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Bhattacharya, D. SPRINGER-VERLAG WIEN NEW YORK 1997 PLANT SYSTEMATICS AND EVOLUTION SUPPLEMENTUM Vol.11 No.-
Three-Dimensional Simulation of Orientation-Dependent Wet Chemical Etching
Horn, A., Wachutka, G. Wien; New York:; Springer, 2004 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICOND Vol.- No.-
Full Three-Dimensional Analysis of a Non-Volatile Memory Cell
Hossinger, A., Minixhofer, R., Selberherr, S. Wien; New York:; Springer, 2004 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICOND Vol.- No.-
3D Simulation of Process Effects Limiting FinFET Performance and Scalability
Burenkov, A., Lorenz, J. Wien; New York:; Springer, 2004 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICOND Vol.- No.-
A Method for Determining the Screening Length of the Coulombic Scattering in Non-Degenerate and Degenerate Semiconductors
Rudan, M., Perroni, G. Wien; New York:; Springer, 2004 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICOND Vol.- No.-
On the Relationship between Carrier Mobility and Velocity in Sub-50 nm MOSFETs via Calibrated Monte Carlo Simulation
Nayfeh, O. M., Yu, S., Antoniadis, D. A. Wien; New York:; Springer, 2004 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICOND Vol.- No.-
A Local Mobility Model for Ultra-Thin DGSOI nMOSFETs
Schenk, A. Wien; New York:; Springer, 2004 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICOND Vol.- No.-
On the Validity of the Relaxation Time Approximation for Macroscopic Transport Models
Grasser, T., Kosina, H., Selberherr, S. Wien; New York:; Springer, 2004 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICOND Vol.- No.-
Modeling CVD effects in Atomic Layer Deposition on the Feature Scale
Jacobs, W., Kersch, A., Prechtl, G., Schulze Ickin Wien; New York:; Springer, 2004 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICOND Vol.- No.-
Simulation of GaN-Based Light-Emitting Devices
Piprek, J. Wien; New York:; Springer, 2004 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICOND Vol.- No.-
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