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Electronic Structure of Si(111)-(7x7) Surfaces
Lim, Hunhwa 慶熙大學校 材料科學技術硏究所 1994 材料科學技術硏究論集 Vol.7 No.-
First principle ab initio 계산에 의한 Si(111)-7×7 표면의 재구조가 Takayanagi 등이 제안한 DAS model로 기술될 수 있음을 보였다. 표면의 unit cell 에서 short diagonal에 대한 asymmetry STM image를 얻었고 이는 다른 계산등과 일치되는 결과들임을 보일 수 있었다.
English title Electronic Band Structure of High-Tc Superconductors
Lim, Hunhwa 경희대학교 자연과학종합연구원 2000 자연과학논문집 Vol.6 No.-
Tl-Ba-Cu계 초전도체의 에너지밴드를 Tight-binding model로 계산하였다. 이들 결과로 Green함수를 결정하여 시료의 국소상태밀도 및 층상태 밀도를 계산하였다. 이를 통하여 시료내에서 초전도 특성의 물리적 기원을 추적하였다. Tight-binding calculation was used to investigate the electronic energy band of TI-Ba-Cu system superconducting. The Green's function of the sample in k-space was determined through the tight-binding parameters. The local and total density of states were calculated by the spectral representation of Green's function. The results of electronic-structure calculation for TI-Ba-Cu system provide insight concerning the origin of high-temperature superconductivity in TI-Ba-Cu system.
Electronic Properties of High-T_(c) Superconductors
Lim, Hunhwa 慶熙大學校 材料科學技術硏究所 1996 材料科學技術硏究論集 Vol.9 No.-
Tight-binding model로 Green 함수를 결정하여 고온초전도체의 국소 및 총 상태밀도를 계산하였다. 이를 통해 YBa_(2)Cu_(3)O_(7) 시료에서 원자의 치환에 의한 전자적 특성 변화를 계산하였다. 계산결과는 초전도 특성에 대한 실험결과와 일치됨을 보이고 예상되는 화학적 특성과 일치되는 결과를 얻었다.
Ab initio Studies of GaN/SiC Interface
Lim, Hunhwa 경희대학교 자연과학종합연구원 1999 자연과학논문집 Vol.5 No.-
Ab initio 방법에 의해 GaN/SiC 계면에서 4가지 형태의 계명에 대한 총 에너지를 계산하였다. Si-N 및 C-Ga 사이에서는 강한 결합을, Si-Ga 및 C-N사이에서는 약한 결합이 형성됨을 보였으며 이들 결합에서 편극배합(polarity matching)이 결정적 역할을 함을 보였다. Ab initio total-energy caculations were used to investigate the GaN/SiC interfaces. Total energies of four types of interfaces were calculated. Strong binding for Si-N and C-Ga and very weak binding for Si-Ga and Ga-N interfaces were formed. In the initial stages of the constructing of GaN/SiC interfaces polarity matching plays a fundamental role in determining the low energy structures.
Atomic Forces in Scanning Tunneling Microscopy on Si(100) : From Weak to Intense Field 약한 장에서 강한 장까지
Lim, Hunhwa 慶熙大學校 1994 論文集 Vol.23 No.-
본 논문에서는 STM tip에 의해서 반도체 표면원자에 작용하는 Hellman-Feynman 힘을 계산하고 이로부터 반도체 표면에서의 전자구조를 결정하고 tip 에 적용되는 voltage에 따라 tip의 반도체표면에 대한 영향력을 조사하였다.
Ab initio Total Energy Calculation and Electronic Structure of UO_(2)
Lim, Hunhwa,Park, Kwangheon,Yun, Younsuk,Song, Kun Woo 경희대학교 자연과학종합연구원 2002 자연과학논문집 Vol.8 No.-
Actinide계 원자나 화합물에서 5f 전자의 행위는 매우 매력적인 주제중의 하나이다. 우리는 fluorite구조에서 5f상태의 효과가 나타나는 UO_(2)를 시료로 택했다. 우리는 두 가지의 전형적인 이론적인 방법인 tight-binding 방법과 ab initio pseudopotential방법을 택하여 UO_(2)의 전자구조를 계산하였고, 이들 시료에서 5f 상태의 역할을 추적 하였다. 여기서 우리가 주로 보고자 하였던 것은 화학결합과정에서 전하의 이동과 공유성과의 상관성을 추적하는데 있다. 계산결과에 의하면, 이온결합으로 알려진 UO_(2)에서 약 30%의 공유결합성을 보였고, 따라서 이들 공유결합성은 시료의 전자구조, 전기 전도도등에 결정적 역할을 하리라 기대된다. The behavior of the 5f states in the actinide atoms and compounds is one of the most fascinating subjects. We have taken uranium dioxide UO_(2) as an example for our investigation, where uranium with a partially filled 5f shell should show the effects of 5f states within fluorite-structured phase. We calculated the electronic structure of UO_(2) by using both two theoretical approaches, tight-binding method and ab initio pseudopotential calculation method, and investigated the role of 5f states in the uranium dioxide. Here we wish to stress the general point, namely, that there is a close connection between the nature of charge transfer in the chemical bonding and covalency. The sample is known as a strong ionic material. However our results show that there are some covalency of about 30%. Thus we expect that the covalency make a critical role in the electronic properties and conductivity of UO_(2).
金鍾卓,林憲華 慶熙大學校 材料科學技術硏究所 1988 材料科學技術硏究論集 Vol.1 No.-
We review various microscopic mechamisms that have been proposed to explain Schottky barriers and Fermi - level pinning, and extent their mechanisms are compatible with the experimental data. The central role of interface states and their different physical origins are discussed. A particular interface system Si/NiSi_(2) is investigated in detail.
Tight-binding Band Structure of Wurtzite Semiconductor AIN
Lee, Jun-Ho,Lim, Byung-Ryul,Lim, Hunhwa 慶熙大學校 材料科學技術硏究所 1990 材料科學技術硏究論集 Vol.3 No.-
Wurtzite型 半導體 인 AIN의 에너지 밴드 구조를 sp^(3)기저를 이용한 Tight-binding 방법에 의하여 계산하였다. 모든 결과들은 최근에 계산된 각종 다른 방법의 계산결과와 오차의 범위내에서 잘 일치됨을 볼 수 있었다.
崔啓成,金鍾卓,林憲華 慶熙大學校 材料科學技術硏究所 1988 材料科學技術硏究論集 Vol.1 No.-
One of the most important Problem in three-dimensional motion is that of a mass moving under the action of a central force inversely proportional to the square of the distance from the center. The conservation laws for angular momentum and energy are consequences of the large degree of symmetry. Actually exploring symmetries and their consequences is essential in the search for the laws of physics. The central force problem is good example for investigations of symmetries and conservation laws. Although some difficulties ate expected making high school students understand. it seems desirable to give them a flirty good intuitive feeling for the connection between symmetries and conservation laws.
Electronic Structure of UO2 from the Density Functional Theory with On-Site Coulomb Repulsion
Younsuk Yun,Hanchul Kim,Hunhwa Lim,Kwangheon Park 한국물리학회 2007 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.50 No.I
We have investigated the electronic structure and the bonding characteristics of UO$_2$ by using density functional theory calculations. With the Coulomb correlation \emph{U} included, an insulating ground state with the antiferromagnetism is correctly predicted. The energy-band structure, projected density of states, and partial charge analysis show that the band-gap opening and the magnetism are governed by the partially filled U $5f$ bands. We also find that four out of the seven 5$f$ subshells hybridize with the neighboring O $2p_{x, y}$ orbitals and are responsible for the chemical bonding in UO$_2$.