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X-ray photoelectron spectroscopy damage characterization of reactively ion etched InP in CH~4-H~2 plasmas
Feurprier, Y., Cardinaud, C., Turban, G. American Vacuum Society 1997 Journal of Vacuum Science & Technology. B Vol.16 No.4
Microloading effect in ultrafine SiO~2 hole/trench etching
Feurprier, Y., Chinzei, Y., Ogata, M., Kikuchi, T. American Vacuum Society 1998 Journal of Vacuum Science & Technology. A Vol.17 No.4
F-Based Plasmas for the Etching of Pt
Feurprier, Y.,Takamura, Y.,Ichiki, T.,Horiike, Y. Electrochemical Society 1999 PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV Vol.30 No.-
Proposal for an etching mechanism of InP in CH~4-H~2 mixtures based on plasma diagnostics and surface analysis
Feurprier, Y. SLACK INCORPORATED 1998 Journal of Vacuum Science & Technology. A Vol.16 No.3/2
Surface modification and etch product detection during reactive ion etching of InP in CH~4-H~2 plasma
Feurprier, Y. IOP PUBLISHING 1997 PLASMA SOURCES SCIENCE AND TECHNOLOGY Vol.6 No.3
Etch product identification during CH~4-H~2 RIE of InP using mass spectrometry
Feurprier, Y. IOP PUBLISHING 1997 PLASMA SOURCES SCIENCE AND TECHNOLOGY Vol.6 No.4
High Aspect Ratio SiO~2 Etching Employing Fluorocarbon Substituting Gases
Feurprier, Y., Ogata, M., Ozawa, M., Kikuchi, T. Institute of Electrical Engineers of Japan 1998 PROCEEDINGS OF SYMPOSIUM ON DRY PROCESS Vol.20 No.-
Damage Induced on InP by ICP Processes in CH~4-H~2 Chemistry
Cardinaud, C., Feurprier, Y., Rolland, L., Turban, Electrochemical Society 1997 PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV Vol.97-30 No.-
O~2 Addition Effects to C~3F~6 + Trimethylsilane Mixture in High Aspect Ratio SiO~2 Etching
Chinzei, Y., Feurprier, Y., Ichiki, T., Horiike, Y Institute of Electrical Engineers of Japan 1998 PROCEEDINGS OF SYMPOSIUM ON DRY PROCESS Vol.20 No.-
In-situ Observation of Si Native Oxide Removal Employing Hot NH~3/NF~3 Exposure
Ogawa, H.,Arai, T.,Feurprier, Y.,Takamura, Y.,Ichi Institute of Electrical Engineers of Japan 1999 PROCEEDINGS OF SYMPOSIUM ON DRY PROCESS Vol.21 No.-
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