http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
- 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
- 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
- 검색키워드
- 저자 : 갈진하 (검색결과 6 건)
- 무료
- 기관 내 무료
- 유료
-
롤투롤 연속 인쇄 공정용 플렉시블 유기태양전지 모듈 제조 기술 개발
갈진하 한국공업화학회 2016 한국공업화학회 연구논문 초록집 Vol.2016 No.0
유기태양전지(Organic Photovoltaic, OPV)의 가장 큰 장점은 롤투롤 인쇄 공정을 통한 대면적화, 양산화가 가능하다는 점이며, 롤투롤 인쇄 공정은 상업화의 핵심 기술이라고 볼 수 있다. 코오롱중앙기술원은 2009년부터 유기태양전지 개발에 착수하여, 현재 롤투롤 연속 인쇄 공정 기반의 유연 유기태양전지 제조 기술, Pilot Line을 보유하고 있으며, 시제품 개발을 병행하면서 사업화를 추진하고 있다. 본 발표를 통해 에너지기술개발사업(전담기관 : 한국에너지기술평가원) "유연 유기태양전지 모듈 및 이를 적용한 off-grid 지능형 광고 미디어 제품 개발" 과제에서 코오롱중앙기술원이 개발하고 있는 롤투롤 연속 인쇄 공정을 적용한 유연 유기태양전지 모듈 제조 기술을 소개하고 핵심 기술 및 사업화 관련 이슈를 공유하고자 한다.
-
Short-gate SOI MESFET의 문턱 전압 표현 식 도출을 위한 해석적 모델
갈진하(Jin-Ha Kal),서정하(Chung-Ha Suh) 대한전자공학회 2008 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.45 No.7
본 논문에서는 short-gate SOI MESFET의 문턱전압 도출을 위한 간단한 해석적 모델을 제시하였다. 완전 공핍된 실리콘채널 영역에서는 2차원 Poisson 방정식을, buried oxide 영역에서는 2차원 Laplace 방정식을 반복법(iteration method)을 이용해 풀어 각 영역 내에서의 전위 분포를 채널에 수직한 방향의 좌표에 대해 5차 다항식으로 표현하였으며 채널 바닥 전위를 구하였다. 채널 바닥 전위의 최소치가 0이 되는 게이트 전압을 문턱 전압으로 제안하여 closed-form의 문턱 전압 식을 도출하였다. 도출된 문턱 전압 표현 식을 모의 실험한 결과, 소자의 구조 parameter와 가해진 bias 전압에 대한 정확한 의존성을 확인할 수 있었다. In this paper, a simple analytical model for deriving the threshold voltage of a short-gate SOI MESFET is suggested. Using the iteration method, the Poisson equation in the fully depleted silicon channel and the Laplace equation in the buried oxide region are solved two-dimensionally. Obtained potential distributions in each region are expressed in terms of fifth-order of x , where x denotes the coordinate perpendicular to the silicon channel direction. From them, the bottom channel potential is used to describe the threshold voltage in a closed-form. Simulation results show the dependencies of the threshold voltage on the various device geometry parameters and applied bias voltages.
-
-
1LB-7 플렉시블 유기태양전지 모듈 제조 기술 개발 및 사업화 모델
문정열,갈진하,조근상 한국공업화학회 2017 한국공업화학회 연구논문 초록집 Vol.2017 No.1
유기태양전지(Organic Photovoltaic, OPV)의 가장 큰 장점은 롤투롤 인쇄 공정을 통한 대면적화, 양산화가 가능하다는 점이며, 롤투롤 인쇄 공정은 상업화의 핵심 기술이라고 볼 수 있다. 코오롱중앙기술원은 2009년부터 유기태양전지 개발에 착수하여, 현재 롤투롤 연속 인쇄 공정 기반의 유연 유기태양전지 제조 기술, Pilot Line을 보유하고 있으며, 시제품 개발을 병행하면서 사업화를 추진하고 있다. 본 발표를 통해 롤투롤 연속 인쇄 공정을 적용한 플렉시블 모듈 제조 기술에 대해서 소개하고, 성능 향상 및 장기 수명 관련 이슈에 대해서 고찰하고자 한다. 더불어 유기태양전지를 적용하여 사업화가 가능한 유망 분야 및 관련 제품 개발 현황을 공유하고, 사업화 전반에 걸친 핵심 이슈들에 대해 고민하고자 한다.
-
-
단 채널 GaAs MESFET의 속도 포화영역에서 2차원 전위 도출을 위한 해석적 모델
오영해(Young-Hae Oh),장은성(Eun-Sung Jang),양진석(Jin-Seok Yang),최수홍(Soo-Hong Choi),갈진하(Jin-Ha Kal),한원진(Won-Jin Han),홍순석(Sun-Suck Hong) 대한전자공학회 2008 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.45 No.11
본 논문에서는 단 채널 GaAs MESFET의 포화영역에서의 I-V 특성을 도출하기 위한 해석적 모델을 제안하였다. 기존의 단 채널 GaAs MESFET에 대한 해석이 채널 pinch-off의 개념이 도입되는 모델이었던 반면, 본 논문에서는 전자의 속도 포화영역이 유한한 채널 폭을 갖으면서 전류 연속 조건을 만족하도록 공핍영역의 2차원 전위 분포 식을 도출하였다. 또한 속도 포화영역의 길이를 채널 전체 길이, 채널 도핑 농도, 게이트 전압 및 드레인 전압의 함수로 도출하여 포화영역에서의 Early 효과를 보다 합리적으로 설명할 수 있음을 보이고 있다. In this paper, we suggest an analytical model that can derive the I-V characteristics in the saturation region of a short channel GaAs MESFET. Instead of the pinch-off concept that has been used in the conventional models, we can derive the two-dimensional potential in the depletion region in order that the velocity saturation region cannot be pinched-off and the current continuity condition can be satisfied. Obtained expression for the velocity saturation length is expressed in terms of the total channel length, channel doping density, gate voltage, and drain voltage. Compared with the conventional channel length shortening models, the present model seems to be considerably accurate and more reasonable in explaining the Early effect.
ScienceON연관 검색어 추천
이 검색어로 많이 본 자료
활용도 높은 자료
