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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      Study of the Etching Mechanism of Tantalum Thin Films by Argon Actinometry

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      The mechanism of etching a tantalum lm with pure chlorine plasma was studied using an electron
      cyclotron resonance plasma system. The emission intensity was measured by using optical emission
      spectroscopy, and the relative density of Cl radicals was estimated by using Ar actinometry. The
      chemical reaction between Cl and Ta resulting in the formation of TaClx with a low vapor pressure,
      can proceed only after the removal of the native Ta oxide on the surface. The sputter-assisted
      dissociation of TaClx into TaClx
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      The mechanism of etching a tantalum lm with pure chlorine plasma was studied using an electron cyclotron resonance plasma system. The emission intensity was measured by using optical emission spectroscopy, and the relative density of Cl radicals was...

      The mechanism of etching a tantalum lm with pure chlorine plasma was studied using an electron
      cyclotron resonance plasma system. The emission intensity was measured by using optical emission
      spectroscopy, and the relative density of Cl radicals was estimated by using Ar actinometry. The
      chemical reaction between Cl and Ta resulting in the formation of TaClx with a low vapor pressure,
      can proceed only after the removal of the native Ta oxide on the surface. The sputter-assisted
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      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 0.47 0.15 0.31
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.26 0.2 0.26 0.03
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