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      Reactive Ion Beam Etching (RIBE) of MTJ Cell using H₂/NH₃ plasma for Magnetic Random Access Memories

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      https://www.riss.kr/link?id=A107408939

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      국문 초록 (Abstract)

      MRAM을 구동하기 위해 Magnetic Tunnel Junction (MTJ)층이 사용되며, 일반적으로 MTJ 층은 fixed layer, free layer, barrier layer로 구성된다. MTJ의 자성층 재료로써 CoFeB 및 CoPt가 일반적으로 사용되고 있으며, ...

      MRAM을 구동하기 위해 Magnetic Tunnel Junction (MTJ)층이 사용되며, 일반적으로 MTJ 층은 fixed layer, free layer, barrier layer로 구성된다. MTJ의 자성층 재료로써 CoFeB 및 CoPt가 일반적으로 사용되고 있으며, 이러한 MTJ cell 식각을 위해서 halogen-based RIE가 이용된다. 그러나, halogen 기체와 자성재료가 반응하여 halogen compound를 형성할 경우, 이는 non-volatile한 화합물로써 화학적 손상을 주게 되며, 식각 과정에서 패턴의 측벽에 다시 재 증착 되는 문제 등으로 인해 쉽게 제거되지 않는다. 본 연구에서는 이러한 문제를 해결하기 위해 H<sub>2</sub>/NH<sub>3</sub> 가스조합을 이용한 RIBE를 통해 CoFeB 박막의 식각 특성을 확인하였다.

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