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강양원,윤기정,홍창희 동아대학교 공과대학 부설 한국자원개발연구소 1991 硏究報告 Vol.15 No.1
Deep level transient spectroscopy(DLTS) is a techique to chacterize traps in semicondoctor. This technieque has shown good sensitivity and accuracy for obtaining the four main physical parameters of deep traps:activation energy, trap concentration, majority or minority trap and capture cross section. DLTS signal is the difference between the transient capacitance at two sampling times(rate window) selected. During the thermal scan, there is a maximum or minimum peak corresponding to trap level. Trap level is found to 0.49 or 0.32eV below the conduotion band at 256K and 175K.
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강양원 장안대학 산업경제연구소 2004 産業技術硏究 Vol.13 No.1
본 논문에서는 최근 부각되고 있는 인터넷을 통한 전자상거래 시스템이 인터넷과 같은 개방형 통신망 환경에서 전자상거래 시스템들의 보안을 위한 각종 암호화 알고리즘에 관련된 보안 요소 기술들에 대한 고찰과 이러한 기술들이 전자상거래 시스템에서 어떻게 응용되고 적용되었는가를 중심으로 고찰하였다.
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한국인의 교육열 : 교육기관 후견형 지위상승 모델의 형성과 전개, 1945-1985
강양원 연세대학교 교육연구소 1994 연세 교육연구 Vol.7 No.1
본 논문은 한국의 교육열과 학교교육의 공동화 현상을 설명하는 기존의 이론적 틀들의 제한점을 지적하고, 한국의 사회-문화적, 정치적, 경제적, 역사적 맥락에서 교육을 통한 지위 상승 제도의 역사적 유래, 그 방법과 양상을 밝히고자 시도한다. 대중의 교육열은 역사적으로 해방 후 근대화와 경제발전의 과정에서 기능주의 지향적인 교육 정책과 경제개발 정책에 의해 유도되어 출현한 교육기관의 후견형 지위상승 방법이라는 사회 이동 방법이 지속되고 팽배되는 사회적-문화적 맥락에서 형성되었다고 주장한다. 이것은 일류대를 향한 고등교육열의 고조와 학력주의, 시험을 위주로 하는 학위병을 초래했다고 지적한다. 이 연구를 통해서 본고는 기능주의에 입각한 능력주의, 교육의 경쟁적 선발제도 등의 개념들을 한국적 맥락에서 경험적으로 검토, 비판 할 수 있는 이론적 근거를 마련하고자 한다. 교육열이라든가, 학위병 등의 중요한 교육의 문제들을 보다 거시적이고 장기적인 차원에서 이해할 수 있는 이론적 이해와 정책적 고려을 제시한다.
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강양원 長安大學 2005 長安論叢 Vol.25 No.1
디지털정보화사회가 고도화되고, 전자상거래가 활성화됨에 따라 암호 기술의 사회, 경제적 활용은 특정분야에서 이용되는 특수기술에서 차세대 사회 경제의 기반기술로 크게 변화하고 있으며, 정보보호 역기능에 대비하기 위한 암호기술의 필요성이 증대하고 있다. 본 논문에서는, 인터넷 환경 하에서 전자상거래시 요구되는 안전한 연결을 보장하고 원활한 상거래가 가능하기 위해 안전한 요소 즉, 전자상거래 보안 방식에 대해 연구한다.
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강양원 한국성인교육학회 1999 Andragogy Today : International Journal of Adult & Vol.2 No.4
가부장제도가 존속하는 사회에서 "여자"라는 이유는 여성들에게 남성과는 구별되는 독특한 성차별을 경험하게 한다.여성들은 성 차별적인 사회화를 통해 피치 못하게 사회나 가정이 부과하는 성 역할과 행동규범,감정양식을 가지고 살아가게 된다. 그러나 동시에 여성들은 자신의 정체성과 역할이 경시되거나 남성보다 열등하게 취급되는 상황들을 경험하면서 내심 감정을 상해왔다.
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DLTS 기법을 이용한 Schottky Diode 특성에 관한 연구
강양원,강정호,홍창희 동아대학교 공과대학 부설 한국자원개발연구소 1990 硏究報告 Vol.14 No.2
Deep Level Transient Spectrosoopy(DLTS) has been widely used in studying deep-level trapping centers in semiconductors. The conventional method of determining trap capture cross section, activation energy, trap concentration by DLTS peak amplitude as a function of filling pulse duration. A method is proposed that involves observing the DLTS peak amplitude change as the observation rate window(t₂- t₁) is varied for a fixed-duration filling pulse. This gives consistent results for the capture cross section and its dependence on temperature. Analysis of the technique is given and comparison between theory and experiment is presented for two electron traps in bulk schottky diode.
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