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      • Cl2/Ar gas 를 이용한 코발트 박막의 순환 식각

        김선재 인하대학교 대학원 2024 국내석사

        RANK : 247631

        In this study, the cobalt thin film was etched through cyclic etching using a two-step process of Cl2 plasma and Ar sputtering. In the first step, the cobalt surface was chlorinated by exposing the cobalt thin films to Cl2 plasma to form a CoCl2 layer, and the chlorinated cobalt thin film was removed through Ar sputtering in the second step. In the first step, the saturation point of the CoCl2 layer was confirmed through XPS surface analysis, and it was confirmed through XPS depth profile analysis that the CoCl2 layer was saturated to a thickness of 2 nm. In the second step, the dc-bias voltage and Ar sputtering time were changed to optimize the removal of the CoCl2 layer. In the second step, similarly, the point where the CoCl2 layer was removed was confirmed through XPS surface analysis. In addition, the etch profiles and EPCs were obtained according to the dc-bias voltage and Ar sputtering time. The results reveal the close relationship between the thickness of the CoCl2 layer and the sputtering conditions, which affects the etch profile of the cobalt thin films. Finally, the 300 nm pattern size of the cobalt thin film was successfully etched without redeposition of the sidewall through the cyclic etching of the two-step process. Keywords: cobalt thin films, cyclic etching, ALE, dc-bias voltage, Ar sputtering, surface modification 본 연구에서는 Cl2 플라즈마와 Ar 스퍼터링의 2 단계 공정을 사용하여 순환 식각을 통해 코발트 박막을 식각하였다. 첫 번째 단계에서, 코발트 박막을 Cl2 플라즈마에 노출시켜 CoCl2 층을 형성함으로써 코발트 표면을 염소화하고 두 번째 단계에서 Ar 스퍼터링을 통해 염소화된 코발트 박막을 제거하였다. 첫 번째 단계에서 XPS 표면 분석을 통하여 CoCl2 층의 포화 지점을 확인하였고 XPS 깊이 프로파일 분석을 통하여 CoCl2 층이 2 nm 두께로 포화되었다는 것을 확인하였다. 두 번째 단계에서, CoCl2 층의 제거를 최적화하기 위해 dc-bias 전압과 Ar 스퍼터링 시간을 변경하였다. 두 번째 단계에서도 마찬가지로 XPS 표면 분석을 통하여 CoCl2 층이 제거되는 지점을 확인하였다. 또한, dc-bias 전압과 Ar 스퍼터링 시간에 따른 식각 프로파일과 EPC 를 얻어냈다. 그 결과, CoCl2 층의 두께와 스퍼터링 조건 사이의 밀접한 관계가 밝혀졌고, 이는 코발트 박막의 식각 프로파일에 기인하였다. 마지막으로, 2 단계 공정의 순환 식각을 통해 코발트 박막의 300 nm 패턴을 측벽의 재증착 없이 성공적으로 식각하였다.

      • 근관세척액에 따른 ProTaper GoldTM(위첨자) 파일의 부식 거동

        김선재 조선대학교 대학원 2019 국내박사

        RANK : 247631

        Currently, there are two different types of alloys mainly used for endodontic instruments, stainless steel and nickel-titanium (Ni-Ti). Endodontic Ni-Ti files were introduced in 1988 and many clinicians have used it to date. They have a lot of advantages: super-elasticity, efficiency, reduced treatment time and procedural error, such as apical transportation during canal preparation. Despite having many advantages, there is a disadvantage; it shows fatigue failure due to the effect of repeated stress in curved canals. Clinicians use endodontic irrigants to remove infectious sources in inaccessible areas (dentinal tubules, accessory canals, isthmuses). The effect of irrigants to fatigue fracture of endodontic instruments is reported but only few studies have been conducted about risks associated with failure by surface roughness using root canal irrigants. This study evaluated corrosion susceptibility of heat-treated Ni-Ti instruments in commonly used root canal irrigants and probability of fatigue failure. Two types of Ni-Ti rotary instruments and endodontic irrigants were subjected: ProTaperTM(위첨자) Gold(PTG, Dentsply, Tulsa Dental Specialties, Tulsa, OK, USA), ProTaperⓇ(위첨자) Universal(PTU, Dentsply Maillefer, Ballaigues, Switzerland) and 6% NaOCl, 17% EDTA. Potentiodynamic test(PD), cyclic potentiodynamic polarization test(CPPT) and AC impedance test were conducted to evaluate corrosion behavior using potentiostat (Parstat 2273, Princeton Applied Research, USA). The surface of instruments before and after corrosion was observed using a field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM, S-4800 Hitachi, Japan) and energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS, E-MAX, Horiba Co., Japan)analysis. PTG had high corrosion potential and low current density. There is more severe corrosion in NaOCl. In AC impedance test, PTG shows high polarization resistance and low in NaOCl. PTG has less corrosion such as pitting corrosion, and its surface was eroded a lot in NaOCl. PTG shows a smoother surface than PTU and it has less defect on the surface. The results imply that the fatigue life of Ni-Ti instruments is associated with surface roughness and a higher fatigue resistance of PTG than PTU. The result that much corrosion exist in NaOCl than EDTA which implies that fatigue life will decrease in NaOCl. 대표적인 근관치료 기구로 stainless steel 파일과 nickel-titanium rotary 파일이 있으며 그중에서도 근관치료용 Ni-Ti 파일은 1988년에 소개되어 현재까지 많은 임상가들이 사용하는 기구이다. Ni-Ti 전동파일은 SS 파일에 비해 초탄성, 삭제효율, 근관의 성형 및 확대할 때 치근단 변위(apical transportaiton)의 감소와 치료시간을 줄이는데 유리하기 때문에 많이 사용되고 있지만 이러한 많은 장점에도 불구하고 Ni-Ti 전동파일들은 만곡된 근관 내에서 반복되는 응력의 영향으로 피로파절되는 단점이 있다. 특히 근관 내 감염된 조직과 미생물 등을 기계적으로 제거하고, 직접적인 기구조작으로 제거하기 어려운 부분(상아세관, 부근관, isthmus 등)의 감염조직을 제거하기 위하여 근관세척용액을 이용하는데 이로 인하여 피로파절에 미치는 영향이 보고되고 있다. 그러나 피로파절의 원인이 표면의 거칠기에 기인함에도 불구하고 근관세척용액의 사용으로 표면부식에 의한 파절 위험성을 평가한 연구는 미미하다. 따라서 본 연구의 목적은 기존 Ni-Ti 기구와 비교했을 때 열처리된 Ni-Ti 파일의 NaOCl과 EDTA 용액내에서 부식영향을 평가하여 피로파절의 발생가능성을 예측하는 것이다. Ni-Ti 파일은 ProTaper GoldTM(위첨자) (PTG, Dentsply, Tulsa Dental Specialties, Tulsa, OK, USA)와 ProTaper UniversalⓇ(위첨자) (PTU, Dentsply Maillefer, Ballaigues, Switzerland) 을 준비하였고, 6% NaOCl 용액과 17% EDTA 용액을 사용하였다. Ni-Ti 파일의 부식특성을 평가하기 위하여 정전위차계(potentiostat/galvanostat 2273, EG&G, USA)를 이용하여 동전위분극시험(potentiodynamic test, PD)과 순환동전위분극시험(Cyclic potentiodynamic polarization test, CPPT), 교류임피던스측정시험(AC impedance test)을 시행하였다. 부식시험 전, 후 파일의 표면은 FE-SEM 및 EDS를 사용하여 표면을 관찰하였다. 실험결과는 PTG가 PTU에 비하여 부식전위가 높고 전류밀도가 낮게 나타났으며 NaOCl에서 부식이 심하였다. 교류임피던스시험에서 PTG가 PTU에 비하여 분극저항이 높게 나타났으며, NaOCl에서 낮게 나타났다. PTG가 PTU에 비하여 공식(pitting corrosion)과 같은 부식은 적었으며 NaOCl 용액에서 표면이 심하게 침식받았다. PTG 파일의 경우 PTU 파일에 비하여 매끄러운 표면형상을 보였으며 표면에 존재한 가공결함이 감소되었다. 이상의 결과로 부터 Ni-Ti파일의 피로파절수명은 표면의 거칠기에 관계되며 PTG의 경우는 피로저항이 증가될 것으로 예측되었다. 또한 근관세척제로 사용되는 용액에서 EDTA보다는 NaOCl용액에서 부식이 심한 결과로부터 피로파절수명이 감소될 것으로 판단되었다.

      • 수분의 양에 따른 두 단계 산부식 접착제의 상변화

        김선재 조선대학교 2010 국내석사

        RANK : 247631

        The objective of this study was to investigate on phase change of two step total etching system by water. Three commercial two-step total etching adhesives-OptiBond Solo Plus (OPB), Single Bond Plus(SB) and Excite(EX) were used. Three adhesives were mixed with 1, 2, 3, 4 and 5 ㎕ distilled water(d/w) respectively. Control group was not mixed with d/w. After mixing(10s) and air-drying(30s), these samples were observed under light microscope(LM) for examination of phase change. 10 consecutive drops of adhesives were deposited on slide glass. Images were captured immediately after deposition with Standard goniometer(ramé-hartinstrumentco.,Netcong,USA). The DROPimage Advanced software(ramé-hartinstrumentco.,Netcong,USA) provided the value of contact angle. The amount of volatile part in adhesives was determined by a precision balance(OHAUS Co., 19A Chapin Road, Pine Brook, NJ 07058 USA). In LM examination, OPB and Ex were observed with phase changes, but SB was not. The contact angles of OPB and Ex were higher than SB. There were no significant differences among these three experimental groups. Due to hydrophobicity of OPB and EX, they showed the phase change in less wet condition. In conclusion, OptiBond Solo Plus and Excite are expected to be more sensitive to over-wet condition in wet bonding technique.

      • 토픽모델링을 활용한 국내외 수학적 문제해결 연구 동향 분석 : 2000년부터 2020년까지 게재된 수학교육 논문 중심으로

        김선재 한국교원대학교 대학원 2022 국내석사

        RANK : 247631

        본 연구의 목적은 텍스트 마이닝 기법 중 키워드 분석과 LDA 토픽 모델링을 사용해 2000년부터 2020년까지의 국내외 수학적 문제해결에 대한 연구 동향을 살펴보는 것에 있다. 연구 대상으로는 KCI에 등재된 7종 552편의 국내 수학적 문제해결에 대한 논문과 SSCI에 등재된 5종 573편의 국외 수학적 문제해결에 대한 논문을 선정하였으며, 다음과 같이 연구문제를 설정하였다. 첫 번째로 수학적 문제해결에 관한 국내외 연구의 주된 키워드는 무엇이며, 시기별로 어떠한 변화가 일어나는지, 두 번째로 수학적 문제해결에 관한 국내외 연구의 토픽과 토픽을 구성하는 키워드는 어떠한지, 세 번째로 수학적 문제해결에 관한 국내외 연구의 시기별 토픽의 변화는 어떠한지이다. 본 연구는 웹데이터베이스로부터 논문 제목, 저자명, 학회지명, 출간연도, 초록 등의 데이터를 수집하고, R studio 프로그램을 이용해 데이터 전처리와 데이터 분석을 수행하였다. 본 연구 결과를 통해 다음과 같은 시사점을 얻을 수 있었다. 첫째, 키워드를 분석한 결과 국내와 국외에서 상위 10개 키워드 중 model, process, school, teach, teacher가 등장하며 국내외 모두 수학적 모델링, 학교학습과 교수법, 교사에 관한 연구가 공통적으로 주되게 이루어진 것으로 추정된다. 둘째, 토픽모델링 결과, 국내 연구주제는 오류분석, 수학적 모델링 활동, 의사소통, 비와 비례추론, 교육과정/교과서 분석, 영재교육, 수학적 신념체계, 교사교육, 문제해결 상황 속 인지과정 분석, 교수학습방법 순으로 10개의 토픽이 나타났다. 국외 연구주제는 교사교육, 이론, 의사소통, 대수적 사고, 문제해결 전략, 수학적 모델링 활동, 교육과정/평가, 분수/추론, 개입 효과, 정의적/인지적 영역, 과제 분석 순으로 11개의 토픽이 나타났다. 키워드 분석 결과와 유사하게 ‘수학적 모델링 활동’, ‘교사교육’, ‘의사소통’가 동일한 토픽명으로 나타났다. 또한, 국내의 ‘비와 비례추론’, 국외의 ‘분수/추론’은 동일한 키워드를 가지고 있었으며, 국내의 ‘수학적 신념체계’는 국외의 ‘정의적/인지적 영역’의 하위세부요소에 해당하는만큼 국내에서는 ‘정의적 영역’ 전반에 대한 연구 또한 다수 이루어질 필요가 있다. 또한, 국내의 ‘교육과정/교과서 분석’, 국외의 ‘교육과정/평가’는 교육과정을 각각 교과서, 평가와 관련지어 연구된다는 점에서 약간의 차이를 보였다. 셋째, 국내외 연구들의 시기별 추이를 분석한 결과, 상이한 토픽 중 국내 연구의 ‘오류분석’은 2015년 이후로 최근까지 계속 감소하는 추세를 보인다. ‘교수학습방법’은 2005년 이후 급격히 감소하며 이후로는 유지되는 경향을 보인다. ‘교육과정/교과서 분석’은 2010년대 관심도가 급격히 상승하는 모습을 보이고, 이는 교육과정 재편에 대한 준비와 검토, 평가의 일환으로 이루어진 것으로 보인다. 연구 결과, 전반적으로 국내의 연구주제는 역동성을 띄지만 국외의 연구주제는 거의 모든 주제들이 일정한 경향을 보였다.

      • Variable tuple size based entropy coding for transform domain audio signal

        김선재 동아대학교 대학원 2023 국내석사

        RANK : 247631

        As audio compression is one of the core technologies that enable media transmitting and storing within the limited network bandwidth, it is crucial to employ audio codecs to support superior compression performance. As the state-of-the-art audio coding standard, Unified Speech and Audio Coding (USAC) was developed by the ISO/IEC Moving Picture Experts Group (MPEG) audio group. Although with the development of audio coding standards, many coding tools, such as prediction, quantization, and filtering, have been presented, entropy coding tools have only minor changes. In this thesis, to investigate the trade-off between the compression performance and the memory capacity of context tables, we explore the entropy coding methods based on the tuple, a set of transformed quantized audio samples. In addition, we propose Variable Tuple Size Based entropy coding, which is dividing transformed quantized audio samples as multiple variable tuples and a remaining tuple. Experimental results show that the proposed variable tuple coding can achieve improved compression performance as high as 16% while maintaining the memory capacity of context tables compared to the fixed 4-tuple grouping.

      • Electrical characteristics and bias reliability of nanocrystalline silicon TFTs and amorphous oxide TFTs

        김선재 서울대학교 대학원 2012 국내박사

        RANK : 247631

        Flat panel display technology has grown rapidly along with progress of high performance thin film transistor (TFT). Recent demands of flat panel display, such as active matrix liquid crystal display (AMLCD) and active matrix organic light emitting diode (AMOLED), are large size, high resolution and fast refreshing rate. TFT, driving device of active matrix display, plays a key role to fulfill the requirements. To achieve large area display, good uniformity, such as mobility and threshold voltage (VTH) is desired. High electrical capability is essential to operate active matrix display with fast refreshing. Also, to operate current driving device, such as AMOLED, high mobility TFT is critical issue. Thus, it is necessary for TFT to have good uniformity and high electrical ability. Another issue on TFT is reliability. During operation of active matrix display, TFT can be degraded due to various factors such as, bias stress, illumination, temperature, and ambient, resulting in VTH shift or mobility decreasing. Conventional amorphous silicon (a-Si) TFT has good uniformity, yet severely degraded under bias and illumination. Also low field effect mobility (< 1 cm2/Vsec) is limitation in realization of the high resolution display Another conventional device, low temperature polycrystalline silicon (poly-Si) TFT exhibit rather high mobility (20 cm2/Vsec), enabling fast switching required for high-resolution image with reduced device size. However, random distribution of grain boundaries would cause the non-uniformity of the field effect mobility as well as the threshold voltage of the poly-Si TFT. Nanocrystalline silicon (nc-Si) TFT and amorphous oxide-based TFT gain considerable amount attention over conventional TFTs, since those devices exhibit better mobility even without troublesome recrystallization process. And potentially good reliability can be obtained due to their material nature, which is as-deposit crystalline phase of nc-Si and ionic bonding structure of oxide semiconductor. In this thesis, two TFT devices, nc-Si TFT and amorphous oxide-based TFT are presented and the reliability of those devices is discussed. It was fabricated nc-Si TFT of a top gate structure, without any substrate heating. High quality nc-Si film and silicon dioxide film were deposited at room temperature employing an ICP-CVD system. For nc-Si film, crystalline phase were grown as a columnar structure and the crystalline volume fraction was 27%. On silicon dioxide film, hydrogen plasma post-treatment was performed, and the electrical characteristics of silicon dioxide film were improved due to charge reduction and the annealing effect. The nc-Si film and the silicon dioxide film were used for the fabrication of nc-Si TFTs without substrate heating. Although there was no external heating, a mobility of 7.93 cm2/V∙sec was achieved. This result indicates that nc-Si TFTs fabricated without any substrate heating may be a suitable device for a flexible display. Also, bottom-gate nc-Si TFTs were fabricated and evaluated their characteristics and electrical stability under various stress condition. nc-Si with high crystallinity was deposited employing Inductively coupled plasma chemical vapor deposition(ICP-CVD) system. I employed helium gas diluted deposition and all the process temperature was kept under 350oC. I fabricated conventional inverted-staggered nc-Si TFTs. Fabricated nc-Si TFTs showed fine electrical characteristics, such as electrical mobility of 0.64~0.77 cm2/V∙sec. I investigated its stability through constant-voltage stress and constant-current stress. The threshold voltage shift after 30,000 seconds gate bias (10V) stress was only 0.098V, which is considerably less compared to a-Si TFT. Under the static current stress condition, the threshold voltage of the nc-Si TFT was shifted less than that of a-Si TFT. It demonstrates that nc-Si TFT exhibit better stability than conventional a-Si TFT. After that, I examined electrical stability of nc-Si TFT under drain bias stress. After 30,000sec stress, as the bias at the drain terminal increases while gate bias is fixed, VTH shift of the nc-Si TFT decreases significantly. Also, under the drain bias stress, VTH shift decreased as channel length reduced. Smaller VTH shift of the nc-Si TFTs is related with the concentration of the channel charge varying with the drain bias. High drain bias decreases carrier concentration in the channel near drain terminal. Also, ratio of the depleted charges over total charges increases with reducing channel length due to the drain bias. Thus, the short channel TFT has the smaller normalized channel charge than the long channel TFTs. Less carrier concentration induces less defect states, so VTH shift of a short channel TFT is smaller than that of a long channel TFT. For amorphous oxide-based TFT, I have employed hafnium indium zinc-oxide (HIZO) and indium gallium zinc-oxide (IGZO) as the channel layer. It was investigated the channel layer thickness dependency on the characteristics and stability in amorphous HIZO TFTs. HIZO TFTs were prepared with various channel thicknesses from 400Å to 700Å. In HIZO TFTs, carrier concentration is considerably high, which leads to channel layer thickness dependency. The threshold voltages of TFTs were negatively shifted as the channel thickness increased. The threshold voltage shift at a high temperature is more severe in TFTs with thicker channel layers. Channel thickness dependency on bias stability of HIZO TFTs is closely related to the back interface, rather than bulk state. For the improvement of reliability, effect of hydrogen content on the characteristics and the reliability of HIZO TFT were investigated. I proposed a thermal treatment on SiO2 gate insulator prior to deposition of a HIZO, in order to suppress hydrogen diffusion from gate insulator into active layer. Secondary-ion mass spectroscopy analysis confirms that the hydrogen content in the active layer was successfully decreased through thermal treatment. Threshold voltage shift of HIZO TFT under bias stress (VG = 20 V, 1000 s) employing a 400°C thermal treatment was suppressed to 0.6 V, whereas that of TFT without thermal treatment was 1.4 V. It was also investigated the effect of temperature on bias-stability of IGZO TFT. In the atmosphere, VTH of IGZO TFT is considerably decreased with increased temperature due to the donor molecules effect, such as moisture and hydrogen. Under bias stress, VTH degradation is enhanced in the atmosphere compared to in a vacuum, due to adsorption of ambient gas. Also, VTH degradation is enhanced at high temperatures. However, in a vacuum, VTH shift under positive bias stress does not depend on temperature, because thermal energy enhances not only electron trapping, but also induces an adsorption of oxygen simultaneously. Lastly, the effect of moisture on the characteristic and reliability of the IGZO TFT was examined. Moisture adsorption of the IGZO creates a large number of additional localized states in the band gap, and increases the interfacial states at the back interface. Under positive bias stress, IGZO TFT under humid atmosphere shows better stability than normal atmosphere. Stable characteristic at humid atmosphere may be attributed to the effect of EF pinning. On the contrary, under negative bias stress, IGZO TFT under normal atmosphere shows better stability than normal atmosphere due to adsorption of H2O molecule by negative electric field. The experimental results demonstrate that environmental effect such as moisture, oxygen, temperature can have a profound impact on the reliability of the oxide TFT under bias stressing and, robust passivation property is required for the stable characteristic of the oxide TFT.

      • 차량 인포테인먼트 시스템의 포렌식 아티팩트 비교·분석

        김선재 단국대학교 2026 국내석사

        RANK : 247631

        차량의 전장화가 고도화됨에 따라 차량 내부의 전자 제어 장치와 정보 시스템에서는 다양한 디지털 데이터가 생성되며, 이는 교통사고 조사 및 범죄 수사에서 활용 가능한 중요한 디지털 증거가 되고 있다. 특히 차량 인포테인먼트 시스템은 위치 정보, 통신 기록, 내비게이션 경로, 사용자 상호 작용 활동 등 운전자 행위와 차량 운행 특성을 반영하는 정보를 포함하고 있어 차량 디지털포렌식의 핵심 분석 대상이다. 그러나 차량 인포테인먼트 시스템의 포렌식 분석에는 다음의 한계점이 존재한다. 첫째, 차량 제조사·모델 및 적용된 운영체제와 소프트웨어 아키텍처에 따라 저장되는 데이터의 유형과 형식이 상이하여 일관된 포렌식 절차를 적용하기 어렵다. 둘째, 포렌식 아티팩트를 체계적으로 수집·분석하기 위한 표준화 된 가이드라인과 절차가 부족한 실정이다. 본 논문에서는 현대·기아자동차의 대표적인 두 인포테인먼트 플랫폼을 대상으로 디지털포렌식에 대한 비교·분석 연구를 수행하였다. 분석 대상은 안드로이드 OS 기반의 표준형 5W 인포테인먼트 시스템과 현대자동차에서 자체 개발한 ccOS 기반의 ccNC 인포테인먼트 시스템이다. 두 시템에서 생성되는 로그 데이터를 수집·정제하고, 운영체제 구조 차이에 따른 로그 생성 방식, 이벤트 기록 범위, 사용자·차량 정보의 표현 방식 차이를 체계적으로 비교·분석하였다. 또한 포렌식 아티팩트 간 연관성을 활용하여 차량 운행 시나리오를 재구성함으로써 각 시스템이 제공하는 포렌식 아티팩트의 차이점을 규명하였다. 본 논문은 서로 다른 두 인포테인먼트 플랫폼의 포렌식 아티팩트를 비교·분석함으로써 향후 차량 인포테인먼트 시스템에 대한 포렌식 자동화 및 표준화 연구에 기초 자료를 제공하고, 실무에서의 도전적인 이슈를 제시한다.

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