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GaN HPA MMIC 기반 Ka 대역 25 W SSPA 설계 및 제작
지홍구(Hong-gu Ji),노윤섭(Youn-sub Noh),최윤호(Youn-ho Choi),곽창수(Chang-soo Kwak),염인복(In-bok Youm),서인종(In-jong Seo),박형진(Hyung-jin Park),조인호(In-ho Jo),남병창(Byung-chang Nam),공동욱(Dong-uk Kong) 한국전자파학회 2015 한국전자파학회논문지 Vol.26 No.12
Ka 대역의 25 W급 SSPA를 제작하기 위하여 상용 0.15 μm GaN 공정을 이용 구동증폭기(Drive Amplifier : DRA) 및 고출력증폭기(High Power Amplifier : HPA) 초고주파 단일 집적회로(Monolithic Microwave Integrated Circuit : MMIC)를 설계 및 제작하여 특성 평가하였고, SSPA(Solid State Power Amplifier)의 주요 부속품인 MS-to-WR28 변환기 및 WR28 전력합성기를 설계 및 제작, 평가하여 Ka 대역 GaN 기반 SSPA를 제작하였다. 제작 결과, 주파수 29~31 GHz 대역에서 포화출력 44.2 dBm 이상, 전력부가효율 16.6 % 이상, 전력이득 39.2 dB의 특성을 나타내었다. We designed and manufactured Ka-band SSPA include drive amplifier and high power amplifier MMICs by 0.15 μm GaN commercial process. Also, we fabricated main components micro-strip line to WR28 waveguide transition and WR28 wave guide power combiner for Ka-band SSPA. This Ka-band SSPA shows saturated output power 44.2 dBm, power added efficiency 16.6 % and power gain 39.2 dB at 29~31 GHz frequency band.