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Growth of InGaSb quantum dot structures on GaAs and silicon substrates
N. Yamamoto, K. Akahane, S. Gozu, A. Ueta, N. Ohta Institute of Pure and Applied Physics 2007 Japanese Journal of Applied Physics Vol.46 No.4B
1.55-μm-waveband emissions from Sb-based quantum-dot vertical-cavity surface-emitting laser structures fabricated on GaAs substrate
N. Yamamoto, K. Akahane, S. Gozu, A. Ueta, N. Ohta Institute of Pure and Applied Physics 2006 Japanese Journal of Applied Physics Vol.45 No.4B
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Ueta, N. ELSEVIER 1993 Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Vol.334 No.1
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IPACK2005-73112 Measurement of Local Residual Stress of a Flip Chip Structure Using a Stress Sensing Chip
Ueta, N., Miura, H. ASME, 2005 ADVANCES IN ELECTRONIC PACKAGING Vol.- No.B
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Target characteristics and the precision of nuclear measurements
Ueta, N., Engel, W. G. P., Medina, N. H., Pereira, Elsevier 1997 Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Vol.397 No.1
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Chitose, N., Ueta, S., Seino, S., Yamamoto, T. A. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2003 Chemosphere Vol.50 No.8
Developmental and aging change of orexin-A and -B immunoreactive neurons in the male rat hypothalamus
Sawai, N., Ueta, Y., Nakazato, M., Ozawa, H. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2010 Neuroscience letters Vol.468 No.1
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