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"Optical, Electrical and Structural-Properties of Hydrogenated Amorphous Si-C Alloys Deposited by Different Hydrocarbon-Gas Mixtures"
Ambrosone-G,Capezzuto-P,Catalanotti-S,Coscia-U,Mor unknown 2000 Philosophical Magazine B Vol.80 No.4
Growth-Etching Competitive Mechanism Governing the Structure and Chemical-Composition of Plasma-Deposited Silicon-Based Materials
Ambrosone-G,Bruno-G,Capezzuto-P,Cicala-G,Coscia-U unknown 2000 Philosophical Magazine B Vol.80 No.4
Confronto di unita didattiche sul tema delle proiezioni ortogonali
Capezzuto, P.,Ermito, G. Tacchi Editore 1990 DIDAMATICA -PROCEEDINGS- Vol.- No.-
Glow Discharge Deposition of Amorphous Silicon Films: Role of SiF~4/SiH~4 Gas Ratio and of Plasma Modulation
Capezzuto, P.,Cicala, G.,Losurdo, M.,Bruno, G. Stephens 1994 EUROPEAN PHOTOVOLTAIC SOLAR ENERGY CONFERENCE Vol.12 No.-
A Prolegomena to a Future Dianoia: Kant's Moral Philosophy and Plato's Divided Line
Capezzuto, P. The Society 1994 EUROPEAN LEGACY Vol.2 No.2
From amorphous to microcrystalline silicon: Moving from one to the other by halogenated silicon plasma chemistry
Bruno, G., Capezzuto, P., Giangregorio, M., Bianco Taylor & Francis 2009 PHILOSOPHICAL MAGAZINE Vol.89 No.28-30
Deposition of silicon-germanium alloys under plasma modulation conditions
G. Bruno, p. capezzuto, M. Losurdo, p. Manodoro, G North-Holland 1991 Journal of non-crystalline solids Vol.137-138 No.2
Plasma deposition of SiC:H thin films from SiF4-CH4-H2-He mixtures (PO.8.243)
Cicala, G., Capezzuto, P., Bruno, G., Rossi, M.C. Orleans; GREMI, CNRS 2001 INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON PLASMA CHEMISTRY Vol.15 No.5
Plasmas for the Low-Temperature Growth of High-Quality GaN Films by Molecular Beam Epitaxy and Remote Plasma MOCVD
Losurdo, M., Capezzuto, P., Bruno, G., Namkoong, G ACADEMIC VERLAG GMBH 2002 Physica Status Solidi. A Vol.190 No.1
In situ real time ellipsometry monitoring during GaN epilayers processing
Losurdo, M. Capezzuto, P. Bruno, G. Elsevier 1998 Materials Science and Engineering B Vol.59 No.1-3
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