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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      저자 : Shaolian Su (검색결과 1 건)
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        A Ultra-Low Specific On-Resistance and Extended Gate SJ LDMOS Structure

        Lijuan Wu,Jiaqi Chen,Hang Yang,QiLin Ding,Xing Chen,Shaolian Su 한국전기전자재료학회 2021 Transactions on Electrical and Electronic Material Vol.22 No.3

        A new structure of extended gate (EG) SJ LDMOS is proposed in this paper to overcome the substrate assisted depletion (SAD) eff ect in the structure of Super-Junction lateral double diff used metal oxide semiconductor (SJ LDMOS). Different from other surface SJ structures, the SJ layer of the structure is located in the body of the drift region. Gate oxide and silicon layer form the EG Structure-Oxide-Semiconductor structure that is similar to Metal–Insulator–Semiconductor capacitor. The the N-drift of the EG structure can obtain the charge compensation to overcome the SAD eff ect, and a nearly rectangular electric field is achieved. In the on-state, the EG structure has two conductive channels and the accumulation layer is formed on the drift region. By accumulating high concentration electrons in the channels, the specifi con-resistance ( R ON,sp ) is greatly reduced. When the drift length is 24 μm, 431.4 V breakdown voltage ( V B ) and 9.8 mΩ cm 2 R ON,sp are achieved, and the fi gure of merit is 18.9 MW cm −2 .

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