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고의관,Go, Ui-Gwan 벤처기업협회 2008 벤처다이제스트 Vol.115 No.-
지금까지의 나노기술과 바이오기술은 다양한 응용분야에서 또한 본질적으로 서로 독립적인 영역에서 발전을 거듭하면서 매우 큰 진전을 이루어 왔다. 그러나 최근 이러한 상황은 조금씩 변화되면서 많은 연구자들이 바이오 물질이 지닌 기능을 모방하여 고기능의 소자를 제작하려는 융합 연구가 활발히 이루어지고 있고, 분자단위 수준에서 현상을 규명하고 제어하는 나노기술에 관련된 연구들이 점차 증가되고 있는 실정이다.
고의관,서정주,백태성,정은지,윤명근,이현호 한국물리학회 2013 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.63 No.1
The aim of this study is to assess and compare the excess absolute risks (EARs) of radiationinduced cancers following conformal (3D-CRT), fixed-field intensity-modulated (IMRT) and volumetric modulated arc (RapidArc) radiation therapy in patients with breast cancer. 3D-CRT, IMRT and RapidArc were planned for 10 breast cancer patients. The organ-specific EAR for cancer induction was estimated using the organ equivalent dose (OED) based on computed dose volume histograms (DVHs) and the secondary doses measured at various points from the field edge. The average secondary dose per Gy treatment dose from 3D-CRT, measured 10 to 50 cm from the field edge, ranged from 8.27 to 1.04 mGy. The secondary doses per Gy from IMRT and RapidArc, however,ranged between 5.86 and 0.54 mGy, indicating that IMRT and RapidArc are associated with smaller doses of secondary radiation than 3D-CRT. The organ specific EARs for out-of-field organs,such as the thyroid, liver and colon, were higher with 3D-CRT than with IMRT or RapidArc. In contrast, EARs for in-field organs were much lower with 3D-CRT than with IMRT or RapidArc. The overall estimate of EAR indicated that the radiation-induced cancer risk was 1.8 - 2.0 times lower with 3D-CRT than with IMRT or RapidArc. Comparisons of EARs during breast irradiation suggested that the predicted risk of secondary cancers was lower with 3D-CRT than with IMRT or RapidArc.
윤명근,고의관,변동진,조용민,진정근,최현진 한국물리학회 2004 새물리 Vol.49 No.4
We used atomic force microscopy (AFM) and scanning surfacepoten- tial microscopy (SSPM) to invest-igate the effect of extended defects (0.5 $\sim$ 3 $\mu$m) on the charge distribution in a GaN epilayer grown by on (0001) sapphire by using metalorganic chemical-vapor deposition. The surface at an extended defect present in the undoped GaN film was observed to be negatively charged and to have a showing higher potential at the defect region than at the defect-free region. The SSPM results showed that defect was negatively charged and that its potential was propor-tional to the size of the defect. 원자간력 현미경(AFM: Atomic Force Microscope)과 주사전위 현미경(SSPM: Scanning Surface Potential Micro-scope)을 이용해 금속유기-화학증기증착방법(MOCVD)으로 성장한 GaN 박막에서 확장된 결함(Extended defect)이 전하분포에 미치는 영향을 연구하였다. GaN 내에 존재하는 확장된 결함은 음전하로 대전되어 있으며, 결함이 없는 영역에 비해 상대적으로 그 중앙과 주변에서 더 높은 전위를 가짐이 관측되었다. SSPM 결과로부터 결함의 크기와 대전되는 음전하의 양(또는 전위)이 서로 비례함을 확인할 수 있었다.
GaN 완충층 두께가 GaN 에피층의 특성에 미치는 영향
조용석,고의관,박용주,김은규,황성민,임시종,변동진,Jo, Yong-Seok,Go, Ui-Gwan,Park, Yong-Ju,Kim, Eun-Gyu,Hwang, Seong-Min,Im, Si-Jong,Byeon, Dong-Jin 한국재료학회 2001 한국재료학회지 Vol.11 No.7
Metal organic chemical vapor deposition (MOCVB)법을 사용하여 sapphire (0001) 기판 위에 GaN 환충층을 성장하고, 그 위에 GaN 에피층을 성장하였다. GaN 완충층은 55$0^{\circ}C$에서 약 26 nm에서 130 nm까지 각각 다른 두께로 성장하였고, GaN 에피층은 110$0^{\circ}C$에서 약 4 $\mu\textrm{m}$의 두께로 성장하였다. GaN 완충층 성장 후 atomic force microscopy (AFM)으로 표면 형상을 측정하였다. GaN 완충층의 두께가 두꺼워질수록 GaN 에피층의 표면이 매끈해지는 것을 scanning electron microscopy (SEM)으로 관찰하였다. 이것으로 GaN 에피층의 표면은 완충층의 두께와 표면 거칠기와 관계가 있다는 것을 알 수 있었다. GaN 에피층의 결정학적 특성을 double crystal X-ray diffraction (DCXRD)와 Raman spectroscopy로 측정하였다. 성장된 GaN 에퍼층의 광학적 특성을 photoluminescence (PL)로 조사한 결과 두께가 두꺼운 완충층 위에 성장된 에퍼층의 결정성이 더 좋은 반면, 내부 잔류응력은 증가하는 결과를 보였다. 이러한 사실들로부터 완충층의 두께가 두꺼워짐에 따라 내부 자유에너지가 감소하여 에피층 성장시 측면성장을 도와 표면이 매끈해지고, 결정성이 좋아졌다. GaN buffer layer and epilayer have been grown on sapphire (0001) by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). GaN buffer layer ranging from 26 nm to 130 nm in thickness was grown at 55$0^{\circ}C$ prior to the 4 $\mu\textrm{m}$ thick GaN epitaxial deposition at 110$0^{\circ}C$. After GaN buffer layer growth, buffer layer surface was examined by atomic force microscopy (AFM). As the thickness of GaN buffer layer was increased, surface morphology of GaN epilayer was investigated by scanning electron microscopy (SEM). Double crystal X-ray diffraction (DCXRD) and Raman spectroscopy were employed to study crystallinity of GaN epilayers. Optical properties of GaN epilayers were measured by photoluminescence (PL). The epilayer grown with a thin buffer layer had rough surface, and the epilayer grown with a thick buffer layer had mirror-like surface of epilayer. Although the stress on the latter was larger than on the former, its crystallinity was much better. These results imply that the internal free energy is decreased in case of the thick buffer layer. Decrease in internal free energy promotes the lateral growth of the GaN film, which results in the smoother surface and better crystallinity.
장거리 표면 프라즈몬을 이용한 은-피리딘계에서의 표면증강 라만산란
백문구,고의관,고도경,이해형,장준성 한국광학회 1990 한국광학회지 Vol.1 No.2
Sarid형의 감쇠 전반사 구조를 통하여 장거리 표면 프라즈몬을 여기시켜 은-피리딘 경계면에서 표면증강 라만산란 실험을 수행하였다. 장거리 표면 플라즈몬의 여기를 확인하기 위해 은을 $100\AA$으로 증착하여 실험한 결과, 그 진행을 눈으로 볼 수 있었다. 이것을 이용해서 은 표면에 흡착된 피리딘의 라만신호를 관측하여 체적 상태 및 화학적 흡착이 있는 경우의 피리딘의 라만신호와 비교, 분석하였는데 장거리 표면 프라즈몬을 이용한 표면증강 라만산란 실험을 아직까지 보고된 바 없다. Surface-enhanced Raman scattering (SERS) experiment of pyridine (CsHsN) has been performed at silverpyridine interface by use of long range surface plasmon (LRSP) which is generated in the Sarid-type attenuated total reflection (A TR) structure consisting of prism. dielectric. metal and dielectric media. Generation of LRSP has ben confirmed by observing the propagation of the LRSP. Raman signal of pyridine adsorbed on a silver surface in the above layered structure has been observed and compared with the bulk Raman signal and SERS signal from the chemically adsorbed pyridine. SERS experiment by use of LRSP has not yet reported to the best of our knowledge.wledge.