http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
- 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
- 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
RISS 인기검색어
- 검색키워드
- 저자 : 고상한 (검색결과 2 건)
-
고상한 한일장신대학교 기독교사회복지대학원 2014 국내석사
본 연구에서는 다문화가정의 자녀양육에서 아버지역할에 관하여 현재 다문화가정의 아버지들로 하여금 올바른 자녀양육이 되어 지는지를 파악하고 부족한 부분과 필요한 부분을 지원해주고, 건강한 가정이 될 수 있도록 정책적 방안을 모색하고 제시하고자 한다. 자녀의 양육에 있어서 부모 역할은 어머니가 주가 되며 아버지는 부수적인 존재에 불과하다는 인식이 한국사회에는 여전히 자리하고 있다. 특히 다문화가정의 어머니들은 새로운 문화에 적응하는 어려움을 겪고 있기 때문에 다문화가정에서의 아버지들의 역할과 관심이 절실하다. 하지만 이런 아버지들의 역할의 필요성이나 관심에 대한 연구가 부족하다. 따라서, 다문화가정의 아버지들은 자녀양육에 대해 어느 정도 참여를 하는지, 자녀양육에 대한 관심이 어떠한지를 파악하여 부족한 부분을 알아보고 도움이 될 수 있는 지원 정책과 사회복지 프로그램 등을 개발하는데 본 연구의 목적이 있다. 첫째, 다문화가정 아버지들의 자녀양육에 대한 인식은 어떠하고 그 인식의 차이가 자녀들에게 어떠한 영향을 미치고 있는지 알아보고, 둘째, 다문화가정 아버지들의 자녀교육에 대한 참여도와 자녀 일상생활에 대한 인지도가 자녀의 발달 상태에 어떠한 영향을 미치고 있는지 알아보고, 셋째, 다문화가정 자녀양육에서 아버지의 역할수행 능력이 자녀들에게 어떠한 영향을 미치고 있는지 알아보고, 마지막으로 다문화가정 아버지들의 역량과 참여도가 자녀들의 학교생활과 일상생활에 어떠한 영향을 미치고 있는지 알아본다. 본 연구는 전라도에 살고 있는 다문화가정의 아버지들을 대상으로 하여 설문지를 통해 자녀에 대한 공감능력과 가족기능의 증진 및 자녀와의 상호작용으로 인하여 자녀양육에 필요한 의견을 수렴하고 조사하였다. 본 연구를 조사하기 위하여 사용된 설문지는 경북대학교 김미희의 2011년도 논문에 사용된 설문지로 다시 구조화하여 사용되었고, 대상자들에게 총 230부의 설문지를 배포하여 수거된 206부중 답변이 올바르게 체크된 196부의 설문지를 최종 통계 자료로 사용하여 분석하였다. 본 연구에서 수집된 자료는 SPSS 통계 프로그램을 사용 분석 하였고, 각 항목별로 필요한 분석들은 다음과 같다. 첫째, 각 영역에 대한 신뢰도 분석(reliability analysis)를 실시하여 문항간의 신뢰도를 측정하여 예측가능성, 정확성 등을 살펴보았다. 둘째, 응답자의 일반적 사항, 가족 형태 및 자녀 관련 사항에 대해 살펴보기 위하여 빈도분석을 실시하였다. 셋째, 자녀교육에 대한 참여도, 자녀일상생활에 대한 인지도, 자녀의 발달상태, 아버지의 역량에 대해 살펴보기 위하여 기술통계분석을 실시하였다. 넷째, 연령, 학력, 소득, 종교에 따른 자녀양육에서 아버지 역할에 대한 인식 차이를 살펴보기 위하여 일원변량 분산분석(one way anova)를 실시하였다. 다섯째, 자녀양육에서 아버지의 역할과 역할수행 간의 상관관계를 살펴보기 위하여 상관분석을 실시하였다. 여섯째, 아버지 역할, 자녀교육에 대한 참여도, 자녀일상생활에 대한 인지도가 자녀의 발달 상태에 미치는 영향에 대해 살펴보기 위하여 회귀분석을 실시하였다. 이러한 방법으로 분석된 결과로는 우선 아버지들의 마음가짐과 그 마음가짐을 뒷받침해줄 국가적 지원서비스가 중요할 것이다. 최근 자녀양육과 교육에 아버지도 적극적으로 참여해야 한다는 인식이 높아져 가고 있으며, 아동양육에 직접 참여하는 아버지 또한 점차적으로 늘어나고 있다. 이런 아버지들의 마음과는 달리 다문화가정의 아버지들은 자녀양육을 하는데 많은 어려움을 겪고 있다. 본 연구에서 분석된 연구결과를 바탕으로 한 정책적 제언으로는 첫째, 다문화 가정은 부부간 나이 차이와 학력차이등 문화적 차이가 있을 수 있으며 생활역시 어려움이 많음을 예상할 수 있다. 부부간의 차이로 인한 갈등을 해소시킬 수 있는 교육이나 프로그램을 실시하여야 한다. 둘째, 다문화가정의 어버지들을 위한 한국의 언어․문화․자녀교육법 등을 배울 수 있도록 정부의 지속적 지원정책이 필요하며 이는 일정기간동안 의무적으로 교육을 받을 수 있도록 법․제도적 정비가 필요하다. 셋째, 저학력, 저소득층이 많은 다문화가정 아버지들을 위하여 다문화가족지원센터를 보다 활성화 하고 이를 통한 자녀와 함께하는 프로그램을 개발하여 지원해야 할 것이다. 필요한 지식 정보제공을 공유하기 위한 다문화가족 지원센터 내에 전용도서관을 개설하여 상호 문화교류를 위한 공간으로 활용하는 정부의 적극적 지원과 투자가 필요하며 사회단체의 관심 또한 절실하다. 넷째, 다문화 가정의 아버지 학교 개설과 일반 가정과의 멘토 제도 도입 그리고 다문화 가정의 모임지원과 가정문제 상담, 빈곤가정의 경제자활을 위한 직업소개 등의 지원정책이 필요할 것이다. 이러한 문제들을 근본적으로 해결하기 위한 부모교육에서 자녀교육에 관한 아버지역할 교육 문제는 시급히 해결되어야 할 과제일 것이다.
-
Device and Process Design Based on Functional Oxide Thin Films for Advanced Memory Applications
In this work, we present an integrated approach for implementing high-performance and high- reliability memory technology by precisely controlling the material-specific electrical properties of functional oxide thin films and applying them to the structural design of memory devices. In particular, representative oxide materials such as HfO2, Al2O3, and InGaZnO (IGZO) were applied to various roles such as ferroelectric layers, insulating layers, and channel layers, respectively, and the memory performance parameters such as charge storage characteristics, bias stability, and data retention characteristics of the devices were experimentally verified by controlling the process conditions and the stacked structure, and the possibility of applying them to memory devices was verified. First, the crystallization behavior and ferroelectric characteristic changes were analyzed by introducing an Al2O3 capping layer on an undoped HfO2 thin film. The crystal phase transition and polarization switching characteristics according to the temperature conditions of the HfO2 atomic layer deposition (ALD) process were evaluated, and it was confirmed that the polarization characteristics, leakage current, and endurance of the ferroelectric capacitor with the metal- insulator-ferroelectric-metal (MIFM) structure were significantly improved through the stabilization of the ferroelectric phase, which is the orthorhombic phase (o-phase). This suggests an effective methodology that can implement excellent ferroelectric characteristics only through interface control without separate doping. Second, by designing the IGZO thin film as a double-layer (DL) structure and depositing it with different oxygen partial pressures (PO2) during the sputtering process, we attempted to improve the performance in a 2-transistor-0-capacitor (2T0C) DRAM cell. The heterogeneous interface formed between the upper and lower IGZO layers served as an additional conduction path, and the storage efficiency and retention time were increased by advantageously utilizing the parasitic capacitance through geometric optimization of the active area. Through this, we propose a performance improvement method of 2T0C DRAM cells by combining structural design and material control. Finally, we designed a HfO2/Al2O3 nanolaminate gate insulator (GI) structure to secure electrical reliability while utilizing high-K dielectrics in the thin film transistor (TFT) constituting the 2T0C DRAM cell. By periodically laminating HfO2 and Al2O3 through a 150 °C ALD process, we simultaneously achieved crystallization suppression and interface defect reduction, which led to low-voltage operation and improved bias stress stability. When applied to an actual 2T0C DRAM cell, it was successfully verified by showing excellent long-term retention behavior. These results provide guidelines for the design of insulators for low-temperature oxide transistor- based memories.
연관 검색어 추천
이 검색어로 많이 본 자료
활용도 높은 자료
