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Jmerik, V. N. ELSEVIER SCIENCE DIVISION 2000 Journal of crystal growth Vol.214-215 No.-
Structural and optical properties of PA MBE AlGaN quantum well heterostructures grown on c-Al2O3 by using flux- and temperature-modulated techniques
Jmerik VN, Nechaev DV, Rouvimov S, Ratnikov VV, Ko Cambridge University Press 2015 Journal of materials research Vol.30 No.19
Selective area growth of N-polar GaN nanorods by plasma-assisted MBE on micro-cone-patterned c-sapphire substrates
Jmerik, V.N., Kuznetsova, N.V., Nechaev, D.V., Shu Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2017 Journal of crystal growth Vol.477 No.-
AlGaN-based quantum-well heterostructures for deep ultraviolet light-emitting diodes grown by submonolayer discrete plasma-assisted molecular-beam epitaxy
Jmerik, V. N., Mizerov, A. M., Shubina, T. V., Sak Springer Science + Business Media 2008 Semiconductors Vol.42 No.12
Site-Controlled Growth of GaN Nanorods with Inserted InGaN Quantum Wells on μ-Cone Patterned Sapphire Substrates by Plasma-Assisted MBE
Jmerik, V. N., Shubina, T. V., Nechaev, D. V., Sem Springer Nature 2018 Semiconductors Vol.52 No.5
Low-threshold 303 nm lasing in AlGaN-based multiple-quantum well structures with an asymmetric waveguide grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on c-sapphire (3 pages)
Jmerik, V.N., Mizerov, A.M., Sitnikova, A.A., Kop AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2010 Applied Physics Letters Vol.96 No.14
Optical Control of Group-III and N Flux Intensities in Plasma-Assisted MBE with RF Capacitively-Coupled Magnetron Nitrogen Activator
Jmerik, V. N., Vekshin, V. A., Davydov, V. Y., Rat ACADEMIC VERLAG GMBH 2001 Physica Status Solidi. A Vol.188 No.2
Optically pumped lasing at 300.4 nm in AlGaN MQW structures grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on c-Al2O3
Jmerik, V. N., Mizerov, A. M., Shubina, T. V., Tor John Wiley & Sons, Ltd 2010 Physica Status Solidi. A Vol.207 No.6
Plasma-assisted molecular beam epitaxy of AlGaN heterostructures for deep-ultraviolet optically pumped lasers
Jmerik, V. N., Lutsenko, E. V., Ivanov, S. V. John Wiley & Sons, Ltd 2013 Physica Status Solidi. A Vol.210 No.3
Monolayer‐Range Compositional Modulations in AlxGa1−xN(x = 0.6–0.75) Layers Grown Using Plasma‐Assisted Molecular Beam Epitaxy under Me‐Rich Conditions with an Off‐Centered Spatial Distribution of Activated Nitrogen Flux
Jmerik, Valentin, Nechaev, Dmitrii, Yagovkina, Mar John Wiley & Sons, Ltd 2022 Physica Status Solidi. A Vol.219 No.6
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