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      KCI등재

      다중 안테나 시스템을 위한 CMOS Class-E 전력증폭기의 효율 개선에 관한 연구 = Research on PAE of CMOS Class-E Power Amplifier For Multiple Antenna System

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      https://www.riss.kr/link?id=A76337704

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      국문 초록 (Abstract)

      본 논문에서는 전력증폭기의 입력신호의 크기에 따라 CMOS class-E 전력증폭기의 게이트와 드레인의 바이어스 전압을 조절함으로써 낮은 출력전력에서도 80% 이상의 고효율 특성을 갖는 CMOS clas...

      본 논문에서는 전력증폭기의 입력신호의 크기에 따라 CMOS class-E 전력증폭기의 게이트와 드레인의 바이어스 전압을 조절함으로써 낮은 출력전력에서도 80% 이상의 고효율 특성을 갖는 CMOS class-E 전력증폭기를 설계하였다. 입력신호의 포락선을 검파하여 전력증폭기의 바이어스 전압을 조절하는 방법을 이용하였고, 동작주파수는 2.14㎓, 출력전력은 22㏈m에서 25㏈m, 전력부가효율은 모든 입력전력레벨에서 80.15%에서 82.96%의 특성을 얻을 수 있었다.

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      In this paper, bias control circuit structure have been employed to improve the power added efficiency of the CMOS class-E power a mplifier on low input power level. The gate and drain bias voltage has been controlled with the envelope of the input RF...

      In this paper, bias control circuit structure have been employed to improve the power added efficiency of the CMOS class-E power a mplifier on low input power level. The gate and drain bias voltage has been controlled with the envelope of the input RF signal. The proposed CMOS class-E power amplifier using bias controlled circuit has been improved the PAE on low output power level. The operating frequency is 2.14㎓ and the output power is 22㏈m to 25㏈m. In addition to, it has been evident that the designed the structure has showed more than a 80% increase in PAE for flatness over all input power level, respectively.

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      목차 (Table of Contents)

      • 요약
      • Abstract
      • Ⅰ. 서론
      • Ⅱ. Class-E 전력증폭기 동작원리
      • Ⅲ. Bias Control Method
      • 요약
      • Abstract
      • Ⅰ. 서론
      • Ⅱ. Class-E 전력증폭기 동작원리
      • Ⅲ. Bias Control Method
      • Ⅳ. CMOS Class-E 전력증폭기 설계
      • Ⅴ. 바이어스 조절을 이용한 CMOS Class-E 전력증폭기 설계
      • Ⅵ. 결론
      • 참고문헌
      • 저자소개
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      참고문헌 (Reference)

      1 김형준, "이중 바이어스 조절과 PBG를 이용한 도허티 증폭기 전력 효율 개선에 관한 연구" 한국전자파학회 17 (17): 707-712, 2006

      2 Steve C. Cripps, "RF Power Amplifiers for Wireless Communications" Artech House 1999

      3 D. M. Pozar, "Microwave Engineering" Addison-Wesley 1993

      4 F. H. Raab, "Idealized operation of the class-E tuned power amplifier" CAS-25 : 725-735, 1977

      5 G. Hanington, "High-Efficiency Power Amplifier Using Dynamic Power-Supply Voltage for CDMA Applications" 47 : 1471-1476, 1999

      6 P. Gray, "Future directions of silicon IC’'s for RF personal communications" 83-90, 1995

      7 N. O. Sokal, "Class-E Switching-Mode RF Power Amplifiers-Low Power Dissipation, Low Sensitivity to Component Tolerances and Well Defined Operation" 33-38, 1980

      8 N. O. Sokal, "Class E—a New Class of High-Efficiency Tuned Single-Ended Switching Power Amplifiers" SC-10 (SC-10): 168-176, 1975

      9 N. O. Sokal, "Class E High-Efficiency Switching-Mode Power Amplifiers, from HF to Microwave" 1998

      10 R. B. Staszewski, "All-digital PLL and GSM/EDGE transmitter in 90nm CMOS" 316-317, 2005

      1 김형준, "이중 바이어스 조절과 PBG를 이용한 도허티 증폭기 전력 효율 개선에 관한 연구" 한국전자파학회 17 (17): 707-712, 2006

      2 Steve C. Cripps, "RF Power Amplifiers for Wireless Communications" Artech House 1999

      3 D. M. Pozar, "Microwave Engineering" Addison-Wesley 1993

      4 F. H. Raab, "Idealized operation of the class-E tuned power amplifier" CAS-25 : 725-735, 1977

      5 G. Hanington, "High-Efficiency Power Amplifier Using Dynamic Power-Supply Voltage for CDMA Applications" 47 : 1471-1476, 1999

      6 P. Gray, "Future directions of silicon IC’'s for RF personal communications" 83-90, 1995

      7 N. O. Sokal, "Class-E Switching-Mode RF Power Amplifiers-Low Power Dissipation, Low Sensitivity to Component Tolerances and Well Defined Operation" 33-38, 1980

      8 N. O. Sokal, "Class E—a New Class of High-Efficiency Tuned Single-Ended Switching Power Amplifiers" SC-10 (SC-10): 168-176, 1975

      9 N. O. Sokal, "Class E High-Efficiency Switching-Mode Power Amplifiers, from HF to Microwave" 1998

      10 R. B. Staszewski, "All-digital PLL and GSM/EDGE transmitter in 90nm CMOS" 316-317, 2005

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      학술지 이력

      학술지 이력
      연월일 이력구분 이력상세 등재구분
      2014-01-21 학회명변경 영문명 : The Institute Of Electronics Engineers Of Korea -> The Institute of Electronics and Information Engineers
      2012-09-01 평가 학술지 통합(등재유지)
      2011-01-01 평가 등재학술지 유지(등재유지) KCI등재
      2009-01-01 평가 등재학술지 유지(등재유지) KCI등재
      2007-10-04 학술지명변경 한글명 : 전자공학회논문지 - TC</br>외국어명 : TeleCommunication KCI등재
      2007-01-01 평가 등재학술지 유지(등재유지) KCI등재
      2005-01-01 평가 등재학술지 유지(등재유지) KCI등재
      2002-07-01 평가 등재학술지 선정(등재후보2차) KCI등재
      2000-01-01 평가 등재후보학술지 선정(신규평가) KCI등재후보
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