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        다기준 의사결정기법의 불확실성 분석기법을 이용한 기후변화 취약성에 대한 지역별 우선순위 결정

        송재열,정은성 한국수자원학회 2017 한국수자원학회논문집 Vol.50 No.2

        본 연구는 강건성 지수와 불확실성 분석기법을 활용하여 기후변화 취약성 평가과정에서 발생하는 불확실성을 정량화하였다. 본 연구는 우리나 라의 6개 광역시(부산, 대구, 인천, 광주, 대전, 울산)를 대상으로 다기준 의사결정기법 중 하나인 TOPSIS 기법을 이용하여 용수공급 취약성 순위를 산정하였다. 강건성 지수는 두 대상 도시의 순위가 가중치의 변화로 인해 순위역전현상이 발생할 수 있는 가능성을 정량화하고 불확실성 분석 기법 은 두 도시 사이에 순위역전이 발생할 수 있는 가중치의 최소 변화량을 산정한다. 그 결과 인천과 대구는 용수공급 측면에서 취약한 것으로 나타났 으며, 대구와 부산은 용수공급 취약성에 민감한 것으로 나타났다. 따라서 대구는 다른 대안에 비해 상대적으로 용수공급이 취약한 지역으로 나타났 으나, 취약성에 민감하기 때문에 기후변화 적응대책 수립 및 시행을 통해 취약성이 크게 향상될 수 있을 것으로 판단된다. 본 연구는 기후변화와 용 수공급 측면에서의 적응전략을 계획하고 수립하는데 있어서 우선적으로 고려해야하는 방향을 제안하는 데 사용될 수 있다. In this study, robustness index and uncertainty analysis were proposed to quantify the risk inherent in the process of climate change vulnerability assessment. The water supply vulnerability for six metropolitan cities (Busan, Daegu, Incheon, Gwangju, Daejeon, and Ulsan), except for Seoul, were prioritized using TOPSIS, a kind of multi-criteria decision making method. The robustness index was used to analyze the possibility of rank reversal and the uncertainty analysis was introduced to derive the minimum changed weights of the criteria that determine the rank reversal between any paired cities. As a result, Incheon and Daegu were found to be very vulnerable and Daegu and Busan were derived to be very sensitive. Although Daegu was relatively vulnerable against the other cities, it can be largely improved by developing and performing various climate change adaptation measures because it is more sensitive. This study can be used as a preliminary assessment for establishing and planning climate change adaptation measure.

      • KCI등재
      • KCI등재

        이온 보조 증착에 의한 BN 박막의 합성 및 응용

        송재열,김석원 한국물리학회 2006 새물리 Vol.53 No.3

        In synthesizing boron-nitride (BN) thin films by using the ion-beam-assisted deposition method, we charged the ion energy and the ion flux, which are major factors of the synthetic process, to study its applicability as a protective layer for an AC-PDP. The research included the optical transmittance, the etching resistance caused by energetic ion bombardment in a plasma environment, and the characteristic of secondary electron emission (SEE). The results, obtained by analyzing the synthetic behavior of BN thin films for changes in the synthetic process factors are as follows: at a substrate bias of -100 volts, hBN, which is a sp$^2$-bonded BN, was synthesized; at -200 volts, a BN allotrope due to the crystallographic distortion of hBN was synthesized; at -300 volts, the synthesis of eBN, sp$^3$-bonded BN, was observed; and at -350 volts, the phase transition, which is a reccurrence of sp$^2$-bonded BN at the deposition condition of sp$^3$ BN, was observed. In addition, the results from the study of the applicability of a BN thin film to an AC-PDP protective layer showed a transmittance of 95 \% or higher, indicating optical transmission characteristics equivalent to or better than those of MgO thin films, and the SEE coefficient measured by using $\gamma$-FIB, was up to 1.64 times higher than the coefficient of MgO films. Hence, the BN thin films synthesized by using the ion beam assisted deposition method had better optical transmittance and SEE─basic requirements applied to an AC-PDP protective layer-than MgO thin films currently being used as AC-PDP protective layers. The present study has demonstrated the possibility of using BN thin films to replace MgO thin films. 이온빔 보조 증착법에 의해 BN 박막을 합성함에 있어 합성 공정의 주요 인자인 이온 에너지와 이온 플럭스를 변화시키며 AC-PDP용 보호막재료로서의 적용성을 광학적 투과도, 플라즈마로 부터의 가속 충돌 이온에 의한 식각 저항성, 이차전자 방출 특성 측면에서 검토하였다. 합성 공정인자의 변화에 따른 BN (질화붕소: boron nitride) 박막의 합성 거동을 살펴본 결과 - 100 V의 기판 바이어스 음전위 인가 조건에서는 sp$^2$ bonded BN 박막인 hBN이 합성되었고 - 200 V에서는 hBN의 결정학적 왜곡으로 인해 BN 동소체가 합성되었으며 - 300 V에서는 sp$^3$ 구조를 가진 BN인 eBN 합성이 관찰되었으며 - 350 V에서는 sp$^3$ BN이 나타나는 증착조건에서 다시 sp$^2$ BN이 나타나게 되는 상전이 현상이 관찰되었다. 또한 BN 박막 시편을 AC-PDP 보호막으로의 적용 가능성을 검토한 결과에서는 95 \%이상의 투과도를 보여 MgO 박막 대비 동등 이상의 광학적 투과 특성을 나타내었으며 $\gamma$-FIB를 이용한 2차 전자 방출 계수 측정에서는 MgO 대비 최대 1.64배 높은 2차 전자 방출 계수를 보였다. 따라서 이온빔 보조 증착법에 의해 합성된 BN 박막은 AC-PDP 보호막으로 적용되는 기본 요건인 광학적 투명성과 2차 전자 방출 특성은 기존에 AC-PDP 보호막으로 적용되고 있는 MgO 박막에 비해 우수하여 BN 박막이 MgO 박막을 대체할 수 있는 가능성을 확인하였다.

      • KCI등재

        Water Management Analysis Module 모형을 이용한 투수성포장시설의 설계 및 계획 매개변수 도출

        송재열,정은성,송영훈,Song, Jae Yeol,Chung, Eun-Sung,Song, Young Hoon 한국수자원학회 2018 한국수자원학회논문집 Vol.51 No.6

        본 연구는 도시 유역의 물 순환을 개선시키기 위해 최근 활발하게 적용되고 있는 저영향개발(low impact development, LID) 시설의 설계 및 계획 매개변수를 선정하기 위한 방법을 제시하였다. 이때 Storm Water Management Model (SWMM) 모형의 LID 시설 모의 기능을 활용하여 다양한 매개변수에 대해 민감도 분석 및 다양한 시나리오를 자동으로 수행하여 비교할 수 있도록 개발된 Water Management Analysis Module (WMAM)을 이용하였다. 본 연구는 최근 도시화가 진행되고 있는 서울의 한 유역에 적용하였다. 적용 결과 LID 중 하나인 투수성포장 시설이 없는 경우와 임의로 결정된 설계 및 계획 시나리오 보다 본 방법을 통해 도출된 시나리오가 총유출량 및 첨두유량 감소와 침투량 증가에 더 좋은 효과를 보였다. 향후 경제성을 고려한 방법을 개발한다면 실무에서도 활용될 수 있을 것으로 예상된다. This study presents a systematic framework to derive the best values of design and planning parameters for low impact development (LID) practices. LID was developed to rehabilitate the distorted hydrological cycle due to the rapid urbanization. This study uses Water Management Analysis Module (WMAM) to perform sensitivity analysis and multiple scenario analysis for LID design and planning parameters of Storm Water Management Model (SWMM). This procedure was applied to an urban watershed which have experienced rapid urbanization in recent years. As a result, the design and planning scenario derived by WMAM shows lower total flows and peak flow, and larger infiltration than arbitrary scenarios for LID design and planning parameters. In the future, economic analysis can be added for this application in the field.

      • KCI등재

        크레인 충돌 방지를 위한 특징 추출 기반의 SLAM 기법

        송재열,고윤호 제어·로봇·시스템학회 2022 제어·로봇·시스템학회 논문지 Vol.28 No.3

        There is an increasing need for Simultaneous Localization and Mapping (SLAM) technology due to the recent demand forautonomous driving, metaverse, and augmented reality (AR) technologies. On industrial sites, demands for SLAM technologies thataccurately estimate locations and generate precise maps of surrounding areas are becoming increasingly important for collisionprevention between cranes. The research in this paper proposes a SLAM technology based on feature extraction techniques that createa precise map of the workspace in an industrial site by attaching a double-axis rotary Lidar to a tower crane. This configurationcompensates for the limitation in single-axis rotary Lidar’s detection range. The double-axis rotary Lidar has a wider detection rangethan rotary Lidar, but the distribution of the collected data is irregular due to shaking and the difference in rotational speeds of the twomotors in separate axes. SLAM techniques, including feature extraction and motion estimation suitable for these data characteristics,were introduced to aid in improving these data irregularities. Even when the SLAM algorithm operates accurately, the presence ofafterimages from a dynamic object on the map can prevent effective collision performance and result in an inaccurate representation ofthe workspace. This paper explores an algorithm that effectively removes afterimages by scoring all the points collected by Lidar. Theperformance accuracy of the proposed SLAM method was evaluated by comparing the results of Mapping with those of conventionalLOAM and G-ICP processes using data from attaching double-axis Lidar to the tower crane. .

      • KCI우수등재
      • KCI등재

        저온에서 수소 처리시킨 다결정 실리콘 n-TFT의 열화특성 분석

        송재열,이종형,한대현,이용재,Song, Jae-Yeol,Lee, Jong-Hyung,Han, Dae-Hyun,Lee, Yong-Jae 한국정보통신학회 2008 한국정보통신학회논문지 Vol.12 No.9

        경사형 스페이서와 LDD 영역을 갖는 다결정 실리콘 TFT를 제작하였다. 소자 특성의 신뢰성을 위해 수소($H_2$)와 수소/플라즈마 처리 공정으로 수소 처리된 n-채널 다결정실리콘 TFT 소자를 제작하였다. 소자에 최대 누설전류의 게이트 전압 조건에서 소자에 스트레스를 인가시켰다. 게이트 전압 스트레스 조건에 의해 야기되는 열화 특성인자들인 드레인 전류, 문턱전압($V_{th}$), 부-문턱전압 기울기(S), 최대 전달 컨덕턴스($g_m$), 그리고 파워인자 값을 측정/추출하였으며, 수소처리 공정이 소자 특성의 열화 결과에 미치는 관계를 분석하였다. 특성 파라미터의 분석 결과, 수소화 처리시킨 n-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터에서 열화특성의 원인들은 다결정실리콘/산화막의 계면과 다결정 실리콘의 그레인 경계에서 실리콘-수소 본드의 해리에 의한 현수 본드의 증가이었다. 따라서 새로 제안한 다결정 TFT의 구조는 제작 공정 단계가 간단하며, 소자 특성에서 누설전류가 드레인 영역 근처 감소된 수평 전계에 의해 감소되었다. We have fabricated the poly-silicon thin film transistor(TFT) which has the LDD-region with graded spacer. The devices of n-channel poly-si TFT's hydrogenated by $H_2$ and $H_2$/plasma processes were fabricated for the devices reliability. We have biased the devices under the gate voltage stress conditions of maximum leakage current. The parametric characteristics caused by gate voltage stress conditions in hydrogenated devices are investigated by measuring/analyzing the drain current, leakage current, threshold voltage($V_{th}$), sub-threshold slope(S) and transconductance($G_m$) values. As a analyzed results of characteristics parameters, the degradation characteristics in hydrogenated n-channel polysilicon TFT's are mainly caused by the enhancement of dangling bonds at the poly-Si/$SiO_2$ interface and the poly-Si grain boundary due to dissolution of Si-H bonds. The structure of novel proposed poly-Si TFT's are the simplicities of the fabrication process steps and the decrease of leakage current by reduced lateral electric field near the drain region.

      • KCI등재후보

        3G, 4G LTE 환경에 적합한 0.11μm CMOS 저전력, 광대역의 저잡음증폭기 설계

        송재열,이경훈,박성모,Song, Jae-Yeol,Lee, Kyung-Hoon,Park, Seong-Mo 한국전자통신학회 2014 한국전자통신학회 논문지 Vol.9 No.9

        3G부터 4G LTE까지의 전체 대역에 적용이 가능한 저전력, 광대역 저잡음증폭기를 설계하였다. 설계한 광대역 다중입력 저잡음증폭기는 기존의 3G인 CDMA의 대역인 1.2GHz대역과 LTE대역인 2.5GHz대역까지 넓은 주파수 대역을 안정적으로 증폭이 가능하고, 다중입력방식을 통해 입력신호의 크기에 관계없이 안정적인 증폭이 가능하도록 설계하였다. 설계된 저잡음증폭기는 1.2V의 공급전압에서 약 0.6mA의 전류를 소모하고, 이는 Cadence사의 컴퓨터 시뮬레이션을 통해 검증하였다. 낮은 입력신호에 대응한 증폭은 최대 20dB이고, 신호에 따라 최저 -10dB의 이득값을 얻을 수 있었다. 잡음특성(NF : Noise Figure)은 High Gain모드에서 15dB이하, Low Gain 모드에서 3dB이하를 가진다. We present the Low Power Broadband Low noise amplifier(LNA) that can be applied a whole bandwidth from 3G to 4G LTE. This multi input LNA was designed to steadily amplify through a multi input method regardless the size of the input signal and operate on a wide range of frequency band from a standard 3G CDMA band 1.2GHz to LTE band 2.5GHz. The designed LNA consumes an average of 6mA on a 1.2V power supply and this was affirmed using computer simulation tests. The amplification which was corresponded to the lowest input signal is at a maximum of 20dB and was able to obtain the minimum value of the gain of -10dB. The Noise figure is less than 3dB at a High-gain mode and is less than 15dB at a Low-gain mode.

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