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65-nm CMOS 300 GHz 영상 검출기 및 영상 획득
윤대근(Daekeun Yoon),송기룡(Kiryong Song),이재성(Jae-Sung Rieh) 한국전자파학회 2014 한국전자파학회논문지 Vol.25 No.7
본 논문에서는 65-nm CMOS 공정을 이용하여 300 GHz 주파수 대역의 영상 검출기를 제작하고, 이에 기반하여 영상을 획득하였다. 검출기 회로 구조는 square-law 동작에 기초를 두고 있다. 제작된 검출기는 285 GHz에서 2,270 V/W의 최대 반응도(responsivity)와 38 pW/Hz<SUP>1/2</SUP>의 최소 NEP(Noise Equivalent Power)를 보였으며, 250~305 GHz의 범위에서 NEP<~200 pW/Hz<SUP>1/2</SUP>를 보였다. 측정용 패드와 밸룬(Balun)을 포함한 제작된 칩의 크기는 400 μm×450 μm이며, 측정용 요소들을 제외한 주요 칩의 크기는 150 μm×100 μm이다. In this work, a 300 GHz imaging detector has been developed and image has been acquired in a 65-nm CMOS technology. The circuit was designed based on the square-law of MOSFET devices. The fabricated detector exhibits a maximum responsivity of 2,270 V/W and minimum NEP of 38 pW/Hz<SUP>1/2</SUP> at 285 GHz, and NEP<~200 pW/Hz<SUP>1/2</SUP> for 250~305 GHz range. The chip size is 400 μm× 450 μm including the probing pads and a balun, while the core of the circuit occupies only 150 μm×100 μm.
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65-㎚ RFCMOS공정 기반 145 ㎓ 이미징 검출기
윤대근(Daekeun Yoon),김남형(Namhyung Kim),김동현(Dong-Hyun Kim),이재성(Jae-Sung Rieh) 한국전자파학회 2013 한국전자파학회논문지 Vol.24 No.11
본 논문에서는 고주파 이미징 시스템에 사용되는 D-band 이미징 검출기(imaging detector)를 65-㎚ CMOS 공정을 이용하여 설계 및 제작한 결과를 보인다. 검출기 회로 구조는 resistive self-mixing 원리에 기초를 두고 있다. 제작된 검출기는 145 ㎓에서 400 V/W의 최대 반응도(responsivity)와 100 pW/㎐<SUP>1/2</SUP>의 최소 NEP(Noise Equivalent Power)를 보였다. 제작된 회로의 크기는 측정용 패드와 밸룬을 포함하여 400㎛ × 450㎛이며, 중심 회로의 크기는 150㎛ × 100㎛이다. In this work, a D-band imaging detector has been developed in a 65-㎚ CMOS technology for high frequency imaging application. The circuit was designed based on the resistive self-mixing of MOSFET devices. The fabricated detector exhibits a maximum responsivity of 400 V/W and minimum NEP of 100 pW/㎐<SUP>1/2</SUP> at 145 ㎓. The chip size is 400㎛ × 450㎛ including the probing pads and a balun, while the core of the circuit occupies only 150㎛ × lOO㎛.
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