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참깨 뿌리배양에 의한 hydroxymethylfurfrual 생산
천재안(Jae-An Chun),이진우(Jin-Woo Lee),이영병(Young-Byung Yi),홍성식(Seong-Sig Hong),조강진(Kang-Jin Cho),정정한(Chung-Han Chung) 한국생명과학회 2009 생명과학회지 Vol.19 No.12
참깨의 뿌리를 바이오촉매로 이용한 뿌리 배양을 통하여 HMF를 생산하기 위하여 뿌리의 생장과 HMF의 합성에 적합한 뿌리배양 조건을 탐색하였으며, 이를 위하여 NAA(naphthalene acetic acid), silver nitrate의 적정 농도조건 및 적정 배양온도 조건에 대한 실험이 수행되었다. 뿌리의 생장이 가장 높은 처리구는 30℃에서 NAA의 농도가 1.0 ㎎/ℓ로 첨가된 처리구에서 측정되었으며, 평균적으로 볼 때 두 배양 온도(25℃와 30℃)간에는 뿌리의 생장차이는 측정되지 않았다. NAA가 첨가되지 않은 처리에서는 두 배양온도 모두에서 참깨의 뿌리생장이 전혀 생기지 않은 반면에, NAA가 첨가된 배양에서는 두 배양온도에서 뿌리의 생장이 확인되었다. 그리고 0.5 ㎎/ℓ의 질산은이 첨가된 처리구에서 참깨의 뿌리생장이 가장 높게 측정되었으며, 25℃에서 배양된 처리구 보다는 30℃에서 배양된 뿌리의 생장이 약간 높게 나타났고, 질산은의 농도가 0.5 ㎎/ℓ 이상의 높은 농도에서는 뿌리의 생장이 오히려 감소되는 경향이 있었다. 그리고 HMF의 합성의 경우 가장 높게 측정된 처리구는 배양온도 25℃에서 NAA 0.5 ㎎/ℓ이 첨가된 처리구에서 측정된 반면에 NAA 무처리구에서는 HMF 합성이 측정되지 않았다. 질산은이 첨가된 처리구에서는 HMF의 합성이 오히려 억제되는 경향을 보여준 반면에 질산은의 무처리구에서 HMF의 합성이 가장 높은 결과가 나타났다. 질산은의 농도가 0.5, 1.0 및 1,5 ㎎/ℓ로 처리된 구에서는 질산은 무처리구에 비해서 약 8-10% 정도의 HMF 합성이 감소되는 경향이 나타났으며, 두 배양 온도(25℃와 30℃ 배양) 간에도 HMF의 합성에는 차이가 보이지 않았다. Recently, hydroxymethylfurfrual (HMF) has been highlighted as a key intermediate for the production of liquid biofuels and other valuable compounds. We used sesame roots as a biocatalyst to synthesize HMF using flask cultures. The synthesis of HMF was identified by GC-mass analysis. The highest root growth was observed in cultures with 1.0 ㎎/ℓ NAA at 30℃, while root growth was not found in those without NAA treatment. When silver nitrate (AgNO₃) was added, the root growth was greatest in those treated with 0.5 ㎎/ℓ AgNO₃ and cultured at 30℃. In the case of HMF synthesis, its highest yield was obtained in those treated with 0.5 ㎎/ℓ NAA at 25℃, but low HMF was detected in those treated without naphthaleneacetic acid (NAA). The addition of AgNO₃ to the culture medium showed a 8-10% reduction in HMF yield compared to that of the control, indicating its inhibitory effect on the synthesis of HMF. On the whole, an optimal culture temperature for HMF synthesis seemed to be between 25-30℃.
RESS 공정에 의한 griseofulvin 미세입자의 제조
주창식(Chang Sik Ju),천재기(Jae Kee Cheon),이석희(Seok Hee Lee),홍성수(Seong Soo Hong),김홍룡(Hong Lyong Kim),우기주(Ki Ju Woo) 한국공업화학회 2002 공업화학 Vol.13 No.1
초임계 유체를 이용하여 의약품 입자의 크기와 형상을 제어하는 기술 개발 연구의 일환으로, RESS 공정을 사용하여 griseofulvin의 미세입자를 제조하는 실험을 행하였다. 초임계 유체는 CO_2를 사용하였고, 팽창관으로는 orifice disk와 capillary nozzle을 사용하였다. 침출온도와 침출압력 등 통상적으로 중요시되는 조작변수들은 물론, 팽창관의 종류와 형태, 특히 결정화 매체의 종류 및 결정화조 내부로 유입되는 질소 기류가 생성되는 griseofulvin 미세 입자의 크기와 형상에 미치는 영향을 실험적으로 조사하였다. 결정화 매체로 수용액을 사용하면 대기를 사용한 경우보다 생성되는 입자의 크기와 결정성이 증가하였으며, 1 vol%의 Tween 80 수용액을 사용한 경우에 입자간의 응집이 최소가 되는 것을 알았다. 팽창관 주위로 고온의 질소 기류를 유입시키면 매우 미세한 입자를 얻을 수 있었다. For the purpose of development of a supercritical process, controlling the shape and size of the pharmaceutical products, we performed experiments on the RESS process preparing griseofulvin fine particles. Supercritical fluid was CO_2, and orifice disk and capillary nozzle were adapted as expansion devices. Besides leaching temperature and pressure, which are rhe major operating parameters for the common researches in RESS process, we examined the effect of crystallization media and introduction of hot N_2 stream to the crystallization unit on the shape and size of griseofulvin fine particles. When supercritical griseofulvin solutions were expanded into aqueous solutions, size and crystallinity of the particles increased compared to those expanded into atmosphere. Our results showed that very fine griseofulvin particle could be obtained by introducing hot N_2 stream to the atmospheric crystallization unit.
연속 조성 확산 증착 방법을 통한 저항 온도 계수의 튜닝
박지훈 ( Ji-hun Park ),선정우 ( Jeong-woo Sun ),최우진 ( Woo-jin Choi ),진상준 ( Sang-joon Jin ),김진환 ( Jin-hwan Kim ),전동호 ( Dong-ho Jeon ),윤생수 ( Saeng-soo Yun ),천재일 ( Jae-il Chun ),임진주 ( Jin-ju Lim ),조욱 ( Wook Jo 한국전기전자재료학회 2024 전기전자재료학회논문지 Vol.37 No.3
The low-temperature coefficient of resistance (TCR) is a crucial factor in the development of space-grade resistors for temperature stability. Consequently, extensive research is underway to achieve zero TCR. In this study, resistors were deposited by co-sputtering nickel-chromium-based composite compositions, metals showing positive TCR, with SiO<sub>2</sub>, introducing negative TCR components. It was observed that achieving zero TCR is feasible by adjusting the proportion of negative TCR components in the deposited thin film resistors within certain compositions. Additionally, the correlation between TCR and deposition conditions, such as sputtering power, Ar pressure, and surface roughness, was investigated. We anticipate that these findings will contribute to the study of resistors with very low TCR, thereby enhancing the reliability of space-level resistors operating under high temperatures.