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Efficient and uniform production of III-nitride films by multiwafer MOVPE
Deschler, M. ELSEVIER 1997 p.1-7
2D/3D growth of GaN by molecular beam epitaxy: towards GaN quantum dots
Daudin, B. ELSEVIER 1997 p.8-11
Growth of GaN and AIN thin films by laser induced molecular beam epitaxy
Gross, M.; Henn, G.; Schroeder, H. Elsevier 1997 p.16-19
Growth of GaN and AlN thin films by laser induced molecular beam epitaxy
Gross, M. ELSEVIER 1997 p.16-19
GaN thin films deposited by pulsed laser ablation in nitrogen and ammonia reactive atmospheres
Cole, D. ELSEVIER 1997 p.20-24
Characterization of GaN epitaxial layers on SiC substrates with Al~xGa~1~-~xN buffer layers
Lin, C. F. ELSEVIER 1997 p.25-28
Potin, V. ELSEVIER 1997 p.29-31
Caracterization of AIN buffer layers on (0001)-sapphire substrates
Le Vaillant, Y. M. ELSEVIER 1997 p.32-37
EXAFS studies of plasma-enhanced MBE grown Group III-Nitrides
Blant, A. V. ELSEVIER 1997 p.38-41
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