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      Influence of an Oxide Interlayer Dielectric (ILD) Capping Layer on the Thermal Stability of Ni Germanide for Nanoscale Ge MOSFETs

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      https://www.riss.kr/link?id=A104193577

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      In this research, the influence of an interlayer dielectric (ILD) capping layer on the thermal stability of Ni germanide was analyzed. The Ni germanide was formed on a Ge-on-Si substrate by using a one-step rapid thermal process (RTP) at 400 ˚C for 30 sec. We found little difference in the X-ray diffraction (XRD) results, but the proposed structure with oxide ILD capping layer showed better thermal immunity than that without one. Adopting an oxide ILD capping layer resulted in a lower sheet resistance, less surface roughness, and less Ni germanide agglomeration and penetration after high temperature post-germanidation annealing at 500 ˚C. Therefore, oxide capping is promising for improving the thermal stability of Ni germanide for nanoscale germanium metal oxide semiconductor field effect transistors (Ge MOSFETs).
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      In this research, the influence of an interlayer dielectric (ILD) capping layer on the thermal stability of Ni germanide was analyzed. The Ni germanide was formed on a Ge-on-Si substrate by using a one-step rapid thermal process (RTP) at 400 ˚C for 3...

      In this research, the influence of an interlayer dielectric (ILD) capping layer on the thermal stability of Ni germanide was analyzed. The Ni germanide was formed on a Ge-on-Si substrate by using a one-step rapid thermal process (RTP) at 400 ˚C for 30 sec. We found little difference in the X-ray diffraction (XRD) results, but the proposed structure with oxide ILD capping layer showed better thermal immunity than that without one. Adopting an oxide ILD capping layer resulted in a lower sheet resistance, less surface roughness, and less Ni germanide agglomeration and penetration after high temperature post-germanidation annealing at 500 ˚C. Therefore, oxide capping is promising for improving the thermal stability of Ni germanide for nanoscale germanium metal oxide semiconductor field effect transistors (Ge MOSFETs).

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      참고문헌 (Reference)

      1 H. Shang,

      2 Joint Committee on Powder Diffraction Standards, JCPDS International Center for Diffraction Data 1976

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      9 K. Park, 154 : H557-, 2007

      10 C. H. Huang, 2003

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      16 강민호, "Suppression of Nickel-germanide (NiGe) Agglomeration and Ni Penetration by Hydrogen (H) Ion Shower Doping in NiGe on a Thin Epitaxial Ge-on-Si Substrate" 한국물리학회 55 (55): 221-226, 2009

      17 Jae-Wook Lee, "In-Situ Annealing Study on the Thermal Stability of Nickel Germanides" 한국물리학회 50 (50): 677-680, 2007

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