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Conformable Formation of High Quality Ultra-Thin Amorphous Ta~2O~5 Gate Dielectrics Utilizing Water Assisted Deposition (WAD) for Sub 50 nm Damascene Metal Gate MOSFETs
Inumiya, S. IEEE; 1998 2000 Technical digest Vol.- No.-
2.1 A Thermally-Stable Sub-0.9nm EOT TaSix/HfSiON Gate Stack with High Electron Mobility, Suitable for Gate-First Fabrication of hp45 LOP Devices
Inumiya, S., Akasaka, Y., Matsuki, T., Ootsuka, F. IEEE; 1998 2005 Technical digest Vol.- No.-
Inumiya, S., Akasaka, Y., Matsuki, T., Ootsuka, F. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2005 INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING Vol.2005 No.-
Mechanism of Threshold Voltage Reduction and Hole Mobility Enhancement in pMOSFETs Employing Sub-1 nm EOT HfSiON by Use of Substrate Fluorine Ion Implantation
Inumiya, S., Uedono, A., Miyazaki, S., Ohtsuka, S. Business Center for Academic Societies; 1998 2006 SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS Vol.2006 No.-
14:20 A-1-3 Extendibility of High Mobility HfSiON Gate Dielectrics
Inumiya, S., Miura, T., Shirai, K., Matsuki, T., T Japan Society of Applied Physics 2005 Solid state devices and materials Vol.2005 No.-
Improvement in NBTI of Metal Gate pMOSFETs with Sub-1 nm EOT HfSiON Gate Dielectric by Ar/N~2/H~2(D~2) Plasma Nitridation
Inumiya, S., Aoyama, T., Nara, Y. Pennington, N.J.:; The Electrochemical Society, 2006 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.2006 No.2
High-Mobility and Low-Vth Metal Gate CMOSFETs with Ultra-Thin HfSiON Gate Dielectrics Using TaSiN/TaSix Stacked Electrode and Selective Substrate Fluorine Implantation
Inumiya, S., Matsuki, T., Aoyama, T., Nara, Y. Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2007 ECS Transactions Vol.6 No.3
Sub-1.3 nm Amorphous Tantalum Pentoxide Gate Dielectrics for Damascene Metal Gate Transistors
Inumiya, S. Japanese Journal of Applied Physics; 1999 2000 Japanese Journal of Applied Physics Vol.39 No.4B
Fabrication of High-Mobility Nitrided Hafnium Silicate Gate Dielectrics with Sub-1-nm Equivalent Oxide Thickness Using Plasma Nitridation and High-Temperature Postnitridation Annealing
Inumiya, S., Miura, T., Shirai, K., Matsuki, T., T Japanese Journal of Applied Physics; 1999 2006 Japanese Journal of Applied Physics Vol.45 No.4B
Improvement in NBTI of Metal Gate pMOSFETs with Sub-1nm EOT HfSiON Gate Dielectric by Ar/N~2/H~2(D~2) Plasma Nitridation
Inumiya, S., Aoyama, T., Nara, Y. Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2006 ECS Transactions Vol.3 No.3
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