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불확정성을 갖는 최적 선형 시스템의 강인 안정성 및 성능
김진훈 慶尙大學校 工科大學 自動化및컴퓨터應用技術硏究所 1994 自動化 및 컴퓨터應用技術 Vol.1 No.1
In this paper, we consider the robust stability and quadratic performance of uncertain linear systems which is designed by optimal control based on nominal systems. First, we derive some sufficient conditions that guarantee the asymptotic stability of the uncertain controlled systems. Next, with the assumption that the uncertain controlled system is stable, we derive an upper bound of a quadratic performance of uncertain systems.
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김진훈,배덕효,장기효,조천호 한국수자원학회 2002 한국수자원학회논문집 Vol.35 No.1
본 연구에서는 TOPMODEL의 매개변수 m, 에 따른 토양수분 변동성을 검토하고, 일단위 관측 지하수위자료를 이용하여 모형내 포화층에서의 흐름인 지하유출과의 상대적 비교 및 유역출구에서의 관측유량 및 계산유량을 비교하여 TOPMODEL의 토양수분 모의 능력을 규명하였다. 이를 위해 국제수문개발계획(IHP)의 평창강 상류 상안미 유역을 대상으로 94~98년 사이의 여름철 호우사상과 지하수위자료를 선택하였다. 매개변수 m, 에 따른 TOPMODEL의 토양 The objectives of this study are to analyse model-based soil moisture variations depending on model parameters m and and to evaluate the model performance for the simulation of soil moisture variations by the comparison of observed groundwater levels and
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김진훈,박영원,Kim, Jin Hoon,Park, Young Won 한국시스템엔지니어링학회 2012 시스템엔지니어링학술지 Vol.8 No.1
For the definition of development project, this paper proposes an integrated design model for the project 3P's(Products, Process, and People) architecture solutions balancing the originating requirements as well as the design targets of product, process, and IPDT. The model is suggested to develop the integrated design method with trade-off analysis and alternatives evaluation of products, processes, and IPDT using QFD.
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낮은 온저항을 위한 1.2 kV 급 SiC double trench MOSFETs의 전류 확산층 농도 최적화 설계
김진훈,윤효원,박영은,김상엽,강규혁,백두산,박수민,석오균 대한전기학회 2024 전기학회논문지 Vol.73 No.8
SiC double trench MOSFETs have the advantage of generating a deep P+ layers through the trench source, effectively mitigating electric field crowding at the bottom edge of the gate oxide. However, the depletion region induced by the deep P+ layers narrows the current path between the gate and P+ , resulting in an increase in the on-resistance. In this study, we addressed this problem by introducing CSLs through ion implantation in the 1.2 kV SiC double trench MOSFETs. CSL concentration optimization resulted in a 3.92 % decrease in on-resistance and a 3.19 % increase in the figure of merit. Therefore, the SiC double trench MOSFET with optimized CSL concentration has improved on-resistance characteristics and figure of merit compared to the conventional structure.
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