Si(111) 표면위에 Gd₂O₃:Eu³+ 결정성 형광체 박막을 이온화 집단체 증착방법으로 증착하여 이온선을 주입, 결정을 파괴한 후에 열처리를 통하여 결정구조를 변화시켰다. 초기 생장시의 결정...
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2003
Korean
KCI우수등재,SCOPUS,ESCI
학술저널
275-280(6쪽)
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Si(111) 표면위에 Gd₂O₃:Eu³+ 결정성 형광체 박막을 이온화 집단체 증착방법으로 증착하여 이온선을 주입, 결정을 파괴한 후에 열처리를 통하여 결정구조를 변화시켰다. 초기 생장시의 결정...
Si(111) 표면위에 Gd₂O₃:Eu³+ 결정성 형광체 박막을 이온화 집단체 증착방법으로 증착하여 이온선을 주입, 결정을 파괴한 후에 열처리를 통하여 결정구조를 변화시켰다. 초기 생장시의 결정성은 고에너지 전자회절 (RHEED)을 통해 확인하고, X선 회절과 적외선 분광법을 이용하여 시료의 결정구조의 변화를 관측하였다. Near Edge X-ray Absorption Fine Structure (NEXAFS)를 통해 전자구조의 변화를 확인하였다. 이러한 변화들이 발광 특성에 미치는 영향을 Photoluminescence (PL), Cathodoluminescence (CL), 그리고 Vacuum Ultraviolet (VUV) spectrum으로 알아보았다. 본 연구는 결정구조에 의해 변회된 전자구조가 형광체 박막의 발광특성에 미치는 영향을 보고한다.
다국어 초록 (Multilingual Abstract)
Epitaxial Gd₂O₃:Eu³+ luminescent thin films have been grown on Si(111) substrates using Ionized Cluster Beam Deposition (ICBD). After the film growing, they were implanted and post annealed to change the crystal structure. The initial growth sta...
Epitaxial Gd₂O₃:Eu³+ luminescent thin films have been grown on Si(111) substrates using Ionized Cluster Beam Deposition (ICBD). After the film growing, they were implanted and post annealed to change the crystal structure. The initial growth stage was monitored by using in-situ Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED). The formed crystal structure was identified with X-ray diffraction (XRD) technique and Fourier transform infrared (FT-IR) spectroscopy. The electronic states variations were investigated by Near Edge X-ray Absorption Fine Structure (NEXAFS). Photoluminescence (PL), Cathodoluminescence (CL), and Vacuum ultraviolet (VUV) spectrum were used for examining the optical properties. We report the optical property changes depending on crystal structure and the electronic states.
목차 (Table of Contents)
실리콘-게르마늄 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 신뢰성 현상
MBE법으로 InP 기판위에 성장한 InAlAs 에피층의 특성에 대한 성장온도의 효과
n-type과 p-type 다공성 실리콘의 구조와 광학적 특성에 관한 연구