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김광일(K. I. Kim),이상환(S. H. Lee),정욱진(W. J. Chung),배영호(Y. H. Bae),권영규(Y. K. Kwon),김범만(B. M. Kim),桑野 博(H. Kuwano) 한국진공학회(ASCT) 1993 Applied Science and Convergence Technology Vol.2 No.4
Si 기판에 Ar 이온을 주입하였을 때 형성된 결함의 급속열처리 온도에 따른 성장 및 회복기구를 단면 투과전자현미경과 RB(Rutherford backscattering) spectra 그리고 thermal wave(TW) modulation reflectance법으로 분석하였다. Dose 량이 1×10^(15)㎝^(-2)의 경우에 표면에서부터 연속적인 비정질층이 형성되었으나, 그 이하의 dose량에서는 비정질층이 형성되지 않았다. 비정질층이 형성되지 않은 시편은 열처리온도가 올라감에 따라서 서서히 결함이 회복되지만 1100℃의 고온에서도 많은 결함이 소멸되지 않고 남아있었다. 그리고, 표면으로부터 연속적으로 형성된 비정질층은 열처리에 의해 재결정화가 진행되나 비정질/결정질 계면의 기복이 심하고 이로 인해 micro twin, 결함 cluster 등이 밀집된 또다른 결함층을 표면 근처에 형성하며, 이들 결함들은 고온에서도 완전히 소멸되지 않았다. Damages on Si substrate induced by Ar ion implantation and its annealing behavior during rapid thermal annealing were investigated by the cross-sectional TEM (transmission electron microscopy), RB (Rutherford backscattering) spectra and thermal wave (TW) modulation reflectance methods. Continuous amorphous layer extending to the surface were generated by Ar ion implantation for higher doses than 1×10^(15)㎝^(-2). The recrystallization of the amorphous layer proceeded as the annealing temperature increased. However the amorphous/crystal interfacial undulations caused the micro twins and damage clusters. Damage clusters generated by lower doses than 1×10^(15)㎝^(-2) disappeared slowly as the annealing temperature increased, but even at 1100℃ a few damage clusters still remained.
김광일(K.I.Kim),정낙규(N.K.Chung),김진흥(J.H.Kim),김창오(C.O.Kim) 대한기계학회 2003 대한기계학회 춘추학술대회 Vol.2003 No.11
TMA clathrate that is used as PCM of low temperature thermal storage system in this research creates hydrate crystallization at higher temperature than pure water, and it's application is expected as PCM because of comparatively big latent heat without phase separation phenomenon. Acetone, Ethylen Glycol, and Ethannol is used as additive and evaluared experimentally for the purpose of the improvement in subcooling of TMA clathrate. In view of the results so far achieved subcooling is improved, the running time of the refrigerator is reduced. Thus the results are expected to use for the increase of coeffcienr of performance of low temperature thermal storage system in the building.
실리콘이온주입된 실리콘산화막의 광루미니센스에 관한 연구
김광희(K. H. Kim),이재희(J. H. Lee),김광일(K. I. Kim),고재석(J. S. Koh),최석호(S. H. Choi),권영규(Y. K. Kwon),이원식(W. S. Lee),이용현(Y. H. Lee) 한국진공학회(ASCT) 1998 Applied Science and Convergence Technology Vol.7 No.2
실리콘산화막에 실리콘이온주입을 5×10^(16)/㎠, 1×10^(17)/㎠, 3×10^(17)/㎠ 으로 하여 열처리온도와 열처리시간을 변화시키면서 광루미니센스, XRD, TEM을 관찰하였다. 이온주입량이 적고 열처리온도가 낮을경우에 가시광 광루미니센스를 관찰할 수 있었다. 광루미니센스의 peak는 7420Å과 8360Å 위치에 있었으며, 열처리시간이 길어짐에 따라 intensity는 각각 증가하였다. 이온주입량이 많고 열처리온도가 높을경우에는 광루미니센스가 관찰되지 않았다. 이온주입량이 적고 열처리온도가 높을경우에는 열처리시간이 짧으면 가시광 광루미니센스가 있으나 열처리시간이 1시간 이상으로 길어지면 광루미니센스가 사라졌다. XRD와 TEM 결과로부터 실리콘 cluster는 nonradiative defect와 관련있으며, 실리콘이온주입된 실리콘산화막에서 관찰되는 광루미니센스의 origin은 nanocrystal 이 아니라 defect임을 알 수 있었다. 이온주입되는 실리콘이온의 량, 열처리온도와 시간의 변화는 광루미니센스를 변화시키는데 이 현상들을 Si-O-O 결합인 O위주의 결함과 Si-Si-O 결합인 Si 위주의 결함과 연관지어 설명할 수 있었다. Photoluminescence(PL), XRD, TEM results of 5×10^(16)/㎠, 1×10^(17)/㎠, 3×10^(17)/㎠ Si^+-implanted SiO₂ films on crystalline silicon are reported. At low dose implantation and low annealing temperature, visible PL are observed. The PL spectrum has 7400Å and 8360Å peaks. As annealing time increased, the PL intensity are increased and peak positions are changed. The PL spectrum are not observed at high dose implantation and high annealing temperature. For the samples of low dose and high annealing temperature, visible PL are observed at short annealing time (30 minutes) and disappear for more than 1 hour annealing. From XRD and TEM results, silicon cluster are related to nonradiative defects. It is concluded that the origin of visible PL in Si^+-implanted SiO₂ films are not nanocrystal but two kinds of radiative defects. The Si-O-O bonding related defects (O rich defects) and Si-Si-O bonding related defects (Si rich defects) are related to the PL spectrum and depend on concentration of Si^+ implantation, annealing temperature and time.