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Droopad, R. ELSEVIER SCIENCE DIVISION 1993 Journal of crystal growth Vol.127 No.1-4
GaAs on silicon using an oxide buffer layer
Droopad, R., Curless, J., Yu, Z., Jordan, D., Lian Bristol; Institute of Physics Publishing 2003 CONFERENCE SERIES- INSTITUTE OF PHYSICS Vol.- No.174
Gate dielectric on compound semiconductors by molecular beam epitaxy
Droopad, R., Rajagopalan, K., Abrokwah, J., Passla American Vacuum Society; 1999 2006 Journal of Vacuum Science & Technology. B Vol.24 No.3
High-k Crystalline Gate Dielectrics: An IC Manufacturer's Perspective
Droopad, R., Eisenbeiser, K., Demkov, A. A. SPRINGER 2005 SPRINGER SERIES IN ADVANCED MICROELECTRONICS Vol.- No.16
Gate dielectrics on compound semiconductors
Droopad, R., Passlack, M., England, N., Rajagopala Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 MICROELECTRONIC ENGINEERING Vol.80 No.-
Development of GaAs-based MOSFET using molecular beam epitaxy
Droopad, R., Rajagopalan, K., Abrokwah, J., Adams, Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2007 Journal of crystal growth Vol.301-302 No.-
Compound semiconductor MOSFETs
Droopad, R., Rajagopalan, K., Abrokwah, J., Zurche Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2007 MICROELECTRONIC ENGINEERING Vol.84 No.9-10
Determination of molecular beam epitaxial growth parameters by ellipsometry
Droopad, R.,Kuo, C. H.,Anand, S.,Choi, K. Y. American Institute of Physics 1993 Journal of Vacuum Science & Technology. B Vol.12 No.2
Epitaxial ferroelectric oxides on semiconductors- A route towards negative capacitance devices
Droopad, R., Contreras-Guerrero, R., Veazey, J. P. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2013 MICROELECTRONIC ENGINEERING Vol.109 No.-
Optical Properties of a Single Strained InGaAs/GaAs Quantum Well Grown on Vichinal GaAs Surfaces
Droopad, R.,Puechnerm R.A.,Shiralagi, K.T. American Institute of Physics 1991 Applied Physics Letters Vol.58 No.16
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