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GaAs field effect transistors prepared on lattice-mismatched InP substrates for monolithic optoelectronic integration
C.Y. Chen, A. Antreasyan, A.Y. Cho, P.A. Garbinski [Institution of Electrical Engineers] 1984 Electronics Letters Vol.20 No.21
Gas Finds in the Eastern Mediterranean: Gaza, Israel, and Other Conflicts
Antreasyan, A. THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA PRESS 2013 Journal of Palestine studies Vol.42 No.3
Dark noise of Ga0.47 In0.53As photoconductive detectors
A. Antreasyan, C.Y. Chen, P.A. Garbinski [Institution of Electrical Engineers] 1985 Electronics Letters Vol.21 No.24
Low-threshold InGaAsP buried-crescent stop-cleaved lasers for monolithic integration
A. Antreasyan, C.Y. Chen, R.A. Logan [Institution of Electrical Engineers] 1985 Electronics Letters Vol.21 No.9
Monolithically integrated enhancement-mode InP MISFET inverter
A. Antreasyan, P.A. Garbinski, V.D. Mattera, N.J. [Institution of Electrical Engineers] 1986 Electronics Letters Vol.22 No.19
Reply: Dark noise of Ga0.47In0.53As photoconductive detectors
A. Antreasyan [Institution of Electrical Engineers] 1986 Electronics Letters Vol.22 No.8
Monolithically integrated InGaAs p-i-n InP-MISFET PINFET grown by chloride vapor phase epitaxy
Antreasyan, A., Garbinski, P.A., Mattera, V.D., Te IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 1989 IEEE transactions on electron devices Vol.36 No.11
Gigahertz logic based on InP metal-insulator-semiconductor field-effect transistors by vapor phase epitaxy
Antreasyan, A., et al. IEEE 1987 IEEE transactions on electron devices Vol.34 No.9
High-speed enhancement-mode InP MISFET's grown by chloride vapor-phase epitaxy
Antreasyan, A., et al. IEEE 1989 IEEE transactions on electron devices Vol.36 No.2
LOW-THRESHOLD, HIGH QUANTUM EFFICIENCY STOP-CLEAVED INGAASP SEMICONDUCTOR-LASERS
A. Antreasyan, C. Y. Chen, S. G. Napholtz, D. P. W American Institute of Physics 1985 Journal of Applied Physics Vol.58 No.4
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