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Hiyoshi, T., Hori, T., Suda, J., Kimoto, T. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2008 IEEE transactions on electron devices Vol.55 No.8
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Hiyoshi, T., Hori, T., Suda, J., Kimoto, T. Stafa-Zurich; United Kingdom; Trans Tech Publications 2008 Materials Science Forum Vol.600-603 No.-
Impacts of recombination at the surface and in the substrate on carrier lifetimes of n-type 4H-SiC epilayers (7 pages)
Kimoto, T., Hiyoshi, T., Hayashi, T., Suda, J. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2010 Journal of Applied Physics Vol.108 No.8
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Kanda, E., Eguchi, T., Hiyoshi, Y., Chino, T., Tsu SOCIETY FOR INFORMATION DISPLAY 2008 SID International Symposium. Digest of Technical P Vol.39 No.2
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Hiyoshi, T., Masuda, T., Wada, K., Harada, S., Nam Transtec Publications; 1999 2013 Materials Science Forum Vol.740-742 No.-
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T. Hiyoshi ,J. A. Wada . unknown 1988 Electroencephalography and clinical neurophysiolog Vol.70 No.-
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Hiyoshi, T., Kambe, D., Karasawa, J. i., Chaki, S. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2014 Neuropharmacology Vol.85 No.-
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Discovery of novel antipsychotics targeting group II metabotropic glutamate receptor
Hiyoshi, T., Chaki, S., Okuyama, S. NIPPON YAKURI GAKKAI 2012 Folia Pharmacologica Japonica (Kyoto, 1944) Vol.140 No.3
Elimination of the Major Deep Levels in n- and p-Type 4H-SiC by Two-Step Thermal Treatment
Hiyoshi, T., Kimoto, T. JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS 2009 Applied Physics Express Vol.2 No.9
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