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      • KCI등재

        다공질규소에 전착된 CdTe 화합물 박막의 특성과 효과

        김영유,이춘우,류지욱,홍사용,박대규,육근철 한국결정성장학회 1999 韓國結晶成長學會誌 Vol.9 No.1

        나노 구조를 갖는 다공질 규소의 표면과 투명하고 전도성을 갖는 접촉방법을 얻기 위해 다공질 규소 표면에 CdTe 화합물 박막을 전착시키는 방법을 시도하였다. CdTe 화합물 박막은 1 M의 $CdSO_4$와 1mM의 $TeO_4$가 혼합된 전해액 속에서 전착 전위 2-2.3V(vs. Ag/AgCl)로 다공질규소의 표면에 전착시켰다. X선 회절 측정결과 다공질규소 표면에 CdTe 화합물 박막이 생성되었음이 확인되었고, AES 분석결과 표면에서 약 80nm 깊이까지 Cd 및 Te 원소가 균일하게 존재하였다. 그리고 CdTe 화합물 박막이 전착된 다공질규소의 PL 특성은 발광의 세기는 약간 검소하였고 최대파장값은 고에너지 쪽으로 이동하였다. 이 결과로 보아 CdTe 전착 박막이 나노 구조를 갖는 다공질규소와 투명하고 전도성을 갖는 접촉물질로 이용될 수 있음이 밝혀졌다. The properties and effects of the electrodeposited CdTe compound film on the porous silicon. To find ways to achieve good mechanical contact on the nanostructure porous silicon layer while keeping the interface transparent, we tried to electrodeposit a CdTe compound film on the porous silicon surface. The CdTe compound film was fabricated with -2.3V vs. Ag/AgCl potential difference in the electrolyte solution containing 1M of $CdSO_4$and 1 mM of $TeO_4$. X-ray diffraction results confirmed the existence of CdTe compound film on the porous silicon surface. Auger depth profile showed that Cd and Te were uniformly distributed up to a 80 nm distance from the surface. The photoluminescence of the sample with a CdTe compound film was weaker in intensity than that without the film and the maximum wavelength was shifted to the higher energy. These results indicate that the contacting CdTe compound film was infiltrated to the nanostructure of porous silicon.

      • KCI등재

        다층구조를 갖는 다공질규소층의 제작과 이의 물성

        김영유,전종현,류성주,이영섭,이기원,최봉수 한국결정성장학회 1999 韓國結晶成長學會誌 Vol.9 No.6

        단결정규소 웨이퍼를 15% HF-에탄올 용액에서 양극 산화시켜 다공질규소를 얻는 과정에서 전류밀도와 에칭시간에 따라 굴절률이 주기적으로 변하는 다층의 다공질규소층(porous silicon multilayers)을 구현하였다. 그리고 다층의 다공질규소층(I), 다공질규소 발광층, 또 다른 다층의 다공질규소층(II)의 순으로 구성된 porous silicon microcavity(PSM)를 제작하고 그 물성을 조사하였다. PSM 상하에 위치한 다층의 다공질규소층의 단면을 AFM(Atomic Force Microscope)으로 조사한 결과 고굴 절률과 저굴절률이 주기적으로 교차하는 층이 균일하게 형성되었으며, 중앙의 다공질규소 발광층도 균일하게 나타났다. 다층의 다공질규소층 및 다공질규소 발광층의 두께를 각각 실효파장의 1/4배 및 2배가 되도록 하였을 때 특정파장의 필터로 쓰일 수 있는 브래그 반사경(Bragg reflector)의 특성이 나타났다. 또한 PSM의 발광 스펙트럼은 그 반치폭이 현저히 감소하고 발광의 세기가 크게 증가되는 경향을 보였다. By periodically varying the current density and etching time during anodic oxidation of crustalline silicon wafers in 15% HF-ethanol solution, we obtained porous silicon multilayers which have periodically varying refractive index. We fabricated the porous silicon microcavity (PSM) which consist of porous silicon multilayers (I), active layer of porous silicon, and porous silicon multilayers (II) and investigated its physical properties. The AFM (Atomic Force Microscope) measurement from the cross section of multilayers (I and II) shows uniformity of high refractive index and low index layers as well as the active layer. We observed the characteristics of Bragg reflector when the thickness of layers was 1/4 and the thickness of active layer was twice of the effective wavelength, which can be used as a filter for specific wavelength. We found the emission characteristic from the PSM, which FWHM (full width half maximum) was considerably decreased and emission intensity was increased.

      • KCI등재

        쪽거리 차원을 통한 다공질규소의 미세구조 분석

        김영유,홍사용,이춘우,류지욱,이기환,최봉수 한국결정성장학회 1999 韓國結晶成長學會誌 Vol.9 No.3

        p형 단결정 규소 웨이퍼를 불화수소 용액속에서 전류밀도와 양극반응 시간을 변화시켜 다공질규소를 제작하고, 그 질량을 측정한 후 이 값으로부터 다공도와 쪽거리(fractal) 차원을 계산하였다. 그 결과 양극반응 시간이 일정한 경우 다공도는 전류밀도에 비례하였다. 그리고 전류밀도가 일정한 경우 여러 양극반응 시간의 데이터로부터 얻은 쪽거리 차원은 일정하였다. 또한 쪽거리 차원은 불화수소의 농도 증가에 따라 감소하였다. 이같은 실험결과를 퍼짐한계침전(diffusion limited depostion) 모형으로 계산된 2차원 컴퓨터 시늉내기(simulation) 결과와 비교 분석하였다. 시늉내기 결과 다공도는 퍼짐거리에 비례하였으며, 쪽거리 차원은 퍼짐거리와 반비례하였다. 이때 퍼짐거리는 전류밀도에 비례하고 불화수소의 농도에 반비례하는 물리량이므로 정성적으로 실험결과와 일치하였다. 그러나 쪽거리 차원이 증가함에 따라 다공도가 감소되는 결과는 실험결과와 상반되었다. Porous silicon layers were fabricated with various conditions of HF concentration and current density. And their masses were measured. From these data, the porosity and fractal dimension were estimated and analyzed. We found that the porosity was proportional to the current density when the anodic reaction time was fixed and the constant values of fractal dimension could be estimated from a series of data with fixed HF concentration. The values of fractal dimension were decreased with increasing HF concentration. The obtained porosity and fractal dimension were compared with the 2-dimensional computer simulation based on diffusion limited deposition model. According to the simulation, the porosity was proportional to the diffusion length and the fractal dimension was inversely proportional to the diffusion length. Since, the diffusion length is proportional to current density and inversely proportional to base concentration, our experimental data qualitatively agreed with the results from the simulation. The porosity obtained by experiments, however, was not consistent with the results by simulation.

      • KCI등재후보

        다공질규소 microcavity 의 공진 특성

        김영유,전종현,안은준,이기원 한국물리학회 2002 새물리 Vol.44 No.4

        To enhance the photoluminescence intensity from porous silicon, we fabricated a porous silicon microcavity and investigated its photoluminescence resonance properties. The porous silicon microcavity was formed with a porous silicon active layer in the middle and sandwiched in between two multi-layered Bragg reflectors. We found that compared with a porous silicon single layer, the peak value of the emission intensity increased and the full width at half maximum value of the photoluminescence resonance noticeably narrowed when a microcavity structure was used. 다공질규소에서 발광의 강도를 증가시키기 위한 방안을 얻기 위해 다공질규소 microcavity를 제작하고 그 공진 특성을 조사하였다. 다공질규소 microcavity의 구조는 중앙에 발광층(active layer)을 두고 그 상부와 하부에 다층박막으로 구성된 브래그 반사경(Bragg reflector)으로 되어 있다. 다공질규소 microcavity에서 발광의 강도가 증가되고 반치폭이 현저히 감소되는 공진 특성이 얻어졌다.

      • Na^+이온이 다공질 실리콘의 Electroluminescence 특성에 미치는 영향

        김영유,이춘우 公州大學校 基礎科學硏究所 1995 自然科學硏究 Vol.4 No.-

        p형 단결정 규소 기판을 10%HF-ethanol 용액에서 양극처리하여 표면에 다공질 규소층 (porous Si layer)을 형성시키고, 0.2M Na2SO4용액에서 양극산화시켜 다공질 규소/전해질 계면에서 일어나는 EL을 관찰하였다. EL은 양극산화의 진행에 따라 강도가 점차 증가하여 포화되었다가 사라졌으며, 발광 도중에도 봉우리 파장은 단파장 쪽으로 이동하였다. 이러한 현상은 다공질층의 표면에 존재하는 Si-H결합의 규소밀도와 양자 크기 효과의 증대로 설명할 수 있었다. 그리고 EL의 봉우리 파장은 다공질 규소층의 형성 시간이 길수록 장파장 쪽으로 이동하였으며, 이것은 접촉 전해질에 들어 있는 Na+이온의 영향으로 해석되었다. Porous Si layers(PLS) were formed on the degenerated p-type(100) Si wafers by electrochemical anodization in 10% HF-ethanol solution. Electroluminescence(EL) from PLS/electrolyte interface by anodic oxidation in 0.2M Na2SO4 solution was investigated. EL increased, saturated, and finally diminished as anodic oxidation proceeded. The longer preparation time, the lower emitted photon energy, the shorter duration of EL, and the bigger total integrated intensity. Red shift of peak wavelength of EL was interpreted as a influence of Na+ ions in electrolyte solution. The proportionality of intensity and duration of EL, and blue shift of the peak wavelength during oxidation were discussed in terms of Si-H bonds on PSL and ehancement of quantum size effect.

      • 다층구조를 갖는 다공질규소층의 제작과 이의 물성

        김영유,전종현,류성주,이영섭,이기원,최봉수 대전산업대학교 반도체기술연구소 2000 半導體技術硏究所報 Vol.2 No.-

        단결정규소 웨이퍼를 15% HF에탄올 용액에서 양극 산화시켜 다공질규소를 얻는 과정에서 전류밀도와 에칭시간에 따라 굴절률이 주기적으로 변하는 다충의 다공질규소층(porous silicon multilayers)을 구현하였다. 그리고 다층의 다공질규소층(Ⅰ) 다공질규소 발광충, 또 다른 다층의 다공질규소층(Ⅱ)의 순으로 구성된 porous silicon microcavity(PSM)를 제작하고 그 물성을 조사하였다. PSM 상하에 위치한 다층의 다공질규소층의 단면을 AFM(Atomic Force Microscope)으로 조사한 결과 고굴절률과 저굴절률이 주기적으로 교차하는 층이 균일하게 형성되었으며, 중앙의 다공질규소 발광층도 균일하게 나타났다. 다층의 다공질규소층 및 다공질규소 발광층의 두께를 각각 실호파장의 1/4배 및 2배가 되도록 하였을 때 특정파장의 필터로 쓰일 수 있는 브래그 반사경(Brag reflector)의 특성이 나타났다. 또한 PSM의 발광 스펙트럼은 그 반치폭이 현저히 감소하고 발광의 세기가 크게 증가되는 경향을 보였다. By periodically varying the current density and etching time during anodic oxidation of crystalline silicon wafers in 15% HF-ethanol solution, we obtained porous silicon multilayers which have periodically varying refractive index. We fabricated the porous silicon microcavity (PSM) which consist of porous silicon multilayers(Ⅰ), active layer of porous silicon, and porous silicon multilayers(Ⅱ) and investigated its physical properties. The AFM (Atomic Force Microscope) measurement from the cross section of multilayers (Ⅰ and Ⅱ) shows uniformity of high refractive index and low index layers as well as the active layer. We observed the characteristics of Bragg reflector when the thickness of layers was 1/4 and the thickness of active layer was twice of the effective wavelength, which can be used as a filter for specific wavelength. We found the emission characteristic from the PSM, which FWHM (full width half maximum) was considerably decreased and emission intensity was increased.

      • KCI등재

        유기증기 접촉에 따른 DBR 다공질규소의 반사율 스펙트럼 변화

        김영유,Horchhong CHENG,장재형,이기원,한중 한국물리학회 2009 새물리 Vol.59 No.4

        To use porous silicon as an organic vapor sensor, we made Distributed Bragg Reflector(DBR) porous silicon and investigated its reflectance spectrum before, during, and after exposure to a organic vapor. During the exposure of DBR porous silicon to isopropanol, ethanol, methanol, and acetone vapors, the reflectance peak shifted toward longer wavelength. The red-shift of the reflectance peak arises from refractive index changes induced by capillary condensation of the organic vapor in the pores of the DBR porous silicon. Also, the red-shift of the reflectance peak appeared to incerase with increasing concentration of the solvent. This experimental results have opened the possibility of gas-sensor development based on variations in the reflectance for DBR porous silicon. 다공질규소를 유기증기의 종류와 농도를 판별할 수 있는 감지 소자로 개발하기 위한 목적으로 distributed Bragg reflector(DBR) 다공질규소를 제작하고, 그 표면에 다양한 농도의 이소프로판올, 에탄올, 메탄올, 그리고 아세톤 기체를 접촉시키기 전, 접촉시키는 동안 그리고 접촉시킨 후의 반사율 스펙트럼을 조사하였다. 그 결과 DBR 다공질규소 표면에 유기증기가 접촉되면 반사율 스펙트럼의 주 봉우리가 장파장 쪽으로 이동한다는 기존의 연구 결과를 재확인할 수 있었으며, 추가로 유기증기압이 커지거나 유기증기의 농도가 증가함에 따라 적색이동 현상이 크게 나타난다는 새로운 실험 결과를 얻을 수 있었다. 이러한 적색이동 현상의 원인은 미세공을 통해 DBR 다공질규소층의 내부로 들어간 유기증기가 액화되어 DBR 다공질규소층의 광학적 두께 및 굴절률이 커지는 모세관서림 현상으로 설명하였으며, 유기증기의 농도 또는 증기압이 변함에 따라 적색이동 현상의 정도가 다르게 나타나는 것은 모세관서림 현상에 관여하는 유기증기 분자들의 수가 다르기 때문으로 해석하였다.

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