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초기 동맥혈 Carboxyhemoglobin 농도가 높았던 화상 환자들의 예후지표에 관한 연구
최창순 ( Choe Chang Sun ),김철홍 ( Kim Cheol Hong ),김근숙 ( Kim Geun Sug ),이태유 ( Lee Tae Yu ),정연손 ( Jeong Yeon Son ),엄광석 ( Eom Gwang Seog ),박용범 ( Park Yong Beom ),장승훈 ( Jang Seung Hun ),김동규 ( Kim Dong Gyu ),박 대한결핵 및 호흡기학회 2003 Tuberculosis and Respiratory Diseases Vol.55 No.2
Gate-Induced Drain Leakage를 줄인 새로운 구조의 고성능 Elevated Source Drain MOSFET에 관한 분석
김경환,최창순,김정태,최우영,Kim, Gyeong-Hwan,Choe, Chang-Sun,Kim, Jeong-Tae,Choe, U-Yeong 대한전자공학회 2001 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.38 No.6
GIDL(Gate-Induced Drain-Leakage)을 줄일 수 있는 새로운 구조의 ESD(Elevated Source Drain) MOSFET을 제안하고 분석하였다. 제안된 구조는 SDE(Source Drain Extension) 영역이 들려진 형태를 갖고 있어서 SDE 임플란트시 매우 낮은 에너지 이온주입으로 인한 저활성화(low-activation) 효과를 방지 할 수 있다. 제안된 구조는 건식 식각 및 LAT(Large-Angle-Tilted) 이온주입 방법을 사용하여 소오스/드레인 구조를 결정한다. 기존의 LDD MOSFET과의 비교 시뮬레이션 결과, 제안된 ESD MOSFET은 전류 구동능력은 가장 크면서 GIDL 및 DIBL(Drain Induced Barrier Lowering) 값은 효과적으로 감소시킬 수 있음을 확인하였다. GIDL 전류가 감소되는 원인으로는 최대 전계의 위치가 드레인 쪽으로 이동함에 따라 최대 밴드간 터널링이 일어나는 곳에서의 최대 전계값이 감소되기 때문이다. A novel self-aligned ESD (Elevated Source Drain) MOSFET structure which can effectively reduce the GIDL (Gate-Induced Drain Leakage) current is proposed and analyzed. The proposed ESD structure is characterized by sidewall spacer and recessed-channel depth which are determined by dry-etching process. Elevation of the Source/Drain extension region is realized so that the low-activation effect caused by low-energy ion implantation can be avoided. Unlike the conventional LDD structures, it is shown that the GIDL current of the ESD structure is suppressed without sacrificing the maximum driving capability. The main reason for the reduction of GIDL current Is the decreased electric field at the point of the maximum band-to-band tunneling as the peak electric field is shifted toward the drain side.