http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
- 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
- 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
RISS 인기검색어
- 검색키워드
- 저자 : 손희근(Heegeon Son) (검색결과 2 건)
- 무료
- 기관 내 무료
- 유료
-
Co-sputtered HfO₂-Al₂O₃을 게이트 절연막으로 적용한 IZO 기반 Oxide-TFT 소자의 성능 향상
손희근(Heegeon Son),양정일(Jungil Yang),조동규(Dongkyu Cho),우상현(Sanghyun Woo),이동희(Donghee Lee),이문석(Moonsuk Yi) 大韓電子工學會 2011 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.48 No.6
투명 산화물 반도체 (Transparent Oxide-TFT)를 활성층과 소스/드레인, 게이트 전극층으로 동시에 사용한 비결정 indium zinc oxide (a-IZO), 절연층으로 co-sputtered HfO₂-Al₂O₃ (HfAlO)을 적용하여 실온에서 RF-magnetron 스퍼터 공정에 의해 제작하였다. TFT의 게이트 절연막으로써 HfO₂ 는 그 높은 유전상수 ( >20)에도 불구하고 미세결정구조와 작은 에너지 밴드갭 (5.31eV) 으로 부터 기인한 거친 계면특성, 높은 누설전류의 단점을 가지고 있다. 본 연구에서는, 어떠한 추가적인 열처리 공정 없이 co-sputtering에 의해 HfO₂와 Al₂O₃를 동시에 증착함으로써 구조적, 전기적 특성이 TFT 의 절연막으로 더욱 적합하게 향상되어진 HfO₂ 박막의 변화를 x-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM) and spectroscopic ellipsometer(SE)를 통해 분석하였다. XRD 분석은 기존 HfO₂ 의 미세결정 구조가 Al₂O₃와의 co-sputter에 의해 비결정 구조로 변한 것을 확인 시켜 주었고, AFM 분석을 통해 HfO₂ 의 표면 거칠기를 비교할 수 있는 RMS 값이 2.979 ㎚ 인 것에 반해 HfAlO의 경우 0.490 ㎚로 향상된 것을 확인하였다. 또한 SE 분석을 통해 HfO₂ 의 에너지 밴드 갭 5.17 eV 이 HfAlO 의 에너지 밴드 갭 5.42 eV 로 향상 되어진 것을 알 수 있었다. 자유 전자 농도와 그에 따른 비저항도를 적절하게 조절한 활성층/전극층 으로써의 IZO 물질과 게이트 절연층으로써 co-sputtered HfAlO를 적용하여 제작한 Oxide-TFT 의 전기적 특성은 이동도 10㎠/V·s 이상, 문턱전압 2 V 이하, 전류점멸비 10? 이상, 최대 전류량 2 ㎃ 이상을 보여주었다. A transparent oxide thin film transistors (Transparent Oxide-TFT) have been fabricated by RF magnetron sputtering at room temperature using amorphous indium zinc oxide (a-IZO) as both of active channel and source/drain, gate electrodes and co-sputtered HfO₂-Al₂O₃ (HfAlO) as gate dielectric. In spite of its high dielectric constant ( >20), HfO₂ has some drawbacks including high leakage current and rough surface morphologies originated from small energy band gap (5.31eV) and microcrystalline structure. In this work, the incorporation of Al₂O₃ into HfO₂ was obtained by co-sputtering of HfO₂ and Al₂O₃ without any intentional substrate heating and its structural and electrical properties were investigated by x-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM) and spectroscopic ellipsometer (SE) analyses. The XRD studies confirmed that the microcrystalline structures of HfO₂ were transformed to amorphous structures of HfAlO. By AFM analysis, HfAlO films (0.490㎚) were considerably smoother than HfO₂ films (2.979㎚) due to their amorphous structure. The energy band gap (Eg) deduced by spectroscopic ellipsometer was increased from 5.17eV (HfO₂) to 5.42eV (HfAlO). The electrical performances of TFTs which are made of well-controlled active/electrode IZO materials and co-sputtered HfAlO dielectric material, exhibited a field effect mobility of more than 10㎠/V·s, a threshold voltage of ~2 V, an Ion/off ratio of >10?, and a max on-current of >2 ㎃.
-
Bathophenanthroline를 interlayer로 적용한 C<SUB>60</SUB> 기반의 n형 유기박막트랜지스터의 성능
김정수(Jeongsu Kim),손희근(Heegeon Son),이문석(Moonsuk Yi) 大韓電子工學會 2010 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.47 No.8
본 논문에서는 BPhen(Bathophenanthroline)과 BPhen에 Cs가 도핑 된 interlayer를 C<SUB>60</SUB>활성층과 Al전극사이에 주입해 C60을 기반으로 한 유기박막트랜지스터 (OTFTs)를 제작하여 전기적 특성을 향상시켰다. BPhen층을 증착하면 유기물과 금속층계면의 표면 거칠기가 낮아져 결과적으로 성능이 향상되는 것을 알 수 있었다. 또한 BPhen에 Cs가 도핑 된 interlayer를 co-evaporation을 이용하여 주입하였을 경우는 Contact resistance가 감소하였다. 이러한 C<SUB>60</SUB>을 기반으로 한 BPhen에 Cs가 도핑 된 interlayer를 삽입한 유기박막트랜지스터는 향후 n형 유기박막트랜지스터를 제작하는데 있어서 적용이 될 것이라고 기대된다. In this paper, C<SUB>60</SUB> based Organic thin film transistor OTFTs) have been fabricated using BPhen(Bathophenanthroline) and BPhen doped with Cs interlayers between C<SUB>60</SUB> active layer and Al electrodes to improve the electrical performance. The addition of the BPhen layer resulted in enhanced performances by reducing surface roughness between organic-metal interface. And the contact resistance was reduced by using the BPhen doped with Cs interlayer with co-evaporation method. These performances suggests that the C<SUB>60</SUB> based OTFT with BPhen doped with Cs interlayer is a promising application in the fabrication of n-type organic transistors.
연관 검색어 추천
이 검색어로 많이 본 자료
활용도 높은 자료
