RISS 처음 방문이세요?
학술연구정보서비스 검색
MyRISS
회원서비스
설정
About RISS
RISS 처음 방문 이세요?
고객센터
RISS 활용도 분석
최신/인기 학술자료
해외자료신청(E-DDS)
RISS API 센터
해외전자정보서비스 검색
Databases & Journals
해외전자자료 이용안내
해외전자자료 통계
http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
최근 검색 목록
통합검색 DB 원하는 DB만 선택하여 검색하실 수 있습니다.
A~C
D~L
M~W
- 해외DB품목별 바로가기 버튼()을 통하여 직접 접속 하시면, 접근 권한이 있는 이용자에 한해 DB별 검색 가능
- JCR, PML, ProQuest Central 품목은 체크박스에 개별 선택을 통한 제한 검색 불가
※ 구독기관 소속 이용자에 한하여 품목명 오른편의 바로가기 버튼() 으로 직접 접속이 가능하며, JCR은 통합검색 후 출력되는 화면 내에서도 이용 가능
개별검색 DB통합검색이 안되는 DB는 DB아이콘을 클릭하여 이용하실 수 있습니다.
전분야 전자저널
전분야 신문기사
교육분야
전분야
영어사전
법학분야
통계정보 및 조사/분석시스템
해외석박사학위논문 목록
해외석박사학위논문 원문
예술 / 패션
법률/뉴스정보(미국, 영연방)
법률/뉴스정보(일본)
법률/뉴스정보(중국)
법률/뉴스정보(프랑스)
<해외전자자료 이용권한 안내>
- 이용 대상 : RISS의 모든 해외전자자료는 교수, 강사, 대학(원)생, 연구원, 대학직원에 한하여(로그인 필수) 이용 가능
- 구독대학 소속 이용자: RISS 해외전자자료 통합검색 및 등록된 대학IP 대역 내에서 24시간 무료 이용
- 미구독대학 소속 이용자: RISS 해외전자자료 통합검색을 통한 오후 4시~익일 오전 9시 무료 이용
※ 단, EBSCO ASC/BSC(오후 5시~익일 오전 9시 무료 이용)
RISS 인기검색어
검색결과 좁혀 보기
좁혀본 항목 보기순서
오늘 본 자료
16Gbit/s multiplexer IC using double mesa Si/SiGe heterojunction bipolar transistors
Schreiber, H.-U. IEE 1993 Electronics Letters Vol.29 No.25
Measuring of Low Contact Resistivities of CoSi~2 on Shallow B-Junctions
Schreiber, H.-U., Wiemann, M. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2005 IEEE transactions on electron devices Vol.52 No.10
Si/siGe heterojunction bipolar transistor with base doping highly exceeding emitter doping concentration
H.-U. Schreiber, B.G. Bosch, E. Kasper, H. Kibbel [Institution of Electrical Engineers] 1989 Electronics Letters Vol.25 No.3
Novel Oxide Planarization for Integrated High-Speed Si/SiGe Heterojunction Bipolar Transistors
Schreiber, H.-U. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 1996 IEEE transactions on electron devices Vol.43 No.6
A 30-Gbit/s Demultiplexer IC Based on Si/SiGe Emitter Base Heterojunction Bipolar Transistors
Schreiber, H.-U. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 1999 IEEE transactions on electron devices Vol.46 No.6
Improved Light-Emitting Performance of Si pn-Diodes by Exploiting Edge Effects
Schreiber, H.-U. ELECTROCHEMICAL SOCIETY AND INSTITUTE OF ELECTRONICS ENGINEERS 2007 Electrochemical and solid-state letters Vol.10 No.7
High-speed double mesa Si/SiGe heterojunction bipolar transistor fabricated by selfalignment technology
H.-U. Schreiber [Institution of Electrical Engineers] 1992 Electronics Letters Vol.28 No.5
Dc characteristics and stability behaviour of high-speed Si/SiGe HBTs undoped SiGe spacer between base and collector
H.-U. Schreiber, J.N. Albers [Institution of Electrical Engineers] 1992 Electronics Letters Vol.28 No.13
11.4 Gbit/s silicon bipolar multiplexer IC employing 2 μm lithography transistors
H.-U. Schreiber, J.N. Albers, B.G. Bosch [Institution of Electrical Engineers] 1989 Electronics Letters Vol.25 No.25
Boron doping of SiGe base of heterobipolar transistors
H. Kibbel, E. Kasper, P. Narozny, H.-U. Schreiber Elsevier BV * North-Holland 1990 Thin Solid Films Vol.184 No.1-2
이 검색어로 많이 본 자료
활용도 높은 자료