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Photoluminescence from porous layers formed on phosphorus-implanted silicon by Ag-assisted chemical etching
Gabouze, N., Hadjersi, T., Guerbous, L. John Wiley & Sons, Ltd 2007 Physica Status Solidi C Vol.4 No.6
Electrical and optical characterizations of TiC/porous Si/Si structures
Gabouze, N., Ait-Hamouda, K., Ouendadji, S., Henda Elsevier 2004 Superlattices and microstructures Vol.36 No.1-3
CH~x - porous silicon structures for gas sensing applications
Gabouze, N., Belhousse, S., Cheraga, H. Wiley - VCH 2005 Physica Status Solidi C Vol.2 No.9
Electrical and optical characterizations of TiC/porous Si
Gabouze, N., Ait-Hamouda, K., Ouendadji, S., Henda Elsevier Science B.V., Amsterdam 2004 Superlattices and microstructures Vol.36 No.1-3
Morphology of phosphorous-implanted p-type silicon electrochemically etched in HF electrolyte
Gabouze, N., Hadjersi, T., Cheraga, H., Menseri, A Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2006 Vacuum Vol.80 No.5
Effect of methanol concentration on flatband potential shift of n-type Si in CH3CN/CH3OH mixture containing a redox couple
Gabouze, N. PERGAMON PRESS 2002 Vacuum Vol.67 No.1
Electrochemical properties of plasma-modified Si surfaces
Gabouze, N. ELSEVIER SCIENCE 2002 Surface science Vol.507-510 No.1-3
A new preferential etch of silicon (111) with ammonia system
Influence of Pd layer on the sensitivity of CHx /PS
Gabouze, N., Cheraga, H., Belhousse, S., Ghellai, John Wiley & Sons, Ltd 2007 Physica Status Solidi. A Vol.204 No.5
Chemical etching of mono and poly-crystalline silicon in HF/K~2Cr~2O~7
Gabouze, N., Belhousse, S., Outemzabet, R. Institute of Physics, Slovak Academy of Sciences; 1997 2003 ACTA PHYSICA SLOVACA Vol.53 No.3
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