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    대용량 IGBT(Integrated Gate Bipolar Transistor)용 기판 개발 = Development of the Substrate for the High Power IGBT

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    https://www.riss.kr/link?id=A30064606

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    We have studied on the fabrications Cu＼Al_2O_3＼Cu IGBT substrates produced by brazing method with Cu-Ag alloyed filler metal containing 1 to 4wt%Ti. For a braze cycle of 1 hour at 900℃ loading at 300g and cooling rate was 10℃/min down to the room temperature in the furnace. The Cu/Al_2O_3 joints for use Cu-Ag-3wt%Ti filler metal has shown the superior mechanical, thermal and electrical properties which is arisen from the difference of the microstructure, layered thickness and composite distribution in the metallized layer.
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    We have studied on the fabrications Cu＼Al_2O_3＼Cu IGBT substrates produced by brazing method with Cu-Ag alloyed filler metal containing 1 to 4wt%Ti. For a braze cycle of 1 hour at 900℃ loading at 300g and cooling rate was 10℃/min down to the r...

    We have studied on the fabrications Cu＼Al_2O_3＼Cu IGBT substrates produced by brazing method with Cu-Ag alloyed filler metal containing 1 to 4wt%Ti. For a braze cycle of 1 hour at 900℃ loading at 300g and cooling rate was 10℃/min down to the room temperature in the furnace. The Cu/Al_2O_3 joints for use Cu-Ag-3wt%Ti filler metal has shown the superior mechanical, thermal and electrical properties which is arisen from the difference of the microstructure, layered thickness and composite distribution in the metallized layer.

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