1 M. Ito, 354 : 2777-, 2008
2 H. Chung, 11 : H51-, 2008
3 J. K. Jeong, 17 : 295-, 2009
4 J. K. Jeong, 11 : 157-, 2008
5 K. H. Lee, 95 : 232106-, 2009
6 H. K. Noh, 113 : 063712-, 2013
7 G. Z. Geng, 1-, 2014
8 S. H. K. Park, 21 : 678-, 2009
9 S.Y. Lee, 98 : 122105-, 2011
10 Y. Wang, 58 : 480-, 2011
1 M. Ito, 354 : 2777-, 2008
2 H. Chung, 11 : H51-, 2008
3 J. K. Jeong, 17 : 295-, 2009
4 J. K. Jeong, 11 : 157-, 2008
5 K. H. Lee, 95 : 232106-, 2009
6 H. K. Noh, 113 : 063712-, 2013
7 G. Z. Geng, 1-, 2014
8 S. H. K. Park, 21 : 678-, 2009
9 S.Y. Lee, 98 : 122105-, 2011
10 Y. Wang, 58 : 480-, 2011
11 W. J. Maeng, 32 : 1077-, 2011
12 J. Jeong, 59 : 710-, 2012
13 E. N. Cho, 51 : 1792-, 2011
14 J. S. Park, 93 : 033513-, 2008
15 J. M. Choi, 93 : 043309-, 2008
16 S. Martin, 40 : 530-, 2001
17 C. Chiang, 37 : 5914-, 1998
18 W. S. Kim, 518 : 6357-, 2010
19 J.Y. Huh, 11 : S49-, 2011
20 F. Zhou, "Top-gate amorphous IGZO thin-film transistors with a SiO buffer layer inserted between active channel layer and gate insulator" 한국물리학회 12 (12): 228-232, 2012
21 Jayapal Raja, "Enhancement of electrical stability of a-IGZO TFTs by improving the surface morphology and packing density of active channel" 한국물리학회 13 (13): 246-251, 2013