텔레비전의 요구 조건을 충족시킬 수 있는 빠른 응답속도와 낮은 소비 전력, 넓은 시야각을 요구하고 있다. 기존의 디스플레이 시장은 CRT (Cathode Ray Tube) 에서 가볍고 얇아 휴대하기 쉬우며 대형화 제품에 적합한 액정표시장치 (Liquid Crystal Display, LCD) 로 빠르게 대체되고 있지만, 비교적 느린 응답속도와 백라이트 유닛의 필요로 기판의 한계 및 시야각 문제점 등의 여러 문제점을 가지고 있다. 이에 따라 평판 디스플레이의 장점과 정보 처리속도가 빠른 표시장치의 개발이 필요하며, 현재 가장 적합한 디스플레이로 연구되고 있는 디스플레이는 유기 발광 소자 (Organic Light-emitting Diode : OLED) 로서 저소비전력, 자발광, 경량 박형, 넓은 시야각, 그리고 액정 디스플레이(LCD) 대비 천 배 이상 빠른 응답속도 및 높은 콘트라스트 등의 많은 장점을 가지고 있다. 또한, 점광원, 선광원 및 면광원 등 어떤 형태로의 다양한 모양으로 광원의 구현이 가능하므로 차세대 조명 및 디스플레이의 백라이트 유닛 (Backlight Unit ; BLU) 에 적용될 가치가 높으며 소자 구조가 간단하여 제작이 용이하다. 기존의 유리 기판 뿐 만 아니라 플라스틱 기판에 제작이 가능하여 얇고 구부릴 수 있는 디스플레이 (Flexible Display)로서 적합하며, 다양한 연구가 세계적으로 활발하게 진행되고 있다. 유기 발광 소자의 기본 구조는 ITO (Indium Tin Oxide) 와 같은 투명 전극인 양극과 일함수가 낮은 금속을 사용한 음극 사이에 발광 층이 존재하는 형태이다. 양극과 음극에 직류전압을 걸면, 양극으로부터의 정공과 음극으로부터의 전자가 각각 반대전극을 향해 이동하게 되며, 주입된 전자와 정공은 분자 간을 호핑 (Hopping) 하면서 대향전극을 향해 이동해 감으로서 유기물 내에서 재결합 (recombination) 되어 여기자 (exciton) 를 형성하고, 유기분자의 전자상태가 안정한 상태 (기저상태) 로부터 활성화되어 에너지 적으로 높은 상태 (여기상태) 가 된다. 그러나 여기상태는 대단히 불안정하기 때문에 원래의 기저상태로 되돌아가려 하고, 이때 에너지가 방출되어 빛으로 나타나는데 이것이 유기 발광 소자의 발광원리이다. 여기자의 상태는 일중항 상태 (singlet state) 와 삼중항 상태 (triplet state) 가 1:3 의 비율로 존재하며, 일중항 상태에서 기저상태로 떨어질 때의 발광인 형광은 내부양자효율이 이론적으로 25% 를 넘을 수 없어 그 효율에 한계가 있다. 그러나 중금속을 중심으로 하는 금속 착화합물을 이용하여 여기자의 75% 에 해당하는 삼중항 으로부터의 발광인 인광을 이용하면 내부양자효율을 100% 까지 향상시킬 수 있다. 본 논문에서는 보다 효율적인 백색 인광 유기 발광 소자를 제작하기 위하여, 유기 발광 다이오드 소자에서 문제시되는 hole-electron balance 를 향상시키기 위한 방법으로 기존의 전자 수송 층에 전자 주입 층으로 사용하던 LiQ 를 도핑 하여, 전기적 특성을 평가하고 소자 구조를 최적화 시켰다. 따라서 전자 주입 층에 사용되는 LiQ 의 도핑 농도가 증가함에 따라 소자의 구동 전압이 낮아지고 발광 효율이 증가하는 특성을 관찰 할 수 있었다. 또한 소자 내에 흐르는 전자와 정공의 균형을 더 향상시키기 위하여, 새로운 구조의 전자 수송 층을 제작하였다. 이와 같이, 적절한 전자 수송층을 사용함으로써 최적화시킨 백색 인광 유기발광 다이오드의 특성을 평가하고 경향성을 살펴보았다.

인천지역 특수학교 교사들의 ICT 활용 교육에 대한 인식 및 활용실태 연구

김회민 인천대학교 교육대학원 교육공학전공 2009 국내석사

이 연구에서는 인천지역 특수학교 교사들의 ICT 활용 교육에 대한 일반적 인식, 문제점에 대한 인식, 개선점에 대한 인식과 ICT 활용 교육 실태를 알아보기 위하여 성별, 교직 경력, 장애영역별, 학급유형별, 연수경험별을 독립변인으로 하고 인식과 실태를 종속변인으로 설정하였다. 위와 같은 연구의 목적을 달성하기 위하여 설정한 연구문제는 다음과 같다. 첫째, 인천지역 특수학교 교사의 성별, 교직 경력, 장애영역별, 학교급별, 연수 경험에 따라 ICT 활용 교육에 대한 일반적 인식에는 차이가 있는가? 둘째, 인천지역 특수학교 교사의 ICT 활용 교육의 문제점에 대한 인식은 어떠한가? 셋째, 인천지역 특수학교 교사의 ICT 활용 교육의 개선점에 대한 인식은 어떠한가? 넷째, 인천지역 특수학교 교사의 ICT 활용 교육 실태는 어떠한가? 위 연구문제를 검증하기 위해 ICT 활용 교육에 대한 일반적 인식에서는 성별, 연수경험별로는 t검증을 실시하였으며, 교직 경력, 장애영역별, 학교급별로는 F검증을 실시하였고, ICT 활용 교육의 문제점에 대한 인식, 개선점에 대한 인식, ICT 활용 교육 실태를 알아보기 위하여 빈도분석을 실시하였으며, 그 결과를 요약하면 다음과 같다. 첫째, ICT 활용 교육에 대한 일반적 인식 문제 중 ICT 활용 교육에 대한 인식에서 성별(t=2.072, p<.05), ICT 활용 교육이 장애학생들의 학습참여에 미치는 효과에서 장애영역별(F=2.783, p<.05)과 학교급별(F=2.081, p<.05)에서, ICT 활용 교육을 위한 능력에서 성별(t=3.903, p<.05), ICT 활용 교육에 대한 관리자의 인식과 지원에서는 장애영역별(F=7.975, p<.05)에서 유의미한 차이가 나타났다. ICT 활용 교육에 대한 인식과 ICT 활용 교육을 위한 능력에서는 여자 교사들보다 남자교사들이 더 많이 알며 능력이 있는 것으로 생각하는 경향이 있었으며, ICT 활용 교육이 장애학생들의 학습참여에 미치는 효과에서는 지체장애 담당교사가 시각장애 담당교사보다, 고등부 교사가 초등부 교사보다 효과적이라고 생각하는 경향이 있었다. 또한 ICT 활용 교육에 대한 관리자의 인식과 지원에서는 청각장애 담당교사가 정신지체 담당교사 보다 ICT 활용 교육에 대한 관리자의 인식과 지원 정도가 높다고 생각하는 경향이 있다는 것을 알 수 있었다. 둘째, ICT 활용 교육의 문제점에 대한 인식 문제 중 장애학생들의 학습에 부정적인 영향을 미치는 점으로 정제되지 않은 무분별한 지식의 난무와 인터넷 중독 유발에, ICT 활용 교육 활성화에 장애가 되는 요소는 관련 소프트웨어 및 콘텐츠 부족에 가장 많이 응답하였다. 또한, S/W적인 문제는 장애아동 특성에 맞는 S/W 부족에, H/W적인 문제는 장애아동 특성에 맞는 보조공학기기 부족에, 행 · 재정적인 문제는 장애특성에 맞는 ICT 활용 교육과정 미비를, ICT 활용 연수의 문제는 실제 수업에 적용할만한 연수가 아니어서에 가장 많이 응답하였다. 위의 결과 중에서 주목할 점은 H/W적인 문제에서 장애영역에서 공통적으로 장애아동 특성에 맞는 보조공학기기 부족이 가장 큰 문제라고 생각하는 경향이 있음을 알 수 있었다. 셋째, ICT 활용 교육의 개선점에 대한 인식 문제 중 ICT 활용 교육을 교수-학습에 적용하기 위해 필요한 연수에는 ICT 활용 교육을 위한 자료제작 연수에, 효과적인 ICT 활용을 위해 가장 필요하다고 생각되는 여건에는 교사 간 ICT 활용 공유 체계 마련에, 효과적인 ICT 활용을 위해 반드시 필요한 제도적 지원에는 충분한 사전 기초연구를 통해 자료가 개발되도록 지원에 가장 많이 응답하였다. 또한, 효과적인 ICT 활용을 위해 반드시 필요한 교사를 위한 지원에는 특수교육에서의 ICT 활용에 관한 정보를 상시 제공에, ICT 활용 교육을 위한 바람직한 교수-학습자료 제작 방법은 교육과학기술부나 교육청에서 표준안 개발 및 배포에, ICT 활용 교육을 위해 우선적으로 개발되어야 할 S/W나 콘텐츠에는 교과지도에 가장 많이 응답한 것을 알 수 있었다. 위의 결과 중에서 주목할 점은 ICT 활용 교육을 위해 우선적으로 개발되어야 할 S/W나 콘텐츠에서 교과 지도에 가장 많이 응답한 것을 알 수 있었다. 넷째, ICT 활용 교육 실태 문제 중 ICT 활용 수업 횟수는 주 1~3회 정도에, 수업시간 중 ICT 활용 할애 시간은 5분~10분에, ICT 활용 수업을 하는 이유는 수업의 효과를 높이기 위해 필요하다고 생각되어서에, ICT 활용 수업을 하지 않는 이유는 ICT 활용 수업을 할 수 있는 주변 환경여건이 갖추어지지 않거나 수업자료를 제작하는데 시간이 너무 많이 소요되어서에 가장 많은 응답을 하였다. 또한, 수업상황에서 ICT를 활용하는 목적은 학습자의 동기유발과 교수학습과정의 집중도를 높이기 위해서에, ICT 활용 교육의 수업 적용 방법은 수업보조 도구로만 활용에, ICT 활용 교육의 수업 적용 단계는 전개 단계와 도입 단계에 가장 많이 응답하였다. 다음으로 ICT 활용 교육에서 사용하는 도구는 학습용 웹 콘텐츠에, ICT 활용 교육을 위한 인터넷 활용 과제 부여정도는 전혀 부여하지 않거나 주 1회 정도에, ICT 활용 교육을 위한 학습자료 제작 정도는 30% 이하에 가장 많이 응답하였다. 마지막으로 ICT 활용 교수학습 영역은 교과지도에, ICT 활용 교육 자료 In this study, to see the realities of ICT applied education , understanding about problem, and understanding about the improvement and general understanding about ICT applied education by special school teachers in Incheon community, the distinction of sex, teaching career, a field of disabilities, school course level, in-service training experience are decided as independent variable, the realities and understanding are decided as dependent variable. To accomplish purpose, following research questions are established. 1. According to the distinction of sex, teaching career, a field of disabilities, school course level, in-service training experience of special school teachers in Incheon community, what is different from general understanding about ICT application education? 2. How is the understanding about the problem of ICT applied education of special school teachers in Incheon community? 3. How is the understanding about the improvement of ICT applied education of special school teachers in Incheon community? 4. How is the realities of ICT applied education of special school teachers in Incheon community? To inspect the problem of this study, in general understanding about ICT application education, T-test was conducted, in teaching career, a field of disabilities, school course level, F-test was conducted, and Frequency analysis was conducted to see the realities of application education about ICT , understanding about problem, and understanding about the improvement about ICT. The survey results of this study are as follows. First, The problem of general understanding about ICT applied education indicated the significant difference: in understanding about ICT applied education-the distinction of sex(t=2.072, p .05), in the effect to the learning participation of students with disabilities by ICT applied education-a field of disabilities(F=2.783, p .05) and school course level(F=2.081, p .05), in competence about ICT applied education- a field of disabilities(t=3.903, p .05), in the support and understanding of supervisor about ICT applied education-a field of disabilities(F=7.975, p .05). In understanding about ICT applied education and competence about ICT applied education, a man teachers tend to think that they have more competence and knowledge than a women teachers and in the effect of the disabilities by ICT applied education , It is thought that teachers in handicapped child and high school teachers are more effective than teachers in visual impairment and elementary school teachers. Also, We can know that in the support and understanding of supervisor about ICT applied education, teachers in hearing impairment are higher than teachers in mental retardation about the support and understanding of supervisor about ICT applied education. Second, It was responded that things that have a negative effect on the students with disabilities of the problem of understanding about ICT applied education are a rampage of a unrefined , discreet knowledge and a internet poisoning induction. Factors of troubles for ICT applied education revitalization are lack of a related S/W(software) and contents. Also, in the problem of S/W, there is lack of S/W of a proper trait for the students with disabilities and in the problem of H/W( hardware), there is lack of a assistant technology machine of a proper trait for the students with disabilities and in the administrative and financial problem , there is lack of ICT applied curriculum of a proper trait for the students with disabilities, and in the problem of ICT applied in-service training, It was responded much because of in-service training that was inapplicable in practical learning. In above results, most noticeable points were lack of a assistant technology machine of a proper trait for the students with disabilities in a field of disabilities of the H/W problem. Third, of the understanding problem about the improvement of ICT applied education, in training for application of teaching-learning by ICT applied education; material production training, in things that were necessary for effective ICT application; things that make sharing system for ICT application between teachers , and It was responded much in institutional support that were necessary for effective ICT application; material development support through previous basic study. Also, in teacher support for effective ICT application; information offering of ICT application at all times in special education and in method of data development for teaching-learning; standard draft and distribution in Provincial Office of Education and Ministry of Education, science and Technology, and It was responded much in contents or S/W to develop preferentially for ICT applied education; learning guidance. In above results, most noticeable points were learning guidance in contents or S/W to develop preferentially for ICT applied education. Fourth, of the realities problem of ICT applied education, In ICT applied lesson frequency; 1~3 times in a week and in a sparing hours for ICT applied class hours; 5~10 minutes and in the reason to do ICT applied lesson; to heighten class effect, and It was responded much in the reason not to do ICT applied lesson; not to prepare condition of surrounding environment or to spend too much times making class material. Also, in the purpose of ICT application in school hours; to heighten motivation of learner and concentration measure of teaching-learning and in a method of class application for ICT applied education; to apply class assistant instrument, and It was responded much in class application steps of ICT applied education ; development step and introduction. Also, in the instrument that was used for ICT applied education ; Web contents for learning, and in the measure which was given to internet application task for ICT applied education; 1 times in a week, and It was responded much in measure that was made to learning material for ICT applied educat