偏心 Retor가 裝捉된 보에 있어서 加速度에 의한 振動特性에 관한 연구

김형윤 全北大學校 1986 국내석사

강합성 교량의 구조해석에 관한 연구

김형윤 경기대학교 대학원 2005 국내석사

근래에는 구조물의 해석을 위해 유한요소프로그램을 사용하는 것이 일반적이다. 교량설계 등의 실무에서는 대부분의 경우 작은 노력으로 빠른 결과를 얻기 위해 구조해석 모델구성이 간편한 보 요소 격자 모델을 사용하고 있다. 구조해석결과는 모델에 따라 달라질 수 있는데, 여러 형태의 강합성 교량의 경우에 보 요소 격자 모델을 사용하여 충분한 정도의 정확한 해석결과를 얻을 수 있는지를 검토한 사례는 거의 없다. 본 연구는 강합성 교량을 대상으로 콘크리트 바닥판과 강재 거더에 사용된 유한요소에 따라 (1)쉘 요소 모델, (2)쉘-보 요소 모델, (3)보 요소 격자 모델 등으로 유한요소모델을 구성하고 피로검토에 적용할 수 있도록 활하중에 대하여 구조해석을 수행하였다. 단경간과 다경간, 직선교와 곡선교에 대하여 보 요소를 사용한 모델의 해석결과를 실제 구조물의 거동과 가장 유사할 것으로 예상되는 쉘 요소 모델의 해석결과와 비교하여 보 요소 모델의 적용 타당성을 검토하였다. 주 거더에 발생한 최대인장응력을 비교한 결과, 직선교에서는 단경간과 다경간의 경우 모델(2)와 모델(3)은 모델(1)과 비교해 모두 5% 미만의 차이를 보이는 반면 곡선교에서는 단경간의 경우 모델(2)는 17%, 모델(3)은 13% 증가하였고 다경간의 경우 10%와 15% 증가하였다. 따라서 직선교는 유한요소해석모델에 따른 응력의 차이가 크지 않는 것으로 나타났으며, 곡선교는 경간의 구성에 따라 단경간의 경우에는 모델(2)보다 모델(3)을 사용는 것이 합리적이고 다경간의 경우에는 모델(2)를 사용하는 것이 더 합리적인 것으로 나타났다. Now a days it is a general practice to use FEM program to make structural analysis. In the most eases of bridge design practice, beam element model is normally used in order to get rapid results with less efforts and time. However the accuracy of the structural analysis is dependent on the FEM model, which is used for analysis. For the different types of composite bridge, there are seldom cases which examine the applicability of beam element models with sufficient of the analysis results. According to the types of finite elements used for deck concrete slab and plate girder, (1)Shell element model, (2)Shell-beam element model, and (3)Beam element grid model are used for the analysis of steel-concrete composite bridges under DB24, standard design truck load. For the bridges, simple and continuous span, straight and horizontally curved, the FEM calculating results with Beam element grid models were compared with those with Shell element models which are expected to be closer to the actual behaviour of the bridges. When the calculated maximum tensile stresses on the plate girder, for the simple and continuous span straight bridges, the stresses of the Shell-beam element model and Beam element grid model are similar to that fo the Shell element model with less than 5% differences. But, for the horizontally curved bridges, the stresses of the model(2) and (3) are greater than that of model(1) by 17% and 13% respectively for simple span and 10% and 15% for continuous span bridge.

전남 사회적경제기업 유통 활성화 방안에 관한 연구 : 전남상사 사회적협동조합을 중심으로

김형윤 목포대학교 경영행정대학원 2021 국내석사

Economic problems such as low growth and low employment at home and abroad, and social problems such as poverty and economic polarization, have emerged, and the social economy has become a solution to create quality jobs, overcome economic and social problems such as unemployment, poverty and class conflict. Like other developed countries, Korea's social economy-related policies were implemented through the Ministry of Public Administration and Security's enactment of the Independent Community Project Pilot Act in 2010 and the National Basic Living Security Act in 2012. The government has been pushing for various direct and indirect support policies, including intensive support for labor costs, based on related laws and projects. In this study, domestic research papers, academic journals, and books related to social economy and public purchase were collected and used as literature research materials, and related laws and local government ordinances were also used. In order to refer to the latest data, the Ministry of Employment and Labor, the Ministry of Strategy and Finance, and the Korea Social Enterprise Promotion Agency. The government's social economic support policy for social economy revitalization, public institution's social enterprise product 2019 and 2020 purchase plan. In this study, based on prior research and performance analysis, we would like to make policy suggestions related to the promotion of distribution of social and economic enterprises in Jeollanam-do as follows: First, it is urgent to enact the Framework Act on Social Economy and the Special Act on the Purchase Promotion and Market Support of Social Economy Enterprise Products, and to revise the Jeollanam-do Ordinance, and to supplement the support agency's effective operation policy. Second, without the will and effort of the heads of public institutions and purchasing managers, it would only meet the legal purchase rate. Therefore, it is necessary to force elected heads of public institutions to make pledges, and to force appointed heads of public institutions to present goals and proportions of public purchase through appointment pledges. Third, it is necessary to create an environment for purchasing managers of public institutions in need and social economy companies to supply products. Currently, Jeollanam-do Corporation has a Jeonnam Public Purchasing Platform that can easily purchase and compare social economy products, but lack detailed information. Fourth, revitalizing the distribution of social and economic enterprises in Jeollanam-do should be supported by self-rescue efforts to foster social entrepreneurship and be competitive independent of the government's protection and support. Lastly, I hope that the measures to revitalize the distribution of social and economic enterprises in Jeollanam-do Province, which were presented through this study, will help expand the market not only for social and economic companies but also for socially disadvantaged companies that need to buy first. 국내ㆍ외적으로 저성장ㆍ저고용 등의 경제문제와 빈곤ㆍ경제적 양극화 등의 사회문제가 대두되고 있으며, 세계적으로 시장경제의 효율성을 살리면서 양질의 일자리를 창출하고, 실업과 빈곤ㆍ계층간의 갈등 등 경제ㆍ사회 문제를 극복하고 양극화를 완화할 수 있는 해결책으로 사회적경제에 주목하게 되었다. 우리나라 사회적경제는 다른 선진국들과 마찬가지로 경기침체, 가계부채 증가, 저출산 고령화, 실업률 증가 등의 새로운 사회적 위험이 증가함에 따라 새로운 사회정책의 필요성이 대두되어 2007년 “사회적기업 육성법” 2010년 행정안전부의 “자립형 지역공동체사업 시범추진” 2012년 “협동조합 기본법” 제정과 2012년 “국민기초생활 보장법” 개정 등을 통해 사회적경제 기업 관련 정책을 시행하였다. 정부에서는 관련법 및 사업을 근거로 인건비의 집중지원 등 다양한 직ㆍ간접적인 지원정책을 추진해오고 있다. 이에 본 연구에서는 사회적경제와 공공구매 관련 국내 연구논문, 학술지, 서적 등을 수집하여 문헌연구 자료로 활용하였으며, 관련법규ㆍ지방자치단체 조례 등도 활용하였다. 가장 최근의 자료를 참고하기 위하여 고용노동부와 기획재정부, 한국사회적기업진흥원 자료를 참고 및 분석하고, 전남 사회적경제기업들의 공공 및 민간부문에 대한 사회적경제 활성화를 위한 정부의 사회적경제기업 지원정책과 공공기관 우선구매 제도와 고용노동부의 공공기관의 사회적기업 제품 2019년 구매실적과 2020년 구매계획 자료를 분석하였으며, 전남상사 사회적협동조합의 현황과 사례를 살펴보며 이에 대한 문제점과 개선사항을 파악하여 전남 사회적경제기업 유통 활성화 방안에 대한 정책적 제언을 하고자 하였다. 본 연구에서는 선행연구와 실적 분석을 바탕으로 다음과 같이 전남 사회적경제기업 유통 활성화와 관련한 정책적 제언을 하고자 한다. 첫째, 지원정책을 수립하고 실행하는 법적 근거인 “사회적경제기본법” 및 “사회적경제기업제품 구매촉진 및 판로지원에 관한 특별법”의 제정이 시급하며, 더불어 “사회적기업 육성법”의 개정과 전라남도 조례의 개정, 지원기관의 실효성 있는 운영방침 등 제도적인 보완 등이 필요하다. 둘째, 공공기관장과 구매담당자의 의지와 노력이 없다면 법적 구매비율을 충족하는데 그치고 말 것이다. 이에 선출직 공공기관장에게는 공약사항으로, 임명직 공공기관장에게는 임명 서약 등으로 공공구매 목표와 비율을 제시하도록 하는 등 사회적인 약속으로 강제하는 방안이 필요하다고 본다. 셋째, 수요가 필요한 공공기관 구매담당자와 제품을 납품할 사회적경제 기업이 편리하게 구매와 공급을 할 수 있도록 환경을 조성해야 하며, 현재 전남상사 사회적협동조합에서는 간단하게 사회적경제 상품을 조회하고 비교하여 구매까지 쉽게 할 수 있는 전남 공공구매 플랫폼이 준비되어 있으나 기업 및 제품의 상세정보가 부족하고, 플랫폼 운용법을 숙지하지 못하는 등 운용상의 여건이 부족하여 구매 담당자들의 정보 접근성을 강화하는 것이 필요하다. 넷째, 사회적경제기업 유통 활성화는 전남 사회적경제 기업인들의 최종 몫으로써 정부의 보호와 지원에서 독립하여 사회적기업가 정신을 함양하고 경쟁력을 갖추어 나가는 자구노력이 뒷받침되어야 한다. 마지막으로 본 연구를 통하여 제시된 전남 사회적경제기업 유통 활성화 방안이 사회적경제기업 뿐만 아니라 우선구매가 필요한 사회적 약자기업들의 판로 확대에도 도움이 되었으면 하는 바램이다.

HVPE 성장법을 이용한 고품질 베타-산화갈륨 에피택시 성장

김형윤 부경대학교 대학원 2023 국내석사

Gallium oxide (Ga2O3) is one of the ultra-wide-bandgap semiconductor materials and can be used as a high-power electronic material. Recently, many studies have been conducted on the β-Ga2O3, which is the most stable of the five phases of Ga2O3. In particular, various experiments have been conducted on high-quality thin film growth in order to utilize it as a high-power device, but the growth rate is low and it is difficult to adjust the doping concentration. In this study, it was attempted to suppress the pre-reaction of precursors by adding HCl flow in the growth process of Halide Vapor Phase Epitaxy (HVPE) method. The surface morphology and electrical property of the β-Ga2O3 epilayer were dynamically changed according to the flow rate of additional HCl gas. The β-Ga2O3 epitaxial growth rate increased up to 20 times, and the Si doping concentration increased linearly. As the flow rate of SiH4 gas increased, the carrier concentration was adjusted from 3.67×1017 ea/cm3 to 2.32×1019 ea/cm3. In addition, initial growth control was attempted to reduce defects inside the epitaxy, and the density of bullet-type defects was reduced to 105 ea/cm2.

2차원 OPMT개발을 위한 자기 변형 초음파 변환기 설계 및 제작

김형윤 서울대학교 대학원 2007 국내석사

Noble Methods for Improvement of Electrical Performance of Metal Induced Lateral Crystallized Thin Film Transistor

김형윤 서울대학교 대학원 2018 국내박사

금속유도 결정화에 의해 제작된 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터는 액티브 매트릭스 평판 디스플레이에 사용하기에 매력적이다. 그러나, 금속유도 결정화에 의해 제작된 실리콘 박막의 결정 입계에는 니켈 실리사이드가 존재하며, 이러한 니켈 실리사이드는 큰 누설 전류를 유발한다. 본 연구에서는 게터층으로 비정질 실리콘, 에치 스톱층으로 실리콘 산화막을 사용하여 니켈 불순물을 제거하는 게터링 방법을 이용하여 금속유도 결정화 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 누설 전류를 감소시켰다. 금속유도 결정화 다결정 실리콘 박막의 니켈 트랩 상태 밀도가 게터링에 의해 감소하였으며, 그 결과 금속유도 결정화 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 누설 전류가 감소하였다. 또한, 게터링 횟수가 증가 할수록 금속유도 결정화 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 누설 전류가 점차적으로 감소 하였다. 이러한 게터링에 의한 누설전류 감소 효과를 설명하기 위해 적절한 모델을 제시하였다. 또한 게터링을 니켈 실리사이드 유도 측면결정화 다결정 실리콘 박막 트랜지스터에 적용하여 누설 전류를 더욱 감소 시켰다. 금속유도 측면결정화에 의해 제작된 다결정 실리콘 박막 트랜지스터는 대규모 액티브 매트릭스 평판 디스플레이의 스위칭 및 구동 소자로서 매력적인 장치 중 하나이다. 하지만 금속유도 측면결정화에 의해 제작된 다결정 실리콘 박막 트랜지스터는 누설전류가 크다는 단점을 가지고 있다. 금속유도 측면결정화 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 누설 전류는 게이트 절연체와 다결정 실리콘 활성층 사이의 계면에서 니켈 불순물에 기인한 하전된 트랩 상태에 의해 유도되고, 트랩 상태는 게이트와 드레인 사이의 높은 전계에 의해 활성화된다. 본 연구에서는 2중 노광 방법으로 드레인 오프셋 영역을 형성하여 금속유도 측면결정화 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 누설전류를 감소시켰다. 본 연구에서는 boron 이 금속유도 측면결정화 성장 속도에 미치는 영향을 토대로, boron이 비정질 실리콘의 결정화에 미치는 영향에 대하여 연구하였다. 저압 화학 기상 증착법 및 플라즈마 강화 화학 기상 증착법으로 증착된 비정질 실리콘은 boron에 의한 결정화에 있어 상이한 결과를 보였다. 저압 화학 기상 증착법으로 증착된 비정질 실리콘에 boron 을 도핑 하였을 경우, 니켈을 증착하지 않아도 560℃에서 2시간 내에 실리콘이 결정화 되었지만 플라즈마 강화 화학 기상 증착법으로 증착된 비정질 실리콘은 boron 이 도핑 되어도 니켈 없이는 결정화가 되지 않았다. 하지만 플라즈마 강화 화학 기상 증착법으로 증착된 비정질 실리콘에 boron 을 도핑 할 경우 금속유도 측면결정화 성장 속도가 상당히 증가하였다. 수소 분위기에서 열처리 할 경우 금속유도 측면결정화 성장 속도가 감소하였으며, boron 에 의해 결정화된 실리콘의 면저항이 증가 하였다. 본 연구에서는 이러한 원인을 규명하기 위해 boron 에 의한 실리콘 결정화의 적절한 모델을 제시하였다. 일반 유리기판과 열처리된 유리기판 위에 금속유도 측면결정화 다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 제작하여 압축응력이 금속유도 측면결정화 성장 속도 및 전기적 특성에 미치는 영향을 연구하였다. 유리기판의 수축을 억제하기 위해 사전에 550℃에서 40시간동안 유리기판을 열처리하였다. 결정화 및 전기적 활성화 후 일반 유리기판의 변형률은 0.0067% 이었고 열처리된 유리기판의 변형률은 0.0012% 이었다. 일반 유리기판 위에서의 금속유도 측면결정화 성장 속도는 열처리된 유리기판 위에서의 금속유도 측면결정화 성장 속도 보다 느렸다. 유리기판의 수축으로 인한 압축변형은 다결정 실리콘 박막에 마이크로 크랙 및 공극을 증가 시킨 것으로 생각 되며, 그 결과 일반 유리기판 위에 제작된 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 의 field effect mobility, threshold voltage, subthreshold slope 이 악화 된 것으로 볼 수 있다. 그리고 일반 유리기판 위에 제작된 다결정 실리콘 박막 트랜지스터는 소자 위치에 따른 불균일한 전기적 특성을 보였다. 반면에, 열처리된 유리기판 위에 제작된 다결정 실리콘 박막 트랜지스터는 뛰어난 전기적 특성과 소자 위치에 따른 균일한 전기적 특성을 보였다. Low-temperature polycrystalline-silicon (poly-Si) thin-film transistors (TFTs) fabricated via metal-induced crystallization (MIC) are attractive candidates for use in active-matrix flat-panel displays. However, these exhibit a large leakage current due to the nickel silicide being trapped at the grain boundaries of the poly-Si. We reduced the leakage current of the MIC poly-Si TFTs by developing a gettering method to remove the Ni impurities using a Si getter layer and natively-formed SiO2 as the etch stop interlayer. The Ni trap state density (Nt) in the MIC poly-Si film decreased after the nickel silicide gettering, and as a result, the leakage current of the MIC poly-Si TFTs decreased. Furthermore, the leakage current of MIC poly-Si TFTs gradually decreased with additional gettering. To explain the gettering effect on MIC poly-Si TFTs, we suggest an appropriate model. Gettering method was also applied to nickel silicide seed induced lateral crystallized (SILC) poly-Si TFTs. Although the nickel silicide was already reduced by SILC, the nickel silicide in the SILC poly-Si film could be further reduced through gettering. As a result, the leakage current of the SILC poly-Si TFTs decreased. Poly-Si TFT fabricated by metal-induced lateral crystallization (MILC) is an attractive candidate for switching and driving elements in large-scaled active-matrix flat-panel displays. However, the MILC poly-Si TFTs have a large leakage current. The leakage current of MILC poly-Si TFTs is induced by charged trap state which is originated from Ni impurities at the interface between gate insulator and poly-Si active layer, and the trap state is activated by high electric field between the gate and the drain. In this study, we developed a double exposure method to form drain offset region. The leakage current of MILC poly-Si TFTs fabricated by double exposure method drastically decreased. In this study, based on the effect of boron on MILC growth rate, we investigated the effects of boron on the crystallization of amorphous silicon (a-Si). Low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) a-Si and plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) a-Si showed different tendencies in crystallization by boron. When LPCVD intrinsic a-Si was doped with boron, a-Si was crystallized without Ni at 560 °C within 2 h, whereas boron-doped PECVD a-Si was not crystallized without Ni. However, the MILC growth rate of boron-doped PECVD a-Si significantly increased. The MILC growth was suppressed when annealed in hydrogen ambient, and the sheet resistance of boron-induced crystallized Si annealed in hydrogen ambient was higher than that annealed in vacuum. To elucidate these phenomena, we suggested an appropriate model of boron-induced silicon crystallization. MILC poly-Si TFTs were fabricated on the compacted glass and the bare glass substrate, and we investigated compressive stress effects on MILC growth rate and electrical properties of MILC poly-Si TFTs. We compacted the glass at 550 °C for 40 h to suppress glass substrate shrinkage. The strain rate of the bare glass substrate was 0.0067% and that of the compacted glass substrate was 0.0012% after crystallization and electrical activation. The MILC growth rate on the bare glass substrate was lower than that on the compacted glass substrate. Compressive strain resulting from glass substrate shrinkage generally increases the size of the micro-cracks and vacancies in Si film, and as a result, field effect mobility, threshold voltage and subthreshold slope of the MILC poly-Si TFTs fabricated on the bare glass substrate deteriorated. The uniformity of electrical properties of MILC poly-Si TFTs was degraded on the bare glass substrate. On the other hand, the MILC poly-Si TFTs fabricated on the compacted glass substrate showed excellent uniformity of electrical properties.

불순물이 금속유도측면결정화의 속도에 미치는 영향에 관한 연구

김형윤 서울대학교 대학원 2014 국내석사

저온폴리실리콘(low temperature poly-Si : LTPS) 박막트랜지스터(thin film transistor : TFT)는 active matrix liquid crystal display(AMLCD)와 active matrix organic light emitting diode(AMOLED)등에 유용하게 쓰인다. LTPS TFT를 제작하는 방법에는 여러가지가 있으며, 그 중 금속유도측면결화 (metal induced lateral crystallization : MILC)법이 다른 방법들에 비해 많은 장점들을 가지고 있어 그 동안 많은 연구들이 진행되어 왔다. 하지만 주로 intrinsic Si 의 MILC growth mechanism에 대하여 연구되어 왔으며. 그 결과 dopant 가 MILC rate 에 미치는 영향에 대해서는 계속 논쟁 중에 있다. 본 연구에서는 doping, 실리콘 박막의 quality, 열처리시의 분위기 등이 MILC rate에 미치는 영향에 대해 연구하였다. Phosphorus를 doping 한 경우에는 실리콘 박막의 종류에 상관없이MILC rate이 현저히 감소하였고, 플라즈마 향상 화학기상증착 실리콘 (plasma enhanced chemical vapor deposition silicon : PECVD Si)에 boron 을 doping 하였을 경우에는 MILC rate이 증가하였으며, 저압 화학기상증착 실리콘(low pressure chemical vapor deposition silicon : LPCVD Si)에 boron을 doping하였을 경우에는 Ni의 도움 없이도 500℃ 정도의 열처리에 의해 비정질 실리콘(amorphous silicon : a-Si)의 결정화가 일어났다. 그 외의 조건에서 결정화가 빨리 일어나는 순서는 다음과 같다. (괄호 안은 550℃ 에서 2시간동안 열처리 하였을 때 MILC 현상에 의해 결정화된 길이이다.) PECVD boron doped Si in vacuum (58 um), PECVD boron doped Si in H2(31um), LPCVD intrinsic Si in vacuum (29 um), LPCVD intrinsic Si in H2 (19 um), PECVD intrinsic Si in vacuum (11um), PECVD intrinsic Si in H2 (8um). PECVD phosphorus doped Si in H2 (6um), PECVD phosphorus doped Si in vacuum (5um), LPCVD phosphorus doped Si in H2 (4um), LPCVD phosphorus doped Si in vacuum(2um). 그리고 vacuum 에서 열처리 시 PECVD intrinsic Si 의 경우 Ni 이 증착 된 아래 영역에만 boron을 doping 하였을 때 PECVD intrinsic Si 보다 MILC rate이 절반가량 감소하였으며, phosphorus 를 doping 하였을 때 에는 MILC rate의 차이가 거의 없었다. 이러한 현상들을 설명하기 위해 적합한 모델을 제시하였다. In this Study, we examined the effects of dopants, the quality of the silicon thin film, and annealing conditions on the metal-induced lateral crystallization (MILC) phenomenon. When amorphous silicon (a-Si) was doped with phosphorus, MILC barely occurred. Low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) boron-doped Si crystallized without nickel at 500°C. Under other conditions, MILC lengths were as follows (lengths in parentheses are the MILC length after annealing at 550°C for 2 hours): plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) boron-doped Si in a vacuum (58 μm), PECVD boron-doped Si in H2 (31 μm), LPCVD intrinsic Si in a vacuum (29 μm), LPCVD intrinsic Si in H2 (19 μm), PECVD intrinsic Si in a vacuum (11 μm), PECVD intrinsic Si in H2 (8 μm), and when PECVD intrinsic Si was doped with boron only under the Ni-deposited area, the MILC rate decreased to about half of that of PECVD intrinsic Si. However, when PECVD intrinsic Si was doped with phosphorus only under the Ni-deposited area, the MILC rate was almost the same as that of PECVD intrinsic Si. To explain these phenomena, we suggest an appropriate model.

N-Vinyl phthalimidine과 Styrene의 混成 重合

김형윤 朝鮮大學校 1984 국내석사

The free radical copolymerization of N-vinyl phthaltmidine with styrene initiated by benzoil peroxide was studied, The monomer reactivity ratios for the monomer pair determined at 60℃ were; r_(1) (NVP)= 0,062 r_(2) (styrene)=4.34 The values of Q and e for the N-vinyl phthalimidine were calculated to be 1.45 and -0.79 by Alfrey Price's equation, The statistical analysis for the monomer sequence distribution and mean sequence length showed that the copolymers formed these two monomers are of alternating tendency, and it is shown that the copolymerization could be performed by penultimate unit effect. The relatively low value of r_(l) r_(2)(0.269) also products the same conclusion. The themal properties of copolymers were also examined by the differential scanning calorimetery and the thermogravimetry, The copolymer melts slowly in the range of 80℃-100℃ and becomes to decompose at 350℃.

호텔事業計劃의 損益豫算에 관한 硏究 : 收益的 支出을 中心으로

김형윤 慶熙大學校 經營大學院 1982 국내석사

1980년대 한국 잡지의 구조적 특성에 대한 연구

김형윤 中央大學校 1990 국내석사