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      광출력 3W급 GaN 기반의 수직형 발광다이오드 단일 칩 N-전극 최적화를 위한 연구 = N-Electrode Optimization of GaN-Based Vertical Light-Emitting Diode Single-Chip with 3-W Output Power

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      https://www.riss.kr/link?id=A100425905

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      N-type electrode optimization of GaN-based vertical light-emitting diode (VLED) single chip with 3-W output power is reported. The various n-type electrode designs were proposed and simulated to optimize the output power and operating voltage. In addi...

      N-type electrode optimization of GaN-based vertical light-emitting diode (VLED) single chip with 3-W output power is reported. The various n-type electrode designs were proposed and simulated to optimize the output power and operating voltage. In addition, the LED chip with optimized n-type electrode design was fabricated in the form of a vertical-injection structure with chip dimensions of 2×2 mm2. Electrical and optical characteristics of the VLED were measured up to 3 A injection current under pulsed operation condition. Output power and forward voltage at 2.7 A were obtained to be 3.1 W and 3.67 V, respectively. (Received May 21, 2014)

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