dc 마그네트론 스퍼터링 방법으로 Al$_{2}$O$_{3}$ 기판 위에 Ti 후막을 증착하여 dc 출력(1.5, 2.0, 2.5 kW), 아르곤 분압비 (5, 7, 9 mTorr), 진공 열처리 (300, 400, 450, 500$^o$C) 조건에 따른 후막의 역학적, 전...
dc 마그네트론 스퍼터링 방법으로 Al$_{2}$O$_{3}$ 기판 위에 Ti 후막을 증착하여 dc 출력(1.5, 2.0, 2.5 kW), 아르곤 분압비 (5, 7, 9 mTorr), 진공 열처리 (300, 400, 450, 500$^o$C) 조건에 따른 후막의 역학적, 전기적 특성을 조사하였다. SEM 측정으로부터 Al$_{2}$O$_{3}$ 기판과 Ti 후막 사이에 중간층이 존재함을 확인하였으며, 에너지 분산 분광 (Energy Dispersive Spectroscopy, EDS)을 이용한 성분 분석을 실시하여 중간층의 성분이 Ti, Al 그리고 O 원소로 이루어져 있음을 확인하였다. XRD 분석 결과 중간층의 원소들은 TiO, Ti$_{3}$Al, TiAl$_{3}$와 같은 화합물을 형성하고 있으며, 이와 같은 화합물은 Al$_{2}$O$_{3}$ 기판에 함유된 Al, O가 Ti 후막으로 확산되어 Ti와 반응하여 형성된 것이다. 확산은 Ti 후막이 Al$_{2}$O$_{3}$ 기판 위에 증착될 때 dc 출력, Ar 분압비, 열처리 온도가 증가함에 따라 기판에 인가되는 열에너지가 증가하여 Al과
O의 확산 속도가 증가되었기 때문이다. 정방구조를 가진 Al$_{2}$O$_{3}$기판과 육방구조를 가진 Ti 후막 사이에 정방구조를 가진 TiAl$_{3}$와육방구조를 가진 Ti$_{3}$Al 화합물 층이 형성되어 기판과 후막 사이의 격자 부정합면을 완화시켜 Ti 후막과 Al$_{2}$O$_{3}$ 기판 사이의 접착력을 향상시켰다. dc 출력과 Ar 분압비가 증가할수록 중간층의 두께가 증가였으며, 특히 중간층에 형성된 Ti$_{3}$Al 화합물 층이 두껍게 형성될수록 접착력이 향상되었다. dc 출력, Ar 분압비, 열처리 온도 변화에 따른 Ti 후막의 비저항은 큰 변화를 나타내지 않았다.