http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
딥러닝 기반 실시간 객체 인식을 활용한 조선소 작업현장 CCTV 작업자 삭제 시스템에 관한 연구
김태형(Tae Hyoung Kim),황민욱(Min Wook Hwang),윤태현(Tae Hyun Yoon),정우성(Woo-Sung Jung) 한국통신학회 2021 한국통신학회 학술대회논문집 Vol.2021 No.11
조선 · 해양, 석유화학, 자동차, 물류 등 제조업 현장에서 생산성 향상을 위해 CCTV를 활용한 공정 모니터링의 필요성은 지속적으로 요구되고 있으나, 현장 작업자와 노조 문제 등으로 CCTV 활용이 원활히 이루어지고 있지 않다. 본 연구에서는 딥러닝 기반의 실시간 객체 인식 기술을 활용해 CCTV 영상의 사람 객체를 실시간으로 인식하고 해당 객체를 삭제함으로써 그동안 제조업 현장에서 문제가 되어 왔던 작업자의 프라이버시 문제를 해결한다. 나아가 사람 객체를 실시간으로 인식함으로써 작업자의 이상 행동, 위험 행동 판단, 안전 수칙 이행 인식 등 다양한 인식 용도로 활용되어 작업자의 안전을 보장하고 제조업 현장의 생산성 향상에 활용될 수 있을 것으로 보인다.
MOCVD Bi₄Ti₃O₁₂ 박막의 실리콘 위에서의 증착기구 및 유기 금속원료의 펄스주입법에 의한 박막 특성 개선
이석규(Seok Kiu Lee),김준형(Joon Hyeong Kim),최두현(Doo Hyun Choi),황민욱(Min Wook Hwang),엄명윤(Myung Yoon Um),김윤해(Yoon Hae Kim),김진용(Jin Yong Kim),김형준(Hyeong Joon Kim) 한국진공학회(ASCT) 2000 Applied Science and Convergence Technology Vol.9 No.4
실리콘 기판 위에서 TiO₂와 Bi₂O₃의 박막 성장은 반응속도론 측면에서 커다란 차이를 보였지만, Bi₄Ti₃O₁₂ (BIT) 박막의 성장은 주로 TiO₂ 성장 거동에 의해 지배를 받았다. 그 결과, BIT 박막은 bismuth가 부족한 조성을 가지게 되었다. 박막 내에 부족한 bismuth의 양을 보충해 줌으로써 이러한 문제점을 해결하고자 펄스 주입 유기 금속 화학 기상 증착(MOCVD) 방법을 사용하였다. 이러한 펄스 주입법에 의해 bismuth의 양은 증가하였고 또한, 박막의 깊이 방향으로의 조성이 균일해졌고 Bi₄Ti₃O₁₂과 Si사이의 계면이 향상되었다. 게다가, Bi₄Ti₃O₁₂ 박막의 결정성은 크게 향상되었고 누설 전류 밀도는 연속 주입법에 비해 ½에서 ⅓정도 낮아졌다. 시계 방향의 C-V 이력 곡선이 관찰되었고 이로 인해 펄스 주입법에 의해 증착된 Bi₄Ti₃O₁₂ 박막은 강유전성에 의해 스위칭이 됨을 알 수 있었다. There was a great difference in the formation kinetics of TiO₂ and Bi₂O₃ on silicon, but the growth of bismuth titanate (BIT) thin film was mainly limited by the formation of TiO₂. As a result, the BIT film was easy to be lack of bismuth. The pulse injection metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) process was introduced in order to overcome this problem by recovering the insufficient bismuth content in the film. By this pulse injection method, bismuth content was increased and also the uniform in-depth composition of the film was attained with a abrupt Bi₄Ti₃O₁₂/Si interface. In addition, the crystallinity of Bi₄Ti₃O₁₂ thin film prepared by pulse injection process was greatly improved and the leakage current density was lowered by ½~⅓ of magnitude. Clockwise hysteresis of C-V was observed and the ferroelectric switching was confirmed for Bi₄Ti₃O₁₂ film deposited by pulse injection method.