본 논문에서는 short-channel intrinsic-body SDG SOI MOSFET의 문턱전압 도출을 위한 간단한 해석적 모델을 제시하였다. Intrinsic silicon 채널 영역 및 gate oxide 내에서의 2차원 Laplace 방정식을 반복법(iteratio...
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2009
Korean
569
KCI등재
학술저널
1-7(7쪽)
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본 논문에서는 short-channel intrinsic-body SDG SOI MOSFET의 문턱전압 도출을 위한 간단한 해석적 모델을 제시하였다. Intrinsic silicon 채널 영역 및 gate oxide 내에서의 2차원 Laplace 방정식을 반복법(iteratio...
본 논문에서는 short-channel intrinsic-body SDG SOI MOSFET의 문턱전압 도출을 위한 간단한 해석적 모델을 제시하였다. Intrinsic silicon 채널 영역 및 gate oxide 내에서의 2차원 Laplace 방정식을 반복법(iteration method)으로 풀어 각 영역 내에서의 전위 분포를 채널에 수직한 방향의 좌표에 대해 4차 및 5차 다항식으로 표현하였으며 이로부터 표면전위를 도출하였다. 표면전위의 최소치가 0이 되는 게이트 전압을 문턱전압으로 제안하여 closed-form의 문턱전압 식을 도출하였다. 도출된 문턱전압 표현식을 모의 실험한 결과, 소자의 parameter와 가해진 bias 전압에 대한 정확한 의존성을 확인할 수 있었다.
다국어 초록 (Multilingual Abstract)
In this paper, a simple analytical model for deriving the threshold voltage of a short-channel intrinsic-body SDG SOI MOSFET is suggested. Using the iteration method, both Laplace equations in intrinsic silicon body and gate oxide are solved two-dimen...
In this paper, a simple analytical model for deriving the threshold voltage of a short-channel intrinsic-body SDG SOI MOSFET is suggested. Using the iteration method, both Laplace equations in intrinsic silicon body and gate oxide are solved two-dimensionally. Obtained potential distributions in both regions are expressed in terms of fourth and fifth-order of the coordinate perpendicular to the silicon channel direction. Making use of them, the surface potential is obtained to derive the threshold voltage in a closed-form. Simulation results show the fairly accurate dependencies of the threshold voltage on the various device parameters and applied bias voltages.
목차 (Table of Contents)
참고문헌 (Reference)
1 이정호, "SOI형 대칭 DG MOSFET의문턱전압 도출에 대한 간편한 해석적 모델" 대한전자공학회 44 (44): 16-23, 2007
2 Wei-Yuan Lu, "On the Scaling Limit of Ultrathin SOI MOSFETs" 53 (53): 1137-, 2006
3 Slavica Malobabic, "Modeling the Undoped Body Symmetric Dual Gate MOSFET" 2004
4 W. Z. Shangguan, "General analytical Poisson solution for undoped generic two gated metal oxide semiconductor field effect transistors" 90 : 2007
5 Yuan Taur, "An Analytical Solution to a Double Gate MOSFET with Undoped Body" 21 : 245-, 2000
6 O. Cobianu, "A Verilog A-model of an undoped symmetric dual gate MOSFET" 4 : 303-306, 2006
7 Qiang Chen, "A Physical Short Channel Threshold Voltage Model for Undoped Symmetric Double Gate MOSFETs" 50 : 1631-, 2003
8 Qiang Chen, "A Comparative Study of Threshold Variations in Symmetric and Asymmetric undoped double gate MOSFETs" 30-, 2002
1 이정호, "SOI형 대칭 DG MOSFET의문턱전압 도출에 대한 간편한 해석적 모델" 대한전자공학회 44 (44): 16-23, 2007
2 Wei-Yuan Lu, "On the Scaling Limit of Ultrathin SOI MOSFETs" 53 (53): 1137-, 2006
3 Slavica Malobabic, "Modeling the Undoped Body Symmetric Dual Gate MOSFET" 2004
4 W. Z. Shangguan, "General analytical Poisson solution for undoped generic two gated metal oxide semiconductor field effect transistors" 90 : 2007
5 Yuan Taur, "An Analytical Solution to a Double Gate MOSFET with Undoped Body" 21 : 245-, 2000
6 O. Cobianu, "A Verilog A-model of an undoped symmetric dual gate MOSFET" 4 : 303-306, 2006
7 Qiang Chen, "A Physical Short Channel Threshold Voltage Model for Undoped Symmetric Double Gate MOSFETs" 50 : 1631-, 2003
8 Qiang Chen, "A Comparative Study of Threshold Variations in Symmetric and Asymmetric undoped double gate MOSFETs" 30-, 2002
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학술지 이력
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2014-01-21 | 학회명변경 | 영문명 : The Institute Of Electronics Engineers Of Korea -> The Institute of Electronics and Information Engineers | |
2012-09-01 | 평가 | 학술지 통합(등재유지) | |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | |
2007-10-04 | 학술지명변경 | 한글명 : 전자공학회논문지 - SD</br>외국어명 : SemiconductorandDevices | |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | |
2005-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | |
2002-07-01 | 평가 | 등재학술지 선정(등재후보2차) | |
2000-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정(신규평가) |