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      • KCI등재

        논문 : 김세화 교수의 반론과 활성 경로 이론의 제한 및 확장

        김성수 ( Sung Su Kim ) 한국논리학회 2015 論理硏究 Vol.18 No.2

        인과 관계가 결과와 원인 간의 반사실적 의존 관계로 분석될 수 있다는 직관은 설득력이 있다. 활성 경로 이론은 단순한 형태의 반사실적 인과이론의 문제점을 피하면서도 이 직관을 유지하기 위해 제안된 이론이다. 하지만 이 이론 역시 심각한 반례에 직면한다. 김세화 교수는 최근의 논문에서 이러한 반례를 반박하고자 제시된 기존의 해결책이 갖는 문제점을 설득력 있게 비판하였다. 이 논문은 김세화 교수의 비판을 논의하고 더 나아가 활성 경로이론에 대한 반례를 극복할 수 있는 또 다른 해결책을 논의한다. 특히 활성 경로 이론의 적용 범위를 제한하고 이렇게 제한된 이론을 다시 확장하는 방식을 제시함으로써 활성 경로 이론을 그 반례로부터 방어하는 방법을 제안한다. The idea that an effect counterfactually depends on its cause is simple and intuitive. However, this simple idea runs into various difficulties. The active route account, in order to avoid the difficulties, analyzes causation in terms of counterfactual dependence under certain control. In her recent article, Seahwa Kim criticizes Sungsu Kim’s earlier attempt to defend the active route account from its counterexamples. Her criticisms are convincing, and defenders of the active route account or counterfactual analysis of causation in general need another defense. In response, a two-step defense is proposed. First, the scope of the active route account is restricted to ‘proximate’ causal relation. Second, a control over factors that are in proximate causal relation is offered to figure out ‘distant’ causal relation. The result is that with proper control, an effect indeed counterfactually depends on its cause.

      • KCI등재

        중성자 조사에 따른 SiC Schottky Diode의 전기적 특성 변화

        김성수,강민석,조만순,구상모,Kim, Sung-Su,Kang, Min-Seok,Cho, Man-Soon,Koo, Sang-Mo 한국전기전자재료학회 2014 전기전자재료학회논문지 Vol.27 No.4

        The effect of neutron irradiation on the properties of SiC Schottky Diode has been investigated. SiC Schottky diodes were irradiated under neutron fluences and compared to the reference samples to study the radiation-induced changes in device properties. The condition of neutron irradiation was $3.1{\times}10^{10}$ $n/cm^2$. The current density after irradiation decreased from 12.7 to 0.75 $A/cm^2$. Also, a slight positive shift (${\Delta}V_{th}$= 0.15 V) in threshold voltage from 0.53 to 0.68 V and a positive change (${\Delta}{\Phi}_B$= 0.16 eV) of barrier height from 0.89 to 1.05 eV have been observed by the neutron irradiation, which is attributed to charge damage in the interface between the metal and the SiC layer.

      • SCOPUSKCI등재

        망간계 금속산화물을 이용한 저온 선택적 촉매 환원 반응에서 NO<sub>2</sub>와 NH<sub>3</sub> 배출

        김성수,홍성창,Kim, Sung Su,Hong, Sung Chang 한국공업화학회 2007 공업화학 Vol.18 No.3

        망간계 금속산화물을 이용한 저온 선택적 촉매 환원 반응에 대하여 연구하였다. 망간계 금속산화물은 $200^{\circ}C$ 이하의 저온에서 우수한 탈질 특성을 보인다. 온도에 따른 $NH_3/NOx$ 몰비 변화 실험을 통하여 미반응 암모니아의 배출은 몰비가 증가하고 온도가 감소할수록 증가하였으며, $NO_2$의 발생은 반대의 현상을 보였다. $NO_2$는 NO가 촉매 표면에 흡착된 후 nitrate종으로 산화되어 생성되는 것으로 보인다. 촉매 표면에 생성된 nitrate종과 흡착된 암모니아가 반응하기 때문에 $NH_3/NOx$ 몰비 1.0 이상에서도 미반응 암모니아의 배출이 없었다. 담지된 금속산화물의 영향은 Zr은 산화상태를 증가시켜 $NO_2$의 배출이 증가하였으며, Ce를 첨가시킨 경우 $NO_2$ 발생량이 감소하였다. 그러나 금속산화물의 첨가는 전체적으로 NOx 전환율을 감소시켰다 The catalytic behavior of the manganese oxides was studied for the selective catalytic reduction with ammonia at a low temperature condition under $200^{\circ}C$. Outlet unreacted ammonia increases with decreasing temperature and increasing $NH_3/NOx$ mole ratio, however $NO_2$ shows an opposite result. $NO_2$ is generated by the adsorption of NO on the catalyst and the following oxidization to nitrates. Unreacted NH3 slip is not observed even at the $NH_3/NOx$ feed ratio above 1.0 due to the reaction between formed nitrates on the catalyst and adsorbed ammonia. The addition of Zr increases $NO_2$ generation, whereas the addition of CeO2 on the catalyst decreases $NO_2$ generation. Furthermore, the additon of the metal oxide induce DeNOx efficiency to reduce.

      • KCI등재

        중성자 조사된 SiC Schottky Diode의 온도 의존 특성

        김성수,구상모,Kim, Sung-Su,Koo, Sang-Mo 한국전기전자재료학회 2014 전기전자재료학회논문지 Vol.27 No.10

        The temperature dependent characteristics on the properties of SiC Schottky Diode has been investigated. In this study, the temperature dependent current-voltage characteristics of the SiC Schottky diode were measured in the range of 300 ~ 500 K. Divided into pre- and post- irradiated device was measured. The barrier height after irradiation device at 500 K increased 0.15 eV compared to 300 K, the barrier height of pre- neutron irradiated Schottky diode increased 0.07 eV. The effective barrier height after irradiation increased from 0.89 eV to 1.05 eV. And ideality factor of neutron irradiated Schottky diode at 500 K decreased 0.428 compared to 300 K, the ideality factor of pre- neutron irradiated Schottky diode decreased 0.354. Also, a slight positive shift in threshold voltage from 0.53 to 0.68 V. we analyzed the effective barrier height and ideality factor of SiC Schottky diode as function of temperature.

      • KCI등재

        고내압 SiC-IGBT 소자 소형화에 관한 연구

        김성수,구상모,Kim, Sung-Su,Koo, Sang-Mo 한국전기전자재료학회 2013 전기전자재료학회논문지 Vol.26 No.11

        Silicon Carbide (SiC) is the material with the wide band-gap (3.26 eV), high critical electric field (~2.3 MV/cm), and high bulk electron mobility (~900 $cm^2/Vs$). These electronic properties allow attractive features, such as high breakdown voltage, high-speed switching capability, and high temperature operation compared to Si devices. In general, device design has a significant effect on the switching and electrical characteristics. It is known that in this paper, we demonstrated that the switching performance and breakdown voltage of IGBT is dependent with doping concentration of p-base region and drift layer by using 2-D simulations. As a result, electrical characteristics of SiC-IGBT deivce is higher breakdown voltage ($V_B$= 1,600 V), lower on-resistance ($R_{on}$= 0.43 $m{\Omega}{\cdot}cm^2$) than Si-IGBT. Also, we determined that processing time and cost is reduced by the depth of n-drift region of IGBT was reduced.

      • KCI등재

        항법정보 전송지연 보상을 통한 전자광학장비 좌표지향성능 향상

        김성수,문성만,권강훈,윤창열,Kim, Sung-Su,Moon, Seong-Man,Kwon, Kang-Hun,Yun, Chang-Ryul 한국군사과학기술학회 2013 한국군사과학기술학회지 Vol.16 No.2

        Geo-pointing is a function that maintains LOS(Line of Sight) to a stationary ground target by controlling azimuth and elevation angles of a EOS(Electro-Optical System) which are calculated from aircraft navigation data and target coordinates. In design and implementation of the geo-pointing, a transmission time delay between GPS/INS and EOS is a major degradation factor of the geo-pointing performance when the aircraft is rapidly maneuvered especially. In this paper, a kalman filter is designed to compensate the transmission time delay of aircraft navigation data. Simulation and test results show that the geo-pointing performance is enhanced by the proposed compensation technique.

      • SCOPUSKCI등재

        Pt/TiO<sub>2</sub> 촉매의 H<sub>2</sub> SCR 반응 특성에 관한 연구

        김성수,최현진,홍성창,Kim, Sung Su,Choi, Hyun Jin,Hong, Sung Chang 한국공업화학회 2010 공업화학 Vol.21 No.1

        $TiO_2$를 담체로 한 Pt계 촉매를 이용하여 저온($80{\sim}150^{\circ}C$) 영역에서 적용될 수 있는 $H_2$ SCR의 촉매 반응 특성을 조사하였다. 실험은 반응가스 중 수분, 산소, 촉매의 소성온도, $H_2$/NOx 몰비, 공간속도에 대하여 수행하였다. Pt/$TiO_2$를 이용한 $H_2$ SCR 반응에서 수분은 inhibition으로 작용하였으며, 배가스 중 산소 농도가 희박할수록 반응활성이 증가하는 경향을 나타내었다. 하지만 산소가 존재하지 않을 때에는 NOx와 $H_2$가 반응하여 $NH_3$ slip이 발생하였다. 또한 촉매의 상전이 문제에 의하여 $600^{\circ}C$ 이하에서 소성하는 것이 가장 유리하였으며, $H_2$/NOx 몰비가 증가할수록 반응 활성이 증가하였다. 하지만 $H_2$ slip은 몰비가 증가하여도 $H_2$가 $H_2O$로 산화되어 나타나지 않았다. This work investigated the catalytic reaction characteristics of $H_2$ SCR applied at low temperature ($80{\sim}150^{\circ}C$) using Pt catalyst supported on $TiO_2$. The experiments were performed in terms of $H_2O$, $O_2$ in reaction gas, calcination temperature of the Pt catalyst, $H_2$/NOx mole ratio, space velocity. $H_2O$ was an inhibitor of reaction on $H_2$ SCR using Pt catalyst, catalytic performance increased as $O_2$ concentration decreased. Nevertheless, $NH_3$ slip generated by the reaction between NOx and $H_2$ in the absence of $O_2$. While it was effective to calcine less than $600^{\circ}C$ by phase transition and the catalytic performance increased as $H_2$/NOx mole ratio increased. However, $H_2$ slip was not observed at that increase mole ratio by $H_2$ oxidation to $H_2O$.

      • KCI등재

        ZnO 나노선 트랜지스터를 기반으로 하는 Al 나노입자플로팅 게이트 메모리 소자의 특성

        김성수,조경아,김상식,Kim, Sung-Su,Cho, Kyoung-Ah,Kim, Sang-Sig 한국전기전자재료학회 2011 전기전자재료학회논문지 Vol.24 No.4

        In this paper, nonvolatile nano-floating gate memory devices are fabricated with ZnO nanowires and Al nanoparticles on a $SiO_2/Si$ substrate. Al nanoparticles used as floating gate nodes are formed by the sputtering method. The fabricated device exhibits a threshold voltage shift of -1.5 V. In addition, we investigate the endurance and retention characteristics of the nano-floating gate memory device.

      • SCOPUSKCI등재

        Pt/TiO<sub>2</sub> 촉매의 담체 물성과 NOx, Soot 동시 반응특성과의 상관관계 연구

        김성수,박광희,홍성창,Kim, Sung Su,Park, Kwang Hee,Hong, Sung Chang 한국공업화학회 2010 공업화학 Vol.21 No.2

        다양한 $TiO_{2}$를 담체로 한 Pt계 촉매에서 NOx, soot의 동시 제거 반응에 대한 연구를 수행하였다. 실험은 각 촉매를 NOx와 soot의 반응을 독립 또는 동시에 반응시킨 조건으로 수행하였으며 그 결과 $TiO_{2}$의 종류에 따라 서로 상이한 NOx 제거능력과 soot 산화력을 나타내었다. 또 NOx 독립 실험 시 생성된 $NO_2$ 양과 soot 산화시작온도가 저온으로 이동하는 정도가 관계가 있었다. 담체의 물성 중 Pt의 뭉침현상에 결정적 역할을 미치는 비표면적과 촉매의 환원력에 영향을 미치는 crystallite size가 NO의 $NO_2$ 전환반응에 밀접한 관계를 가지는 것으로 조사되었다. 따라서 반응의 중요한 인자는 촉매에 사용되는 담체의 물리화학적 특성임을 알 수 있었다. Simultaneous removal reaction for NOx, soot over Pt catalysts using various $TiO_{2}$ as support was studied. The catalytic tests ware carried out injectin NO, soot, NO and soot simultaneously on each catalysts. As results, it showed different NOx removal efficiency and soot oxidation rate according to various kinds of $TiO_{2}$. Onset temperature of soot oxidation has a correlation to $NO_2$ generated for the independently performed NOx. It was investigated that NO to $NO_2$ oxidation was intimately related to crystallite size and surface area, and it has a tremendous impact on Pt aggregation on the catalyst surface and catalyst' reducibility. Therefore, we concluded that major index of the reaction was physico-chemical properties of catalyst' supports.

      • SCOPUSSCIEKCI등재

        천막상부 뇌수막종 절제후 단기간에 발생한 두개인두종 - 증례보고 -

        김성수,고용,이형중,김영수,오성훈,김광명,오석전,Kim, Sung Su,Ko, Yong,Yi, Hyeong Joong,Kim, Young Soo,Oh, Seong Hoon,Kim, Kwang Myung,Oh, Suck Jun 대한신경외과학회 2001 Journal of Korean neurosurgical society Vol.30 No.10

        Authors experienced a unique case of craniopharyngioma which had evolved rapidly after 4 years of total resection for supratentorial meningioma. A 58-year-old woman presented with headache and visual deterioration. Previously, she had undertaken surgical removal of frontal convexity meningioma 4 years ago and had been well without any postoperative sequelae thereafter. Brain magnetic resonance imaging demonstrated a newly developed suprasellar mass. Pertinent operative procedure was performed and histological verification was made as an adamantinomatous craniopharyngioma. She has been showing unremarkable clinical course up to date. Possible pathogenic mechanisms of de novo development of craniopharyngioma are disscussed with review of case.

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