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- 저자 : 김강복(K .B .Kim) (검색결과 2 건)
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스퍼터링 파라미터가 (001) Si 기판위에 성장한 ZnO 박막의 결정성에 미치는 영향
이수만(S.M.Lee),김강복(K .B.Kim),오동철(D.C.Oh) 호서대학교 공업기술연구소 2015 공업기술연구 논문집 Vol.34 No.1
본 연구에서는 Z nO 박막의 최적화된 제작조건을 찾기 위해, RF-스퍼터링을 이용하여 (001) Si 기판위에서 폴라즈마 파워, 공정압력, 증착시간. 기판온도의 변화에 따른 박막의 두께. 표면거칠기, X-선 회절곡선. 발광 스펙 트림을 관찰하였다. 제작된 Z nO 박막은 플라즈마 파워가 증가할수록 두께와 표면거칠기, X-선 회절 피크가 증가 하였고, 100W에서 스펙트럼의 발광세기가 가장 크게 나타났다. 공정압력의 증가함에 따라 박막의 두께, 표면거칠 기가 증가하였고. X-선 회절피크는 5mTorr와 lO m T orr에서 비슷한 강도가 나타났고, 15mTorr에서 감소하였 다. 15mTorr에서 스펙트럼의 발광세기가 가장 크게 나타났다. 중착시간에 따라 박막의 두께와 표면거칠기 , X-선 회절피크가 증가하였다. 그러나 증착시간이 가장 짧은 5분에서 스펙트럼의 발광세기가 가장 강하게 나타났다. 기판 온도에 따라 박막의 두께는 실온에서 1 0 0 t까지 감소하다, 1 0 0t 이상에서 증가했다. 기판온도가 증가함에 따라 표면거칠기와 X-선 회절피크가 증가하였고, 스펙트럼의 결과 200. 400°C에서 발광세기가 가장 크게 관찰되었다.
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열처리가 ZnO/Si와 ZnO/GaAs 이종구조의 물리적 특성에 미치는 영향
장태수(T .S .Jang),이수만(S .M .Lee),김강복(K .B .Kim),오동철(D.C.Oh) 호서대학교 공업기술연구소 2015 공업기술연구 논문집 Vol.34 No.2
본 연구에서는 Si(OOl)기판과 GaAs(OOl)기판상에서 RF-스퍼터링을 사용하여 제작된 Znᄋ박막을 열처리하여 성장조건과 열처리조건에 따른 물리적 특성을 평가하여 박막과 기판사이의 이종계면 에서의 상호확산을 관찰하였다. 제작된 Znᄋ박막은 성장조건과 무관하게 열처리 온도가 증가할수록 표면거칠기의 증가와 PL발광특성이 개선됨이 관측되었다. 또한 SIM S와 X-ray측정을 통해 열처리 온도가 증가함에 따라서 기판과 박막사이의 상호확산이 활발 해짐을 관측하였다. 상대적으로 Si기판은 900°C, GaAs기판은 700°C 열처리에서 급격한 변화를 보였다.
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