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      • KCI등재

        단일 비아 위치를 이용한 PCB의 복사성 방사 성능 향상

        김리진(Li-Jin Kim),이재현(Jae-Hyun Lee) 한국전자파학회 2009 한국전자파학회논문지 Vol.20 No.12

        본 논문은 신호 전송용 비아가 있는 4층 PCB(Printed Circuit Boards)의 P/G(power/ground)면 사이에서 발생되는 공진을 상쇄시켜 복사성 방사(RE: Radiated Emission) 성능을 개선할 수 있는 기법을 제안하였다. 면간 공진 상쇄를 확인하기 위하여 비아가 있는 4층 PCB에서 신호 전송 선로의 전송 특성, PCB 개방 모서리를 통한 방사(radiation)와 RE 세기를 계산하고, 측정하여 제안된 기법의 타당성을 입증하였다. The cancellation method of P/G(power/ground) plane resonances which are generated between the power plane and the ground plane in a 4-layer PCB(Printed Circuit Boards) with a via-hole for the improvement of the RE(Radiated Emission) characteristic is presented. The validity of the proposed method was confirmed from simulation and measurement of performances of signal transmission characteristic, intensities of edge-radiation and radiated emission of PCB with a via-hole.

      • KCI등재

        관통형 비아가 있는 다층 PCB의 SI 성능 연구

        김리진(Li-Jin Kim),이재현(Jae-Hyun Lee) 한국전자파학회 2010 한국전자파학회논문지 Vol.21 No.2

        본 논문은 관통형 비아와 전송 선로 사이의 임피던스 불연속과 P/G(Power/Ground) 면 사이에서 발생되는 공진으로 인한 클록 신호 응답 성능 저하가 관통형 비아(through-hole via)가 있는 4층 PCB(Printed Circuit Boards)의 SI(Signal Integrity) 성능에 악영향을 미치는 것을 이론적으로 분석하였다. 비아 구조의 집중소자 모델링을 이용한 반사 전압 계산과 TDR(Time Domain Reflector) 시뮬레이션 결과 비교로 관통형 비아와 전송 선로 사이의 임피던스 불연속 최소화 시킬 수 있고, 관통형 비아 위치를 이용한 P/G면 공진 상쇄의 시뮬레이션 결과로 클록 신호 응답 성능을 향상시킬 수 있음을 확인하였다. In this paper, SI(Signal Integrity) characteristic of the 4-layer PCB(Printed Circuit Boards) with a through-hole via was analyzed by impedance mismatching between the through-hole via and the transmission line, and deterioration of clock pulse response characteristic due to the P/G plane resonances which are generated between the power and the ground plane. The minimized impedance mismatching between the through-hole via and the transmission line for the improving of SI characteristic is confirmed by the TDR(Time Domain Reflector) simulation and lumped element modeling of the through-hole via. And the cancellation method of P/G plane resonances for improvement of the SI characteristic is represented by simulation result.

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