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체육 특기·적성 교육활동 참여가 여가스포츠 태도에 미치는 영향
금시현 관동대학교 교육대학원 2008 국내석사
본 연구는 체육 특기․적성 교육활동 참여가 여가스포츠 태도에 미치는 영향을 규명하는데 그 목적이 있다. 이러한 연구 목적을 달성하기 위하여 1) 인구통계학적 특성에 따른 여가스포츠 태도의 차이 2) 체육 특기․적성 교육활동 참가정도에 따른 여가스포츠 태도의 차이 3) 체육 특기․적성 교육활동 참여동기가 여가스포츠 태도에 미치는 영향 4) 체육 특기․적성 교육활동 참여종목에 따른 여가스포츠 태도의 차이에 대하여 분석하였다. 본 연구의 대상자는 강원도 영동지역에 소재한 대학교에 재학 중인 대학생을 대상으로 중등학교 재학 시 1년 이상의 체육 특기․적성 교육활동 참여자 총 400명을 조사 대상으로 표집 하였다. 표집 된 자료 가운데 불성실하게 응답했다고 판단되거나 조사내용의 일부가 누락된 16명의 자료를 제외하고, 실제 분석에 사용된 표본 수는 384명이다. 본 연구에서 사용된 조사도구는 설문지이다. 먼저 조사대상의 인구통계학적 특성에 관한 설문문항은 사회과학 연구에서 일반적으로 사용되는 성, 연령, 가계소득, 부모의 교육수준 등의 문항을 설정하여 사용하였다. 체육 특기․적성교육 활동의 참여정도에 관한 문항은 Loy, McPherson & Kenyon(1978), 김형용(2005)이 사용한 문항을 본 연구의 목적에 맞게 수정․보완하여 사용하였으며, 참여동기에 관한 설문 문항은 Iso-Ahola와 Allen (1982)이 개발한 스포츠참여 동기 설문지를 이철화(1995)가 번안․사용한 것을 수정․보완하여 사용하였다. 참여종목에 관한 문항은 Snyder & Spreitzer (1983)와 문화관광부(2003)에서 사용한 설문문항을 기초로 하여 개인, 대인, 단체종목으로 구분하여 사용하였다. 여가스포츠 태도에 대한 문항은 Ragheb와 Beard(1982)에 의해 개발되고 김경태(1996)가 번안하여 사용한 설문지를 강형길(2003), 김형용(2005)이 수정․보완하여 사용한 설문을 이용하였다. 본 연구에서 자료 분석을 위하여 사용한 통계분석방법은 신뢰도 분석, 빈도분석, t검증, 일원변량분석, 상관분석, 중다회귀분석 등이다. 이상의 연구방법 및 결과분석을 통하여 다음과 같은 결론을 얻었다. 첫째. 인구통계학적 특성에 따라 여가스포츠 태도의 차이는 연령과 가계소득 변인에서만 유의한 것으로 나타났다. 즉, 연령이 만 23~24세인 경우 행동적 태도가 높게 나타났으며, 가계소득이 300~350만원인 경우는 인지적 태도와 정의적 태도가 높게 나타났다. 둘째. 체육 특기․적성 교육활동 참여정도에 따라 여가스포츠 태도에는 유의한 차이가 나타나지 않았다. 셋째. 체육 특기․적성 교육활동 참여동기는 여가스포츠 태도에 부분적으로 유의한 영향을 미치는 것으로 나타났다. 여가스포츠 태도에 가장 많은 영향을 미치는 것은 기술발달과 즐거움으로 나타났으며, 외적과시와 사교는 각각 행동적 태도와 인지적 태도에 영향을 미치는 것으로 나타났다. 넷째. 체육 특기․적성 교육활동 참여종목에 따라 여가스포츠 태도에 유의한 차이가 나타나지 않았다.
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Kum, Sihyeon Sungkyunkwan University 2022 국내석사
기존의 페로브스카이트형 강유전체는 강한 강유전성을 가지고 있지만, 박막 두께가 얇아지게 되면 강유전성을 잃어버리는 사이즈 효과로 인해 차세대 소자에 적용되기에는 어려움이 있다. 하지만 Zr이 도핑된 HfO2와 같은 형석 기반 강유전체는 5 나노미터 미만의 굉장히 얇은 두께에서도 강유전성이 발현되어 비휘발성 메모리, 세라믹 커패시터, 센서 등 다양한 응용분야에 적용되기 위한 연구가 되어 왔다. 현재는 이러한 성질을 더욱 더 확대시키기 위해 여러 조건에서 박막을 형성하기도 하고 외부에서 반복적인 전기장을 인가해 강유전성을 확대시키는 연구를 진행하고 있다. 외부에서 반복적인 전기장을 형석 기반 강유전체에 인가하게 되면 박막 내부의 산소결함의 거동변화에 따른 강유전성이 변화한다고 몇몇 논문에 보고가 되었다. 하지만 해당 논문에서 사용한 P-E 측정을 기반으로 한 강유전성 분석 연구는 1 마이크로미터 국소부위에서도 서로 다른 성질을 가지는 다형체 구조의 HZO 박막의 성질의 이해 하는 데는 제한적인 부분이 있다. 또한 EIS 측정을 기반으로 한 전기화학신호 분석 또한 동일한 이유로 제한적인 부분이 있다. 우리는 해당 연구에서 기존의 논문에서 보고된 거시적인 관점에서의 분석이 아닌 미시적인 관점에서의 강유전성 HZO 박막의 전기장 사이클링에 따른 국부적인 강유전성 변화와 전기화학 거동의 변화에 관한 상관관계에 대해 보고 한다. 우리는 먼저 원자 힘 현미경(Atomic force microscopy)의 응용모드인 압전반응 힘 현미경을 이용하여 나노미터 스케일에서 HZO 박막의 편광 스위칭 동작 및 외부 반복적인 전기장 인가에 따른 강유전성 확대와 감소 효과를 조사 했다. 이후에 스캐닝 임피던스 현미경을 이용하여 강유전성 확대 및 감소가 전기화학 거동변화와 어떠한 상관관계가 있는지 조사 했다. 해당 연구의 결과는 나노미터 두께의 초박막에서 강유전성 극대화의 최적화 조건을 제시하는 것뿐만 아니라 나노크기 입자에서의 새로운 평가방법도 제안할 수 있으리라 예상된다. Interestingly, ferroelectric HfO2-based thin films exhibit a "wake-up effect", showing that residual polarization increases by several electric field cycles before the fatigue effect occurs. Since the electric field cycling can redistribute defects, there is a possibility of electrochemical origin for ferroelectric properties in ferroelectric HfO2-based thin films in nanoscale. Therefore, understanding the local physical and electrochemical properties at the nanoscale can help to improve the ferroelectricity of HfO2-based materials. Furthermore, HfO2-based thin films are polycrystalline structures with very different local properties. Therefore, it is very important to analyze individual characteristics according to the local area. Polarization-Electric field (P-E) hysteresis loop measurement is a conventional method to study the wake-up effect induced by electric field cycling. However, P-E hysteresis loop measurement is incapable to determine the underlying mechanism in the nanoscale level because of leakage current existence. In this study, we investigated the wake-up effect corresponding to the polarization switching behavior of HZO thin films at the nanoscale using resonance-enhanced piezoresponse force microscopy combined with band excitation technique. Electrochemical impedance spectroscopy (EIS) provides information on the electrochemical behavior of defects in HZO thin films that occurred by electric field cycling, but this is also limited in HZO thin films with locally different properties. Therefore, we evaluated the correlation between local ferroelectricity and electrochemical behavior induced by the wake-up effect in ferroelectric HZO thin films by applying Scanning impedance microscopy (SIM). It is expected that these findings open new opportunities for enhancing the ferroelectricity of ferroelectric HfO2-based thin films through the understanding fundamental of correlated local electrochemical behavior.
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