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- 저자 : 강효천 (검색결과 1 건)
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e-beam에 의한 ArF용 PR slimming에 대한 연구
강효천 연세대학교 공학대학원 2003 국내석사
반도체 공정에서 선폭의 관리가 매우 중요한데 고집적화에 따라 현재는 전자를 사용하는 전자현미경을 이용하여 이를 측정하고 있다. 반도체 공정이 고집적화 됨에 따라 기존의 장파장(KrF, 248nm)을 이용한 포토 레지스트 (PR) 노광으로는 패턴형성이 어려워 단파장인 ArF 광원(193nm)을 이용한 PR 패턴형성 공정이 도입되었다. ArF 광원을 이용하여 패턴된 PR은 SEM을 이용하여 선폭을 측정할 때 전자현미경에서 방출된 전자와 PR과의 반응에 의해 PR 수축이 발생한다. 이러한 PR 수축은 측정된 데이터의 신뢰성을 저하시켜 해결해야 할 문제로 현재 여러 시도들이 이루어지고 있다. 이번 실험을 통해 PR 수축은 전자현미경에서 방출되는 전자의 에너지와 직접적인 관계가 있고 전자의 침투깊이에 해당하는 영역에서 전자와 PR의 반응에 의해 수축이 발생하는 것을 알게 되었다. 또한 PR의 물성과도 관계가 있는데 이는 PR을 구성하는 성분과 결합되어 있는 구조적 특성이 전자의 에너지에 의해 반응하는 정도를 결정하는 것으로 보인다. 이에 대해서는 이번실험에서 자세히 다루어지지 않았는데 추후 전자와 PR의 반응을 PR 물성과 열역학적 측면에서 보다 심도 있게 다루는 실험이 필요하다. A critical dimension (CD) control has been very important in semiconductor process as the design rule is small. We use CDSEM having an electron source for the CD control. As the design rule is small, We have used the ArF source instead of KrF for photo lithography. Resist patterned by ArF source is slimmed to reduce the CD being exposed by the electron source. The impact of the pattern slimming of resist features may result in measurement precision and accuracy errors. The magnitude and the cause of these effects is not well understood This experiment shows that primary beam energy of SEM and properties of PR have an effect on the slimming of PR patterned by ArF source and the slimming occurs in the region penetrated by electrons.
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