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R F - sputtering을 이용하여 (001) GaAs 기판위에 성장시킨 ZnO 박막에 관한 포괄적 연구
김강복(K .B .K im),이수만(S .M Lee),오동철(D.C.Oh) 호서대학교 공업기술연구소 2014 공업기술연구 논문집 Vol.33 No.2
본 연구에서는 (001) GaAs 기판상에서 RF-sputter로 제작된 ZnO 박막에서 공정가스인 아르곤/ 산소의비, 박막의 성장온도, ZnO 저온버퍼의 열처리분위기와 버퍼두께와 구조적, 광학적 특성과의 상관관계를 고찰한다. 제작된 ZnO 박막은 결진성장을 의미하는 그래눌형태의 표면구조를 갖고 있었으며, 표면거칠기는 박막의 두께에 비례하고 구조적/광학적 성질과는 연관성이 관찰되지 않았다. 상대적으로 강한 발광효율을 갖는 ZnO 박막은 저온 ZnO 버피(2.5min의 성장시간과 15mTorr 산소분위기의 열처리로 제조)위에 75% 아르곤/ 25%산소비와 5 0 0 t의 성장온도로 제조된 박막이었다.