OLED 패널 위한 PLD 공정 개발

김창교,노일호,장석원 순천향대학교 부설 산업기술연구소 2004 순천향 산업기술연구소논문집 Vol.10 No.2

Organic light emitting diode panel was fabricared using pulsed laser deposition (PLD) method. Nd-YAG laser with Q-Switched and 355 nm pulse was used for the PLD processes. While TPD(N,N'-Di-[naphthaleny]-N,N'-dipheny]-benzidine) was used as a HTL(hole transport layer), Alq_(3)(8-Hydroxyquinoline, Aluminum Salt) was used as EML/ETL(emitting layer/electron transport layer). Organic pellet was fabricated and employed as a target for the PLD method. The absorbances of the organic films were investigated and the measured absorbance values of TPD and AIq_(3) films were 362㎚ and 399㎚, repectively. The turn-on voltage of the OLED panel was 7.5 V and its luminance was 90 ㏅/m^(2).

$Pt/MoO_{3}$ 구조를 이용한 가스 센서의 개발

김창교,김진걸,유광수,최용일,한득영 한국결정성장학회 1996 韓國結晶成長學會誌 Vol.6 No.2

Pellet type $Pt/MoO_{3}$ gas sensor which is operating at much lower temperature than conventional ceramic sensors such as $SnO_{2}$ or ZnO was fabricated. Morphology and crystal structure of $Pt/MoO_{3}$ according to calcination temperature have been characterized with Transmission Electron microscopy and X-Ray powder diffraction. The characterization indicates that as calcination temperature is increased, overlayers of $MoO_{3}$ on Pt are produced, but additionally, the Cl content associated with the Pt phase diminishes. The gas dasorption test showed that the change in surface morphology is closely related to hydrogen storage capacity of the sample. The gas sensitivities at $50^{\circ}C$ and $150^{\circ}C$ are very high. $300^{\circ}C$ 이상의 고온에서 동작하는 전통적인 $SnO_{2}$ 또는 ZnO와 같은 전통적인 세라믹 가스 센서보다 훨씬 낮은 온도에서 동작이 가능한 $Pt/MoO_{3}$ 가스 센서를 pellet 형으로 제작하였다. $Pt/MoO_{3}$ 가스 센서의 하고 온도(calcination temperature)에 따른 표면구조의 변화와 결정구조의 변화가 투과전자현미경(transmission electron microscopy)과 X-선 회절시험에 의하여 조사되었다. 투과전자현미경 사진으로부터 하소 온도가 증가할수록 시편에서 $PtCl_{x}$에서 Cl의 양이 줄어드는 것과 Pt위에 $MoO_{3}$의 얇은 막(overlayer)이 형성되어 있다는 것을 보여준다. 가스 흡착 시험 결과 표면구조의 변화에 따라서 시편의 수소 저장 능력이 변화함을 보여주었다. $50^{\circ}C$와 $150^{\circ}C$에서 수소가스 감지도를 측정한 결과 매우 우수한 결과를 보여 주었다.

산소 분위기에서 CAIS 캐패시터의 SnOx 층에서의 이동 이온 전하의 특성

김창교 순천향대학교 부설 산업기술연구소 1998 순천향 산업기술연구소논문집 Vol.3 No.3

산소 가스 감지가 가능한 CAIS 캐패시터가 제작되었다. CAIS 구조에서 촉매로 Pd가 사용되었고 가스흡착층으로서 SnOx층을 사용하여서 산화물 반도체가 250℃이상의 온도에서 동작하는 것에 비하여 상온에서 산소 가스를 감지하는 것이 가능하였다. CAIS 캐패시터에 흡착된 산소 이온 농도를 TVS 법을 이용하여서 측정하였다. TVS 측정 결과와 고주파 C-V 측정 결과를 비교한 결과 CAIS 캐패시터의 산소 가스 감지 구조가 SnOx층에서의 이온의 이동에 의한 것임을 확인하였다.

22.9kV 다중 접지 지중 전력 케이블의 가압 상태 진단에 관한 기초 연구

김창교,홍진수,정영호,Kim, Chang-Gyo,Hong, Jin-Su,Jeong, Yeong-Ho 대한전기학회 1999 전기학회논문지C Vol.48 No.10

An experimental study to identify the energized status of the 22.9kV underground power cable by the detection of vibration has been performed. We have derived that there exists vibration at double the line frequency in live cables by electromagnetic force. The relative amplitudes of the cable vibration according to the energized status of the cable were calculated by computer simulation. The cable vibration can also be picked up by accelerometer. A prototype was tested on the underground distribution system in Chonan substation, KEPCO. Comparison between simulation results and field test results was performed. The results showed that the energized status of the calble can be identified by measuring the vibration of the cable using accelerometer.

센서,기능성 박막 ; Pt-WO3-Si3N4-SiO2-Si-Al 캐패시터를 이용한 NO2 가스 센서

김창교,이주헌,이영환,안달,유광수 한국전기전자재료학회 1999 전기전자재료학회논문지 Vol.12 No.4

낮은 접촉저항을 갖는 Ni/Si/Ni n형 4H-SiC의 오옴성 접합

김창교,양성준,조남인,유홍진 대한전기학회 2004 전기학회논문지C Vol.53 No.10-C

Characteristics of ohmic Ni/Si/Ni contacts to n-type 4H-SiC are investigated systematically. The ohmic contacts were formed by annealing Ni/Si/Ni sputtered sequentially. The annealings were performed at 950℃ using RTP in vacuum ambient and N2 ambient, respectively. The specific contact resistivity(ρc), sheet resistance(Rs), contact resistance (Rc), transfer length(LT) were calculated from resistance(RT) versus contact spacing(d) measurements obtained from TLM(transmission line method) structure. While the resulting measurement values of sample annealed at vacuum ambient were ρc = 3.8×10-5Ω㎠, Rc = 4.9 Ω and RT = 9.8 Ω, those of sample annealed at N2 ambient were ρc = 2.29×10-4Ω㎠, Rc = 12.9 Ω and RT = 25.8 Ω. The physical properties of contacts were examined using XRD and AES. The results showed that nickel silicide was formed on SiC and Ni was migrated into SiC. This result indicates that Ni/Si/Ni ohmic contact would be useful in high performance electronic devices.

스퍼터링법으로 제작한 WO₃ 박막을 이용한 NO₂ 마이크로 가스센서에 관한 연구

김창교,이영환,노일호,유홍진,유광수,기창진 한국산학기술학회 2003 한국산학기술학회논문지 Vol.4 No.3

평면형 마이크로가스센서를 MEMS 기술을 이용하여 제작하였다. NO₂ 가스의 감지를 위한 감지물질로서 이용되는 WO₃ 박막은 텅스텐 타켓을 스퍼터링한 후에 1시간 동안 여러 온도에서 열산화법에 의해 형성하였다. NO₂ 감도(RgaslRair) 는 열처리 온도에 따른 WO₃ 박막에 대해 조사하였다. 동작온도가 200℃ 일 때 600℃ 에서 열처리한 시편의 NO₂가스감도가 가장 높았다. XRD의 결과는 열처리한 시편은 triclinic 구조와 orthorhombic 구조가 혼합된 다결정상올 보여주었다. 또한 시편은 triclinic 구조가 적을수록 더 높은 가스 감도를 보여주었다. 600℃에서 열처리한 시편의 20℃의 동작온도일 때 5 ppm NO₂ 가스감도는 약 90이었다. A flat type micro gas sensor was fabricated on the p-type silicon wafer with low stress Si₃N₄, whose thickness is 2 ㎛, using MEMS technology. WO₃thin film as a sensing material for detection of N02 gas was deposited using a tungsten target by sputtering method, followed by thermal oxidation at several temperatures (400℃-600℃) for one hour. NO₂ sensitivities were investigated for the WO₃ thin films with different annealing temperatures. The highest sensitivity was obtained for the samples annealed at 600℃ when it was operated at 200℃. The results of XRD analysis showed the annealed samples had polycrystalline phase mixed with triclinic and orthorhombic structures. The sample exhibits higher sensitivity when the system has less triclinic structure. The sensitivities, R_gas/R_aid operating at 200℃ to Sppm NO₂of the sample annealed at 600℃ were approximately 90.

SiC 반도체를 이용한 고온용 가스센서 기술

김창교,조남인 한국전기전자재료학회 2002 전기전자재료 Vol.15 No.6

SiC 쇼트키 장벽 다이오드를 이용한 CO 가스 감지 특성에 관한 연구

김창교,노일호,조남인,유홍진,기창진 한국산학기술학회 2004 한국산학기술학회논문지 Vol.5 No.1

고온용 마이크로 전자소자를 이용한 일산화탄소 가스센서를 개발하였다.100~300℃의 영역에서 가스 감지 특성을 조사하였다. 센서의 가스 감도는 높고, 감지속도는 빠르고 센서는 재현성을 보여 주었다. Pt-SiC 및 Pt-SnO₂ 다아오드는 표준 반도체 공정을 이용하여 제작하였다. CO 가스 감지 특성은 정상상태 및 과도 상태의 조건아래에서 I-V 및 △I-t법을을 이 용하여 CO 가스 농도와 온도의 함수로서 분석하였다. Pt-SnO₂ 촉매 층을 갖는 소자의 가스 감도가 Pt 게이트만으로 이루어 진 소자보다 높았다. 실험 결과는 SnO₂ 충이 Pt 막의 촉매 반응을 향상시키는 것을 보여주었다. A high temperature tolerant microelectronic-based carbon monioxde(CO) gas sensor has been developed. The gas sensing performance has been studied over a wide temperature range(100~300℃). The gas sensitivity of the sensor is high, its initial sensing behavior is very fast, and the sensor is reproducible. Pt-SiC and Pt-SnO₂-SiC diodes are fabricated using standard semiconductor processes and their CO gas-sensing behaviors are analyzed as a function of CO gas concentration and temperature by I-V and △I-t methods under steady-state and transient conditions. The sensitivity of the device with Pt-SnO₂ catalytic gate is higher than that of the Pt gate. The experimental results indicate that SnO₂ layerimproves the catalytic reaction of the Pt layer.

불산 농노변화에 따른 실리콘 초기 직접접합에 관한 연구

김창교,이주헌,이재홍,노일호,양성준 순천향대학교 부설 산업기술연구소 2001 순천향 산업기술연구소논문집 Vol.7 No.2

A new method using HF solution for direct bonding of two silicon wafers at room temperatyre was developed. The HF bonding was carried out with 1.5% HF solution with 1 Kgf/cm2. The characteristics of the bonded samples were measured under different bonding conditions according to HF concentrations and applied pressure to the samples. With an evaluation of the new bonding method, we confirmed that the method ensures enough strength, air tightness and optical property. An advantage of this method is simplicity of bonding process in comparison with a conventional thermal bonding method. The boned interface and void were analysis by SEM and RARM camera.