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김광천 ( Kwang Chon Kim ),권성도 ( Sung Do Kwon ),최지환 ( Ji Hwan Choi ),김현재 ( Hyun Jae Kim ),김진상 ( Jin Sang Kim ) 한국전기전자재료학회 2009 한국전기전자재료학회 하계학술대회 논문집 Vol.2009 No.0
CdTe는 에너지밴드갭이 1.45eV인 직접천이헝 II-VI 화합물 반도체로서 높은 광흡수율과 가시광 영역의 에너지밴드갭으로 태양전지, x-선 검출기 등에 널리 사용되고 있다. 본 연구에서는 Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)으로 Si 기판위에 CdTe 에피 박막을 성장 하고자 하였다. Cd, Te의 금속유기 화합물로는 Dimethylcadmium(DmCd)과 Diisopropyltellurium(DIPTe)을 사용하였다. 기판으로는 Si 을 사용하였으며 박막성장 온도를 360℃ ~ 500℃ 로 제어하여 에피박막이 형성되는 조건을 얻고자 하였다. 360℃, 450℃에서 성장된 CdTe박막은 다양한 방향이 존재하는 다결정 구조 였으며 500℃의 경우 단결정 에피 박막 성장이 이루어졌음을 확인하였다. 본 연구를 통한 CdTe 에피박막은 기존의 열증착 등으로 제조되는 다결정 CdTe 박막과 비교하여 높은 에너지변환 효율을 얻을 것으로 기대된다.